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公开(公告)号：KR20210033426A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020200118591A
申请日：2020-09-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC分类号： C23C14/34 , H01J37/3447 , C23C14/3464 , C23C14/564 , H01J37/3426 , H01L21/203
摘要： 본 발명은, 타겟에 근접한 셔터를 폐쇄한 상태에서 프리스퍼터를 행하고 개방한 상태에서 본스퍼터를 행하는 처리를 반복할 때에, 셔터의 실드 라이프를 길게 할 수 있는 스퍼터 방법 및 스퍼터 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
타겟과, 타겟에 근접하여 설치된 셔터를 갖는 스퍼터 장치에 의한 스퍼터 방법은, 셔터의 차폐부에 의해 타겟을 차폐한 상태에서, 상기 타겟으로부터 스퍼터 입자를 방출시켜 프리스퍼터를 행하는 공정과, 프리스퍼터하는 공정 후, 셔터의 개구부를 타겟에 대응시킨 상태에서, 타겟으로부터 스퍼터 입자를 방출시켜, 성막 대상에 스퍼터 입자를 퇴적시키는 본스퍼터를 행하는 공정을 가지며, 프리스퍼터를 행하는 공정과, 본스퍼터를 행하는 공정을 반복하여 행할 때에, 프리스퍼터하는 공정의 셔터의 위치를 변화시켜, 셔터의 차폐부의 타겟에 대응하는 위치를 변화시킨다.-
公开(公告)号：KR20210030775A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：KR1020190112370A
申请日：2019-09-10
申请人： 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/324
CPC分类号： H01L29/778 , H01L21/02631 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C14/5806 , H01L21/02205 , H01L21/02667 , H01L21/28194 , H01L21/28568 , H01L21/324 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/786 , H01L21/02568 , H01L21/02592 , H01L21/02595
摘要： 금속 칼코게나이드 박막의 형성방법 및 이를 포함하는 소자의 제조방법을 개시한다. 본 금속 칼코게나이드 박막의 형성 방법은, 스터퍼링 공정으로 금속 칼코게나이드 박막을 기판상에 증착시키고, 증착된 금속 칼코게나이드 박막을 열 처리하는 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR102225985B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190049193A
申请日：2019-04-26
申请人： 주식회사 테토스
发明人： 송근호
CPC分类号： C23C14/505 , C23C14/34 , C23C14/541 , C23C14/56
摘要： 본 발명은 기판 증착 장치에 관한 것으로, 특히 기판 측면부가 외부로 노출되도록 적어도 하나의 기판을 기판 장착 드럼에 장착하되, 증착하기 위한 적어도 하나의 기판을 기판 장착 드럼에 순차적으로 자동 로딩할 수 있고, 증착 완료된 적어도 하나의 기판을 기판 장착 드럼으로부터 순차적으로 자동 언로딩할 수 있도록 구성함으로써, 적어도 하나의 기판들의 측면부에 대한 증착을 위하여 소요되는 시간, 노력 및 비용을 최소화시킬 수 있도록 하는 자동화된 기판 측면부 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명인 자동화된 기판 측면부 증착 장치를 이루는 구성수단은, 챔버; 상기 챔버 내에 회전 가능하게 배치되되, 적어도 하나의 기판이 둘레면에서 중심 방향으로 삽입 장착되도록 하는 기판 장착 드럼; 상기 기판 장착 드럼이 상기 챔버 내로 이동 배치되도록 구동하거나 상기 챔버 외부로 이동 배치되도록 구동하는 구동 모듈; 상기 챔버 외부로 이동 배치된 상기 기판 장착 드럼에 증착하기 위한 적어도 하나의 기판을 순차적으로 삽입 장착하여 로딩하거나, 상기 챔버 외부로 이동 배치된 상기 기판 장착 드럼으로부터 증착이 완료된 적어도 하나의 기판을 순차적으로 탈착하여 언로딩하는 로딩/언로딩 모듈을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR102225493B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020197027207A
申请日：2019-02-28
申请人： 제이엑스금속주식회사
CPC分类号： C23C14/08 , C01G33/00 , C01G39/02 , C04B35/495 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01B5/14 , C04B2235/77
摘要： Nb, Mo, O로 이루어지는 산화물 박막이며, Nb와 Mo의 함유 비율(원자비)이 0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8, O와 메탈(Nb+Mo)의 함유 비율(원자비)이 1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.0인 것을 특징으로 하는 산화물 박막. 또한, Nb, Mo, O로 이루어지는 산화물 소결체이며, Nb와 Mo의 함유 비율(원자비)이 0.1≤Nb/(Nb+Mo)≤0.8, O와 메탈(Nb+Mo)의 함유 비율(원자비)이 1.5＜O/(Nb+Mo)＜2.1, MoO
2 상의 (-111)면에 귀속되는 XRD 피크 강도 I
MoO2 와 백그라운드 강도 I
BG 의 관계가 I
MoO2 /I
BG ＞3을 만족시키는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체. 본 발명은, 반사율 및 투과율이 낮고 우수한 광 흡수능을 갖고, 또한 에칭액에 녹아, 가공이 용이한 한편, 내후성이 높아, 경시 변화가 일어나기 어렵다고 하는 우수한 특성을 갖는 산화물 박막, 및 당해 박막의 형성에 적합한 스퍼터링 타깃용 산화물 소결체를 제공하는 것을 과제로 한다.-
