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    マルチ電子ビーム画像取得装置及びマルチ電子ビーム画像取得方法
    1.
    发明专利
    マルチ電子ビーム画像取得装置及びマルチ電子ビーム画像取得方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021197263A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020102169

    申请日：2020-06-12

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 井上 和彦 ,  小笠原 宗博

    IPC: H01J37/05 ,  H01J37/29 ,  H01J37/244

    Abstract: 【目的】マルチ1次電子ビームから分離されるマルチ2次電子ビームの広がりを抑制可能な装置を提供する。 【構成】本発明の一態様のマルチ電子ビーム画像取得装置は、マルチ1次電子ビームを形成する成形アパーチャアレイ基板203と、マルチ1次電子ビームで試料面を照射する1次電子光学系151と、マルチ1次電子ビームの各1次電子ビームの像面共役位置に配置され、電場と磁場とを互いに直交する方向に形成し、電場と磁場の作用を用いて、マルチ1次電子ビームの照射に起因して試料面から放出されるマルチ2次電子ビームをマルチ1次電子ビームから分離すると共に、電場と磁場の少なくとも一方の場内でマルチ2次電子ビームに対してレンズ作用を有するビームセパレーター214と、マルチ2次電子ビームを検出するマルチ検出器222と、マルチ2次電子ビームをマルチ検出器に導く2次電子光学系152と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図1

    荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム
    5.
    发明专利
    荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法及びプログラム 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020095743A1

    公开(公告)日：2021-10-07

    申请号：JP2019042111

    申请日：2019-10-28

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 野村 春之 ,  中山田 憲昭

    IPC: G03F7/20 ,  H01J37/305 ,  H01L21/027

    Abstract: 帯電現象による位置ずれを高精度に補正する。荷電粒子ビーム描画装置(100)は、パターン密度分布及びドーズ量分布を用いて荷電粒子ビームの照射量分布を算出する照射量分布算出部(33)と、複数のかぶり荷電粒子の分布関数の各々と、照射量分布とをそれぞれ畳み込み積分することで、複数のかぶり荷電粒子量分布を算出するかぶり荷電粒子量分布算出部(34)と、パターン密度分布、ドーズ量分布及び照射量分布を用いて、直接帯電による帯電量分布を算出し、複数のかぶり荷電粒子量分布を用いて、複数のかぶり帯電による帯電量分布を算出する帯電量分布算出部(35)と、直接帯電による帯電量分布及び複数のかぶり帯電による帯電量分布に基づく描画位置の位置ずれ量を算出する位置ずれ量算出部(38)と、位置ずれ量を用いて、照射位置を補正する補正部(42)と、補正された照射位置に荷電粒子ビームを照射する描画部(150)と、を備える。

    反り測定装置、気相成長装置および反り測定方法
    9.
    发明专利
    反り測定装置、気相成長装置および反り測定方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021118361A

    公开(公告)日：2021-08-10

    申请号：JP2021007963

    申请日：2021-01-21

    Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー

    Inventor： 家近 泰

    IPC: C23C16/52 ,  H01L21/31

    Abstract: 【課題】簡易な光学構成で精度よく測定対象物の反りを測定する。 【解決手段】反り測定装置は、偏光方向が相違する2つの光信号を測定対象物に向けて出射する照射部と、前記測定対象物にて反射された前記2つの光信号をそれぞれ異なるタイミングで受光する受光部と、前記受光部で受光された前記2つの光信号の受光位置に基づいて、前記測定対象物の反りを検出する反り検出器と、前記2つの光信号の光路上に配置され、前記2つの光信号を交互に選択して光路上に導く光選択部と、を備える。 【選択図】図1

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