公开(公告)号：JP2016535650A

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：JP2016550665

申请日：2014-10-22

申请人： エヌエスヴァスキュラー インコーポレイテッド ,  エヌエスヴァスキュラー インコーポレイテッド

发明人： アルフレッド デイヴィッド ジョンソン ,  アルフレッド デイヴィッド ジョンソン ,  コリン カーレイ ,  コリン カーレイ

IPC分类号： A61F2/86 ,  A61L31/00

CPC分类号： A61F2/90 ,  A61F2/06 ,  A61F2/844 ,  A61F2/86 ,  A61F2002/068 ,  A61F2002/823 ,  A61F2210/0014 ,  A61F2210/0076 ,  A61F2230/0017 ,  A61F2230/0069 ,  A61F2240/001 ,  A61L31/088 ,  C23C14/0005 ,  C23C14/042 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5846

摘要： 3次元薄膜ニチノール(NiTi)デバイスの製造方法は、基板上にニチノール及び犠牲材料の複数層を堆積させるステップを含む。3次元薄膜ニチノールデバイスは、第1のニチノール層と第2のニチノール層とを含み、第2のニチノール層は、マスクされかつ犠牲材料によって被覆されていない領域で第2ニチノール層の堆積中に第1ニチノール層に接合される。【選択図】図1A

摘要翻译： 3D薄镍钛诺（镍钛）制造装置，其包括在基板上沉积镍钛诺和牺牲材料的多个层的步骤的方法。 3D薄镍钛诺装置包括：第一镍钛诺层和第二镍钛合金层，第二镍钛合金层，第一，第二镍钛诺层的未覆盖掩蔽和牺牲材料的区域在沉积期间 1接合到镍钛合金层。 点域1A

公开(公告)号：JP6602775B2

公开(公告)日：2019-11-06

申请号：JP2016550665

申请日：2014-10-22

申请人： エヌエスヴァスキュラー インコーポレイテッド

发明人： ジョンソン アルフレッド デイヴィッド ,  カーレイ コリン

IPC分类号： A61F2/91 ,  A61L31/00 ,  A61F2/86