公开(公告)号：KR20210031963A

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020217004883A

申请日：2019-06-28

申请人： 마이크로소프트 테크놀로지 라이센싱, 엘엘씨

发明人： 마이클 하틀리 프리드만 ,  헤크 버나드 반 ,  게오르그 볼프강 윈클러 ,  토르스텐 카직 ,  로만 럿친 ,  제페슨 피터 크록스트럽 ,  체탄 나야크 ,  찰스 마사메드 마커스 ,  사울리우스 바이티에케나스

IPC分类号： H01L39/22 ,  B82Y10/00 ,  G06N10/00 ,  H01L27/18 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L39/24

CPC分类号： G06N10/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L27/18 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66977 ,  H01L39/125 ,  H01L39/24 ,  H01L39/2406 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  H01L39/22

摘要： 본 개시는 양자 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 디바이스는, 어떤 길이의 반도체 재료 및 반도체 재료 상에 코팅되는 초전도체 재료의 코팅을 각각 포함하는 하나 이상의 반도체-초전도체 나노와이어를 포함한다. 나노와이어는 기판 위에 형성될 수도 있다. 제1 양태에서, 나노와이어 중 적어도 일부는, 와이어의 길이의 일부 또는 모두를 따라 반도체 재료의 전체 둘레 주위에 초전도체 재료가 코팅되는 풀 쉘 나노와이어인데, 디바이스는 풀 쉘 나노와이어 중 하나 이상의 활성 나노와이어에서 적어도 하나의 Majorana 제로 모드(MZM)를 유도하도록 동작 가능하다. 제2 양태에서, 나노와이어 중 적어도 일부는 완성된 디바이스에서 기판의 평면에 대해 수직으로 배열된다.

公开(公告)号：JP6422430B2

公开(公告)日：2018-11-14

申请号：JP2015503236

申请日：2013-03-08

申请人： サイプレス セミコンダクター コーポレーション

发明人： フレドリック ジェン ,  クリシュナスワミー ラムクマー

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786 ,  H01L27/11568

CPC分类号： H01L29/792 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7926

公开(公告)号：JP2018006756A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2017128716

申请日：2017-06-30

申请人： ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

发明人： 張 金 ,  魏 洋 ,  姜 開利 ,  ▲ハン▼ 守善

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01S5/32 ,  B82Y30/00 ,  H01L29/267 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/02606 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/0688 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0558

摘要： 【課題】ナノヘテロ接合構造を提供する。 【解決手段】ナノヘテロ接合構造100は、第一金属性カーボンナノチューブ102、半導体性カーボンナノチューブ104、半導体層106及び第二金属性カーボンナノチューブ108を含む。半導体層は、第一表面及び該第一表面と相対する第二表面を含み、第一金属性カーボンナノチューブ及び半導体性カーボンナノチューブが平行して間隔を置いて、第一表面に設置され、第二金属性カーボンナノチューブが第二表面に設置され、第一金属性カーボンナノチューブ及び半導体性カーボンナノチューブが第一方向に沿って延伸し、第二金属性カーボンナノチューブが第二方向に沿って延伸し、第二方向と第一方向とは、角度を成し、該角度が0°より大きく、且つ90°以下である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017526157A

公开(公告)日：2017-09-07

申请号：JP2016567589

申请日：2014-06-23

申请人： インテル・コーポレーション

发明人： ジュン、キミン ,  モロー、パトリック

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/522 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823885 ,  H01L23/528 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11273 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

摘要： 縦型トランジスタアーキテクチャを形成するための技術が開示される。いくつかの実施形態により、下層の相互接続レイヤの上方に半導体レイヤが配置され、対象とする特定の適用または最終用途で所望されるものに応じて、規則的、半規則的、または不規則的なアレイ内の複数の縦型半導体本体(例えば、複数のナノワイヤおよび/または他の三次元半導体構造)にパターン化される。その後、いくつかの実施形態により、縦型半導体本体の各々(または特定のサブセット)のアクティブなチャネル部分を囲むゲートレイヤが形成され、その後上層の相互接続レイヤが形成される。処理中、オプションで特定の縦型半導体本体が除去されてよく、いくつかの実施形態により、(1)ダミーチャネルを提供すべく、空にされる、または(2)ビア若しくは他の層間ルーティングを提供すべく、導電性プラグで置き換えられる、のうちのいずれかがなされる。複数回反復して処理を実行することで、例えば任意の標準および/またはカスタム構成のマルチレベルの/積層された縦型トランジスタ回路アーキテクチャを提供できる。

公开(公告)号：JPWO2015022777A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015531725

申请日：2014-08-12

申请人： 国立大学法人北海道大学 ,  国立研究開発法人科学技術振興機構

发明人： 孝志 福井 ,  克広 冨岡

IPC分类号： H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/20 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66522 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/401 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7391

摘要： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は、p型を呈するIV族半導体基板の(111)面上に、III−V族化合物半導体ナノワイヤが配置され、ソース、ドレイン、およびゲートの各電極が適宜に配置され、または、n型を呈するIV族半導体基板の(111)面上に、III−V族化合物半導体ナノワイヤが配置され、ソース、ドレイン、およびゲートの各電極が適宜に配置され、構成されている。当該ナノワイヤは、第1の領域と第2の領域とによって構成されている。たとえば、第1の領域はp型ドーパントで断続的にドープされ、第2の領域はn型ドーパントでドープされている。

摘要翻译： 隧道场效应晶体管（TFET）是被布置在适当发挥p型，设置在III-V族化合物半导体纳米线，源极，漏极，和栅极的每个电极的表面上的第IV族半导体衬底（111） 或者，显示出n型表面上的所述IV族半导体基板（111），设置在III-V族化合物半导体纳米线，源极，漏极，和栅极的每个电极被适当地定位，被构造。 纳米线由第一和第二区域构成。 例如，第一区域被间歇地掺杂有p型掺杂剂，所述第二区域掺杂有n型掺杂剂。

公开(公告)号：JP2016528552A

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：JP2016533492

申请日：2014-08-11

申请人： ゼーナ テクノロジーズ,インク.Zena Technologies,Inc. ,  ゼーナ テクノロジーズ,インク.Zena Technologies,Inc.