5.发明专利
公开(公告)号：KR102223358B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020190165259A
申请日：2019-12-12
申请人： 한국기술교육대학교 산학협력단
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/34 , C23C14/5806 , H01B1/06
摘要： 본 발명은 소정 크기의 기공을 가진 다공성 텔루르화전이금속(MTe
x ) 박막으로, 상기 M은 니켈, 팔라듐, 구리, 백금, 로듐, 코발트, 망간, 스칸듐, 티타늄, 바나듐, 크롬, 니오븀, 몰리브덴, 철 및 텅스텐에서 선택되는 어느 하나의 전이금속인 다공성 텔루르화전이금속 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR20210024690A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020217005918A
申请日：2017-07-27
申请人： 아르셀러미탈
CPC分类号： C23C14/246 , C23C14/021 , C23C14/14 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/26 , C23C14/34 , C23C14/548 , C23C14/56 , C23C14/562
摘要： 본 발명은 주 엘리먼트 및 적어도 하나의 추가 엘리먼트를 포함하는 금속 합금으로 형성된 코팅을 진행 기재 (S) 상에 연속적으로 증착하기 위한 진공 증착 설비 (1) 에 관한 것으로, 상기 진공 증착 설비는 진공 증착 챔버 (2) 및 상기 진공 증착 챔버를 통해 상기 기재를 진행시키는 수단을 포함하고, 상기 진공 증착 설비는, 추가로, - 증기 제트 코팅기 (3), - 상기 주 엘리먼트 및 상기 적어도 하나의 추가 엘리먼트를 포함하는 증기를 상기 증기 제트 코팅기에 공급하기에 적합한 증발 도가니 (4), - 용융 상태의 상기 주 엘리먼트를 상기 증발 도가니에 공급하기에 적합하고 상기 증발 도가니에 일정 레벨의 액체를 유지할 수 있는 재충전 노 (9), - 고체 상태의 상기 적어도 하나의 추가 엘리먼트를 공급받기에 적합하고, 무관하게 용융 상태, 고체 상태 또는 부분적으로 고체 상태의 상기 적어도 하나의 추가 엘리먼트를 상기 증발 도가니에 공급하기에 적합한 공급 유닛 (11) 을 포함한다. 또한, 본 발명은 주 엘리먼트 및 적어도 하나의 추가 엘리먼트를 포함하는 금속 합금으로 형성된 코팅을 진행 기재 상에 연속적으로 증착하기 위한 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：JPWO2017115209A1
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JPIB2016057757
申请日：2016-12-19
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： 山崎 舜平
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336 , H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
摘要： トランジスタの半導体などに適用可能な、酸化物を作製する。成膜室に酸素または/および希ガスを有するスパッタガスを供給した後、ターゲットと基板との間に電位差を与えることで、成膜ガスのイオンを有するプラズマを生成し、成膜ガスのイオンが電位差によって、ターゲットに向けて加速され、成膜ガスのイオンがターゲットを衝撃することで、ターゲットからターゲットを構成する原子または原子の集合体を剥離させ、原子及び原子の集合体は、基板上に堆積し、基板の加熱によりマイグレーションを起こして、複数の平板状のクラスターを形成し、クラスターどうしの間の領域に、原子、および原子の集合体が入り込み、原子、および原子の集合体が、平板状のクラスターの間の領域を横方向に成長することで、クラスターどうしの間に連結部が形成され、連結部には歪みを有する結晶構造が形成される。
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公开(公告)号：JP6420387B2
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：JP2017047008
申请日：2017-03-13
发明人： クリスチャン・マナステルスキー , セドリック・フォール , ジーモン・シュプリンガー , ジェラール・ロシエ
CPC分类号： C23C28/021 , C23C14/14 , C23C14/165 , C23C14/34 , C23C14/56 , C25D7/005 , G04B5/16 , G04B13/026 , G04B19/042 , G04B19/06 , G04B29/027 , G04B37/223 , G04B47/04 , G04D3/0092 , G04D3/0097
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公开(公告)号：JP2018168417A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：JP2017066107
申请日：2017-03-29
申请人： 三菱マテリアル株式会社
摘要： 【課題】スパッタリングターゲット材と接合層とバッキングチューブとの接合強度、及び、放熱特性に優れた円筒型スパッタリングターゲットを製造可能な円筒型スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】円筒形状をなすスパッタリングターゲット材と、In又はIn合金からなる接合層を介して接合されたバッキングチューブと、を備えた円筒型スパッタリングターゲットの製造方法であって、スパッタリングターゲット材の内周面及びバッキングチューブの外周面にはんだ下地層を形成するはんだ材塗布工程S01と、はんだ材塗布工程S01後にスパッタリングターゲット材及びバッキングチューブを冷却する冷却工程S02と、はんだ下地層の表面に生成した酸化物を除去する酸化物除去工程S04と、スパッタリングターゲット材とバッキングチューブとをはんだ接合するはんだ接合工程S05と、を備えている。 【選択図】図4
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