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    ナノワイヤ構造を有するカラーフィルターアレイ及びその製造方法
    1.
    发明专利
    ナノワイヤ構造を有するカラーフィルターアレイ及びその製造方法 审中-公开
    彩色滤光器阵列和其纳米线结构的制造方法

    公开(公告)号：JP2016528552A

    公开(公告)日：2016-09-15

    申请号：JP2016533492

    申请日：2014-08-11

    申请人： ゼーナ テクノロジーズ,インク.Zena Technologies,Inc. ,  ゼーナ テクノロジーズ,インク.Zena Technologies,Inc.

    发明人： ユー，ヨンジュン ,  ウォーバー，ムニーブ

    IPC分类号： G02B5/20 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14621 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14875 ,  H01L29/0676

    摘要： 本明細書では、カラーフィルターアレイ装置及びカラーフィルターアレイ装置を作製する方法を開示する。カラーフィルターアレイは、複数の画素を配置した基板、複数の画素の各々に関連付けられ、各々が基板から実質的に垂直に延在する一又は複数のナノワイヤ、一又は複数のナノワイヤの各々に関連付けられた光学カプラを含んでもよい。カラーフィルターアレイを作製する方法は、各々が基板から実質的に垂直に延在するナノワイヤのアレイを作製する工程、ナノワイヤを実質的に封入するための透明ポリマーを配設する工程、基板からナノワイヤを取り外す工程、複数の画素を有する画素アレイを提供し、硬質ポリマーが画素アレイの画像面を実質的に覆う工程、画素アレイ上にナノワイヤのアレイを配設する工程、及び前記ナノワイヤを封入する透明ポリマーを除去する工程を含んでもよい。

    摘要翻译： 本说明书公开了一种制造一个彩色滤光器阵列装置和滤色器阵列装置的方法。 布置有多个像素的滤色器阵列基板，其中每个多个像素，一个或多个纳米线，每个都从衬底延伸基本垂直的相关联，其中每个所述一个或多个纳米线的相关联的 并且其可以包括光学耦合器。 一种制造彩色滤光器阵列的方法包括的各步骤，以产生从所述基板，在透明聚合物基本上包围所述纳米线，纳米线从衬底的步骤基本上垂直延伸的纳米线阵列 去除步骤中，透明聚合物是提供一种具有多个像素的像素阵列，包封硬质聚合物是基本上步骤覆盖像素阵列的图像表面，布置所述像素阵列上的纳米线阵列的步骤，并且所述纳米线 它可以包括去除的步骤。

    ナノワイヤ構造の光検出器を備えるアクティブピクセルセンサー
    3.
    发明专利
    ナノワイヤ構造の光検出器を備えるアクティブピクセルセンサー 审中-公开
    主动像素传感器与纳米结构光电转换器

    公开(公告)号：JP2014241413A

    公开(公告)日：2014-12-25

    申请号：JP2014138265

    申请日：2014-07-04

    申请人： ゼーナ テクノロジーズ,インク.Zena Technologies,Inc. ,  Zena Technologies Inc ,  ゼーナ テクノロジーズ,インク.Zena Technologies,Inc.

    发明人： YU YOUNGJUNE ,  MUNIB WOBER

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

    CPC分类号： H01L27/14612 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1126 ,  Y02E10/50

    摘要： 【課題】CMOS製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。【解決手段】配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出する。【選択図】図4

    摘要翻译： 要解决的问题：通过组合CMOS制造工艺和纳米线制造工艺来形成作为有源像素阵列的成像装置。解决方案：阵列中的像素可以包括围绕纳米线的单个或多个摄像机。 摄影门控制纳米线中的电位分布，允许在纳米线中积累光生电荷并传输电荷用于信号读出。 每个像素可以包括读出电路，其可以包括复位晶体管，电荷转移开关晶体管，源极跟随放大器和像素选择晶体管。 纳米线通常构造为在体半导体衬底上的垂直杆，以接收撞击到纳米线尖端的光能。 不同波长的光可以通过存在纳米线光栅和衬底光栅来检测。

    Active pixel sensor comprising a photodetector nanowire structure
    6.
    发明专利
    Active pixel sensor comprising a photodetector nanowire structure 有权
    空值

    公开(公告)号：JP2013513254A

    公开(公告)日：2013-04-18

    申请号：JP2012543250

    申请日：2010-12-08

    申请人： ゼーナ テクノロジーズ,インク.Zena Technologies,Inc.

    发明人： ユー，ヨンジュン ,  ウォーバー，ムニーブ

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0248 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

    CPC分类号： H01L27/14612 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/1126 ,  Y02E10/50

    摘要： ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。 配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。 フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。 各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。 ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。 ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。 ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

    摘要翻译： 一种形成为组合CMOS制造工艺和纳米线制造工艺的有源像素阵列的成像器件。 阵列中的像素可以包括围绕纳米线的单个或多个摄像机。 摄影门控制纳米线中的电位分布，允许在纳米线中积累光生电荷并传输电荷用于信号读出。 每个像素还可以包括可以包括复位晶体管，电荷转移开关晶体管，源极跟随放大器和像素选择晶体管的读出电路。 纳米线通常构造为在体半导体衬底上的垂直杆，以接收入射到纳米线尖端上的光能。 纳米线可以被配置为用作被配置为将光束公平到体基板的光电检测器或波导。 在本文的实施例中，通过存在纳米线光栅和衬底光栅，可以检测不同波长的光。