-
公开(公告)号：JP2021197263A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020102169
申请日：2020-06-12
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: H01J37/05 , H01J37/29 , H01J37/244
Abstract: 【目的】マルチ1次電子ビームから分離されるマルチ2次電子ビームの広がりを抑制可能な装置を提供する。 【構成】本発明の一態様のマルチ電子ビーム画像取得装置は、マルチ1次電子ビームを形成する成形アパーチャアレイ基板203と、マルチ1次電子ビームで試料面を照射する1次電子光学系151と、マルチ1次電子ビームの各1次電子ビームの像面共役位置に配置され、電場と磁場とを互いに直交する方向に形成し、電場と磁場の作用を用いて、マルチ1次電子ビームの照射に起因して試料面から放出されるマルチ2次電子ビームをマルチ1次電子ビームから分離すると共に、電場と磁場の少なくとも一方の場内でマルチ2次電子ビームに対してレンズ作用を有するビームセパレーター214と、マルチ2次電子ビームを検出するマルチ検出器222と、マルチ2次電子ビームをマルチ検出器に導く2次電子光学系152と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2020205160A
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2019111578
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: H01J37/28 , H01J37/153
Abstract: 【目的】多極子レンズの各電極自体の厚みを薄くすることが可能な、マルチ電子ビーム用の多極子レンズをアレイ配置する収差補正器を提供する。 【構成】本発明の一態様の収差補正器220は、マルチ電子ビームが通過する、第1の孔径の複数の第1の通過孔が形成され、複数の第1の通過孔の周囲上面に第1の通過孔毎に個別にそれぞれ4極以上の複数の電極が配置された下部電極基板14と、下部電極基板上に配置され、上面から裏面に向かう途中まで第2の孔径となり、かかる途中から裏面まで、第1と第2の孔径よりも大きい第3の孔径になる、マルチ電子ビームが通過する複数の第2の通過孔が形成され、複数の第2の通過孔の内壁にシールド電極が配置された上部電極基板10と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図6
-
公开(公告)号：JP2020145184A
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：JP2020019840
申请日：2020-02-07
IPC: H01J37/29 , H01J37/05 , H01J37/244 , H01J37/12 , H01J37/153 , H01J37/28
Abstract: 【課題】マルチ1次電子ビームの像面湾曲を補正可能な照射装置及び方法を提供する。 【解決手段】マルチ1次電子ビーム20を形成する成形アパーチャアレイ基板203と、マルチ1次電子ビーム20の通過位置に合わせて、マルチ1次電子ビーム20の各ビームを個別に通過させる、複数の径寸法の複数の開口部が各々形成され、マルチ1次電子ビーム20の各ビームの像面共役位置を径寸法に応じて調整可能な複数段の電極基板より構成される収差補正器204と、複数段の電極基板を通過したマルチ1次電子ビーム20が照射される試料101を載置するXYステージ105と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2019204694A
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：JP2018099312
申请日：2018-05-24
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: H01J37/09 , H01J37/141 , H01J37/04 , H01J37/28
Abstract: 【目的】マルチ電子ビームを用いて画像を取得する装置の電子光学系において、電磁レンズと収差補正器との間隔が狭い場合でも軸調整が可能な装置について説明する。 【構成】本発明の一態様のマルチ電子ビーム画像取得装置は、電磁レンズ221の磁場中に配置され、マルチ電子ビームの収差を補正する収差補正器230と、マルチ電子ビームの進行方向に対して収差補正器よりも上流側に配置され、マルチ電子ビームのうち個別ビームを選択的に単独で通過させる移動可能なビーム選択アパーチャ基板240と、収差補正器を載置する移動可能な収差補正器ステージ232と、選択的に通過させられた個別ビームに起因する像を用いて、電磁レンズとの相対的な位置合わせが成されたマルチ電子ビームに対して、収差補正器の位置を合わせるようにステージを移動させるステージ制御回路132と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP6431786B2
公开(公告)日：2018-11-28
申请号：JP2015035796
申请日：2015-02-25
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
CPC classification number: G06T7/001 , G06T2207/30148
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2020087788A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018222443
申请日：2018-11-28
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
Abstract: 【課題】連続移動する基板にマルチビームをフォーカスさせて画像を取得する装置において、2次電子を高精度に検出可能な装置を提供する。 【解決手段】対物レンズの磁場中に1つが配置され、ステージの移動に伴い生じる基板面の基準位置からのマルチ1次電子ビームのフォーカス位置のずれと、マルチ1次電子ビームのフォーカス位置のずれ量を補正することにより生じる、基板面におけるマルチ1次電子ビームの回転変動量と倍率変動量とをダイナミックに補正する3つ以上の第1の静電レンズ群230,232,234と、第1の静電レンズ群により補正されたマルチ1次電子ビームが基板に照射されたことに起因して基板から放出され、第1の静電レンズ群の少なくとも1つの静電レンズを通過するマルチ2次電子ビームの像の回転変動量と倍率変動量とをダイナミックに補正する2つ以上の第2の静電レンズ群231,233,235と、を備える。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2020009755A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：JP2019112525