发明人： ユー，ヨンジュン ,  ウォーバー，ムニーブ

IPC分类号： G02B5/20 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/14 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14621 ,  B82Y20/00 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14875 ,  H01L29/0676

摘要： 本明細書では、カラーフィルターアレイ装置及びカラーフィルターアレイ装置を作製する方法を開示する。カラーフィルターアレイは、複数の画素を配置した基板、複数の画素の各々に関連付けられ、各々が基板から実質的に垂直に延在する一又は複数のナノワイヤ、一又は複数のナノワイヤの各々に関連付けられた光学カプラを含んでもよい。カラーフィルターアレイを作製する方法は、各々が基板から実質的に垂直に延在するナノワイヤのアレイを作製する工程、ナノワイヤを実質的に封入するための透明ポリマーを配設する工程、基板からナノワイヤを取り外す工程、複数の画素を有する画素アレイを提供し、硬質ポリマーが画素アレイの画像面を実質的に覆う工程、画素アレイ上にナノワイヤのアレイを配設する工程、及び前記ナノワイヤを封入する透明ポリマーを除去する工程を含んでもよい。

摘要翻译： 本说明书公开了一种制造一个彩色滤光器阵列装置和滤色器阵列装置的方法。 布置有多个像素的滤色器阵列基板，其中每个多个像素，一个或多个纳米线，每个都从衬底延伸基本垂直的相关联，其中每个所述一个或多个纳米线的相关联的 并且其可以包括光学耦合器。 一种制造彩色滤光器阵列的方法包括的各步骤，以产生从所述基板，在透明聚合物基本上包围所述纳米线，纳米线从衬底的步骤基本上垂直延伸的纳米线阵列 去除步骤中，透明聚合物是提供一种具有多个像素的像素阵列，包封硬质聚合物是基本上步骤覆盖像素阵列的图像表面，布置所述像素阵列上的纳米线阵列的步骤，并且所述纳米线 它可以包括去除的步骤。

公开(公告)号：JP5918778B2

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：JP2013538874

申请日：2011-11-10

申请人： アメリカ合衆国

发明人： ペールソン、ペール イー ,  フィールド、クリストファー ,  イン、ヒュンジン

IPC分类号： B82Y30/00 ,  G01N27/12

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  G01N27/127 ,  G01N27/4146 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/456 ,  G01R1/06744 ,  H01L2924/0002

公开(公告)号：JP2016009869A

公开(公告)日：2016-01-18

申请号：JP2015125995

申请日：2015-06-23

申请人： インフィネオン テクノロジーズ アーゲー ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： サンドウ, クリスティアン フィリップ ,  ニーダーノストハイデ, フランツ ヨーゼフ ,  ファン トゥリーク, ヴェラ

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/1095 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7396

摘要： 【課題】 絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ・デバイス、半導体デバイス、および前記デバイスを形成するための方法を提供する。 【解決手段】 絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ・デバイス100は、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ構造体のドリフト領域112を含む半導体基板を備える。さらに、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ・デバイス100は、第1のナノワイヤ構造体120、および第1のゲート構造体130を備える。絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ構造体の第1のナノワイヤ構造体120は、ドリフト領域112に接続されている。さらに、絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ構造体の第1のゲート構造体130は、第1のナノワイヤ構造体120の少なくとも一部分に沿って延在する。 【選択図】 図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供绝缘栅双极晶体管器件，半导体器件和用于形成绝缘栅双极晶体管器件或半导体器件的方法。解决方案：绝缘栅双极晶体管器件100包括半导体衬底，其包括漂移区 112是绝缘栅双极晶体管结构。 此外，绝缘栅双极晶体管器件100包括第一纳米线结构120和第一栅极结构130.绝缘栅双极晶体管结构的第一纳米线结构120连接到漂移区112.此外，第一栅结构130 绝缘栅双极晶体管结构沿着第一纳米线结构120的至少一部分延伸。

公开(公告)号：JP5807044B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：JP2013168662

申请日：2013-08-14

申请人： クナノ アーベー ,  QuNano AB

发明人： セイフェルト, ウェルナー ,  アソリ, ダミール ,  ビ, ツァオシア

IPC分类号： C30B25/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32 ,  C30B29/62

CPC分类号： H01L33/0075 ,  B82Y10/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/20 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  B82Y40/00 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  Y10S977/932

公开(公告)号：JP2015529006A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：JP2015519381

申请日：2013-07-05

申请人： クナノ・アーベー

发明人： ヴェルネルソン，ラース−エリク ,  リンド，エリク ,  オルソン，ヨナス ,  ラース サミュエルソン， ,  ラース サミュエルソン， ,  ビョーク，ミカエル ,  テランデル，クラエス ,  デイ，アニル

IPC分类号： H01L21/329 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/88 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L27/0629 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/122 ,  H01L29/205 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/885 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/06 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  Y02E10/50

摘要： 径方向ナノワイヤエサキダイオードデバイスは、第1の導電型の半導体コア、および第1の導電型と異なる第2の導電型の半導体シェルを含む。本デバイスは、TFETまたは太陽電池であってもよい。

摘要翻译： 径向纳米线江崎二极管器件包括：第一导电型的半导体芯，以及在第一导电类型与第二导电类型半导体壳不同。 此装置可以是或TFET的太阳能电池。