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    光デバイス
    1.
    发明专利
    光デバイス 审中-公开

    公开(公告)号：JP2022001871A

    公开(公告)日：2022-01-06

    申请号：JP2021146883

    申请日：2021-09-09

    申请人： 旭化成エレクトロニクス株式会社

    发明人： 福中 敏昭 ,  松下 浩二

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  G02B3/08 ,  G01J1/02

    摘要： 【課題】容易な工程で形成可能であり、かつ小型で測定精度の高いレンズ付きの光デバイスを得る。 【解決手段】光デバイスは、光電変換素子がマトリクス状に配列された光電変換チップと、光電変換チップを露出させるように光電変換チップの側面を覆う第一封止部材と、を有するセンサブロックと、レンズと、レンズの一方の面及び他方の面を露出させるようにレンズの側面を覆う第二封止部材と、を有するレンズブロックと、を備えている。レンズブロックは、レンズの一方の面と第二封止部材とで凹部が形成され、凹部の底面の少なくとも一部はレンズの一方の面で形成され、凹部の側壁は第二封止部材で形成されており、凹部が第一封止部材から露出する光電変換チップを覆うように配置されている。 【選択図】図1

    半導体装置
    2.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021190681A

    公开(公告)日：2021-12-13

    申请号：JP2020190334

    申请日：2020-11-16

    申请人： 采▲ぎょく▼科技股▲ふん▼有限公司 ,  VisEra Technologies Company Limited

    发明人： 王 唯科

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L27/146

    摘要： 【課題】 傾斜光を受光又は集光し、クロストークを防止する半導体装置を提供する。 【解決手段】 光電変換素子を有する基板、前記基板上に配置され、前記光電変換素子に対応する第1の開口部を有する第1の遮光層、前記第1の遮光層上に配置された光透過層、前記光透過層に配置され、前記第1の開口部に対応する第2の開口部を有する少なくとも1つの第2の遮光層、および前記光透過層上に配置され、前記第2の開口部に対応する集光構造を含み、前記基板の底面上の前記第2の開口部の正射影は、長軸対称軸と、長軸対称軸に垂直な短軸対称軸を有する半導体装置。 【選択図】 図1

    光電変換素子およびイメージセンサ
    5.
    发明专利
    光電変換素子およびイメージセンサ 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020080072A1

    公开(公告)日：2021-09-16

    申请号：JP2019038303

    申请日：2019-09-27

    申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

    发明人： 能澤 克弥

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H01L51/42

    摘要： 本開示の一態様に係る光電変換素子(10)は、透明導電性材料を含む第1電極(51)と、第2電極(52)と、前記第1電極(51)と前記第2電極(52)との間に位置し、光電変換機能を有する積層体(50)と、を備える。前記積層体(50)は、第1層(61)と、前記第1層(61)と前記第2電極(52)との間に位置する第2層(62)とを含む。前記第1層(61)は、360nm以上の第1波長帯域の光を吸収し、かつ、前記第1波長帯域より長い波長を含む第2波長帯域の光を透過し、前記第2層(62)は、前記第2波長帯域の光を吸収する。前記積層体(50)は、前記第1波長帯域において実質的に光電変換の感度を有さず、前記第2波長帯域において光電変換の感度を有する。

    スクアリリウム系化合物、色素組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置及び赤外線センサ
    8.
    发明专利
    スクアリリウム系化合物、色素組成物、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置及び赤外線センサ 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021109894A

    公开(公告)日：2021-08-02

    申请号：JP2020001279

    申请日：2020-01-08

    申请人： 三菱ケミカル株式会社

    发明人： 佐藤 済 ,  田中 由紀

    IPC分类号： G02B5/22 ,  C09B23/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  C09B57/00

    摘要： 【課題】近赤外領域における遮蔽性と可視領域における透過性が両立可能で、ヘイズの少ない近赤外線カットフィルタを形成可能な、スクアリリウム系化合物の提供。 【解決手段】一般式(1)で表される化学構造を有するスクアリリウム系化合物。 (式(1)中、R 1 、R 2 、R 5 及びR 6 は各々独立に、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基、又は置換基を有していてもよい芳香族環基を表す。R 1 、R 2 、R 5 、及びR 6 は各々独立に、式中のベンゼン環上の炭素原子と結合して縮合環を形成していてもよい。R 3 及びR 4 は各々独立に、置換基を有していてもよい炭素数4以上の脂肪族炭化水素基を表す。式(1)中のベンゼン環は、さらに任意の置換基により置換されていてもよい。) 【選択図】なし

    光検出装置、および測距センサ
    9.
    发明专利
    光検出装置、および測距センサ 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021097238A

    公开(公告)日：2021-06-24

    申请号：JP2021030583

    申请日：2021-02-26

    申请人： ソニーグループ株式会社

    发明人： 押山 到 ,  田中 洋志

    IPC分类号： H01L31/0232 ,  H04N5/369 ,  H01L27/146

    摘要： 【課題】本技術は、幅広い波長帯域の入射光の反射を抑制することができるようにする。 【解決手段】Siなどの基板に対して、入射光の入射方向となる基板上に設けられ、基板における入射光の反射を調整する、基板上に形成される第1層と、第1層上に形成される第2層からなる反射率調整層が設けられる。第1層は、基板上に設けられる凹凸構造と、その凹凸構造上の凹部に充填される基板よりも低屈折率の材料とから構成され、第2層が、第1層の屈折率よりも低屈折率の材料とから構成される。薄膜の干渉の原理を応用することで、Siなどの基板の反射率を低減させることができる。本技術が、固体撮像素子に適用することができる。 【選択図】図1

    光モジュール
    10.
    发明专利
    光モジュール 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021085903A

    公开(公告)日：2021-06-03

    申请号：JP2019212173

    申请日：2019-11-25

    申请人： 矢崎総業株式会社

    发明人： 安田 裕紀 ,  若林 知敬

    IPC分类号： G02B6/32 ,  H01L33/48 ,  H01L33/00 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232 ,  G02B6/42

    摘要： 【課題】光ハウジングの基板への接続信頼性が高い光モジュールを提供する。 【解決手段】光電変換素子2が実装された基板10と、基板10に固定され、光電変換素子2を内部空間21に収容する光ハウジング20とを備え、光ハウジング20は、光透過性の樹脂部材22と導電性の金属部材30が一体に設けられており、金属部材30は、内部空間21を囲む遮蔽プレート部31と、基板10に固定する端子部35とを有し、光ハウジング20は、前記金属部材30の少なくとも一部が前記樹脂部材22内に埋設されている。 【選択図】図2