申请日：2019-06-18
Inventor： 井上 和彦 , 小笠原 宗博 , スティーブン ゴラデイ
IPC: H01J37/12 , H01J37/28 , H01L21/66 , H01J37/141
Abstract: 【課題】試料高さに合わせてフォーカスを変えた時の倍率と回転の変動を静電レンズを用いて補正する制御を簡易化する。 【解決手段】第1の電磁レンズ207は基板101面の高さ位置にレンズ磁場中心が位置するように配置されマルチ電子ビームを基板にフォーカスする。負電位が印加される基板101、制御電極254、グランド電極252は、第1の静電レンズを構成し、基板面の高さ位置の変動に合わせてマルチ電子ビームを基板101にダイナミックにフォーカスする。制御電極254は第1の電磁レンズ207によるレンズ磁場の最大磁場よりもマルチビームの軌道中心軸の上流側に配置され、グランド電極252は制御電極254よりも軌道中心軸の上流側に配置される。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2017053674A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015176536
申请日：2015-09-08
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: G03F1/84 , G01N21/956 , G01B11/02
CPC classification number: G06T7/001 , G06T2207/30148
Abstract: 【課題】フォーカス位置の追従誤差が生じても高精度なCDずれの測定が可能な測定方法を提供する。 【解決手段】パターン幅寸法のずれ量測定方法は、マスク基板101に形成された複数の図形パターンの光学画像を取得する工程と、設計データに基づいて、光学画像に対応する領域の参照画像を作成する工程と、図形パターンの設計幅寸法を含む設計寸法情報に応じて可変に設定された、幅寸法への焦点位置の影響がより小さくなる階調値レベルの検出閾値を用いて、光学画像の階調値プロファイルデータから複数の図形パターンの幅寸法を計測する工程と、かかる検出閾値を用いて、参照画像の階調値プロファイルデータから参照画像内の複数の図形パターンの幅寸法を計測する工程と、光学画像内の計測された図形パターンの幅寸法毎に、参照画像内の計測された対応する図形パターンの幅寸法からの寸法ずれ量ΔCDを演算し、出力する工程と、を備えた。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP2016156746A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015035796
申请日：2015-02-25
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
IPC: H01L21/027 , G03F1/70 , G06T1/00 , G01B11/02
CPC classification number: G06T7/001 , G06T2207/30148
Abstract: 【課題】正確な線幅誤差を取得する方法、線幅誤差取得装置および検査システムを提供する。 【解決手段】光源103aからの光をマスクMaに形成されたパターンに照明し、このパターンの光学画像データを取得する。参照画像データの信号量の最小値と最大値を所定の比率で内分する閾値に等しい光学画像データの信号量の位置をパターンのエッジとし、このパターンの線幅の一方のエッジと他方のエッジとを構成するエッジペアを検出し、これを用いて光学画像データのパターンの線幅を求め、この線幅と、光学画像データに対応する参照画像データのエッジペアを用いて得られるパターンの線幅との差である線幅誤差を取得する。光源103aの光量が変動した場合には、閾値を新たに指定し、光学画像データにおいて、新たな閾値に等しい信号量の位置をパターンのエッジとする。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种获取正确的线宽误差的方法，线宽误差获取装置和检查系统。解决方案：线宽度误差获取方法用来自光源的光照射形成在掩模Ma上的图案 103a以获取图案的光学图像数据，定义具有等于内部将参考图像数据的信号量的最小值和最大值以规定百分比内部的阈值的光学图像数据的信号量定位为边缘 检测构成一个边缘的边缘对和图案的线宽的另一个边缘，通过使用边对来获得光学图像数据的图案的线宽，以获得线宽度误差，作为 通过使用对应于光学图像数据的参考图像数据的边缘对获得的图案的线宽和线宽。 当光源103a的光量波动时，具有等于新阈值的信号量的位置被定义为光学图像数据中的图案的边缘。图1
-
公开(公告)号：JP2021169972A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2020073481
申请日：2020-04-16
Applicant: 株式会社ニューフレアテクノロジー
Inventor： 井上 和彦
IPC: H01J37/22 , H01J37/28 , H01J37/244 , H01L21/66 , G01N23/2251
Abstract: 【目的】検査時間の増加を抑制しながら、画像取得動作途中でのマルチビームの各ビームの電流量の変動を測定可能な装置を提供する。 【構成】本発明の一態様の検査装置100は、マルチ1次電子ビームを形成する成形アパーチャアレイ基板203と、マルチ1次電子ビームを偏向することにより、パターンが形成された試料面上をマルチ1次電子ビームで走査する主偏向器208及び副偏向器219と、マルチ1次電子ビームで試料面上を走査することに起因して放出されるマルチ2次電子ビームを検出するマルチ検出器222と、試料面上の走査を待機する走査待機時間に同期して、マルチ1次電子ビームを一括して偏向する一括偏向器212と、走査待機時間に同期して、偏向された前記マルチ1次電子ビームの電流値を検出するマルチ電流検出器215と、検出されたマルチ2次電子ビームに基づくパターンの第1の画像と、第1の画像に対応する第2の画像とを比較する比較回路108と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.032 seconds)
