公开(公告)号：JP2021153051A

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：JP2021048709

申请日：2021-03-23

Applicant: エフ イー アイ カンパニ ,  FEI COMPANY

Inventor： クン リウ ,  スティーブン ジェイ.ランドルフ

IPC: H01J37/28 ,  H01J1/148 ,  H01J1/18 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04 ,  H01J9/18 ,  H01J37/06

Abstract: 【課題】重大な劣化なしに、かつ構造の他の要素によって加えられる圧縮力でエミッタを所定の位置にクランプまたは保持する必要なしに、ビーム生成エミッタと荷電粒子ビーム(CPB)システムの光軸との改善された位置合わせ、ならびに高温での長期の安定した信頼性のある動作をする荷電粒子ビーム(CPB)源の提供。 【解決手段】荷電粒子ビーム源は、ベースに連結された導電性支持部材208と、支持部材208に連結されボアを画定する取り付け部材216と、ボア内に受容されたエミッタ部材224であって、エミッタ部材224はボア内のエミッタ部材224の周りに流される固定材料層242によって保持される。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6922054B2

公开(公告)日：2021-08-18

申请号：JP2020135113

申请日：2020-08-07

Applicant: 株式会社コベルコ科研

Inventor： 古賀 健治 ,  高木 敏晃 ,  工藤 史晃 ,  草道 龍彦

IPC: C30B29/52 ,  C30B13/22 ,  C01G55/00 ,  H01J19/24 ,  H01J19/064 ,  C22C5/04 ,  H01J1/144 ,  H01J9/02 ,  H01J9/04 ,  H01J1/304

公开(公告)号：JP6826310B2

公开(公告)日：2021-02-03

申请号：JP2016217085

申请日：2016-11-07

Applicant: ウシオ電機株式会社

Inventor： 森 和之 ,  富永 健二

IPC: H01J9/02 ,  H01J61/073

公开(公告)号：JP6818394B2

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：JP2016188070

申请日：2016-09-27

Applicant: 株式会社オーク製作所

Inventor： 早川 壮則 ,  小平 宏 ,  芹澤 和泉

IPC: H01J9/02 ,  H01J61/073

公开(公告)号：JPWO2019107113A1

公开(公告)日：2020-07-02

申请号：JP2018041601

申请日：2018-11-09

Applicant: 国立研究開発法人物質・材料研究機構

Inventor： 唐 捷 ,  元 金石 ,  秦 禄昌

IPC: H01J9/02 ,  H01J37/073 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J1/304

Abstract: 本発明は、電子を高効率に安定して放出する炭化ハフニウム(HfC)単結晶からなるエミッタ、その製造方法およびそれを用いた電子銃および電子機器を提供することを目的とする。 本発明のナノワイヤを備えたエミッタは、ナノワイヤが、炭化ハフニウム(HfC)単結晶からなり、ナノワイヤの長手方向は、炭化ハフニウム単結晶の の結晶方向に一致し、ナノワイヤの電子を放出すべき端部は、炭化ハフニウム単結晶の(200)面と{311}面とからなり、(200)面を中心とし、{311}面が(200)面を包囲している。

公开(公告)号：JP6694515B2

公开(公告)日：2020-05-13

申请号：JP2018544636

申请日：2016-10-13

Applicant: 株式会社日立ハイテク

Inventor： 糟谷 圭吾 ,  荒井 紀明 ,  楠 敏明 ,  大嶋 卓 ,  橋詰 富博 ,  酒井 佑輔

IPC: H01J37/06 ,  H01J9/02 ,  H01J37/073

公开(公告)号：JP6685341B2

公开(公告)日：2020-04-22

申请号：JP2018069646

申请日：2018-03-30

Applicant: シャープ株式会社

Inventor： 中松 健一郎 ,  田口 登喜生 ,  新川 幸治 ,  高崎 まい ,  岩松 正

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

公开(公告)号：JPWO2018105559A1

公开(公告)日：2019-10-24

申请号：JP2017043491

申请日：2017-12-04

Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  ステラケミファ株式会社

Inventor： 田路 和幸 ,  佐藤 義倫 ,  尾本 洋次 ,  佐藤 良憲 ,  石丸 慧 ,  松下 浩典 ,  山本 雅士 ,  西田 哲郎

IPC: C01B32/182 ,  C01B32/168 ,  C01B32/159 ,  C01B32/194 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J9/02 ,  H01B1/04 ,  C01B32/158

Abstract: 電気伝導性に優れた炭素材料、その製造方法及び電子放出材料を提供する。 本発明にかかる炭素材料は、炭素六員環ネットワークを有する炭素材料であって、前記炭素六員環ネットワーク中に、再配列構造である炭素五員環構造と炭素七員環構造がそれぞれ組み込まれていることを特徴とする。

公开(公告)号：JP2019145443A

公开(公告)日：2019-08-29

申请号：JP2018030577

申请日：2018-02-23

Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンス

Inventor： 中島 陽子 ,  川浪 義実 ,  守谷 宏範 ,  大庭 弘

IPC: H01J9/02

Abstract: 【課題】エミッターの素材が種々多様な場合であっても、エミッターの先端を好ましい形状に成形することができるエミッターの作製方法を提供すること。 【解決手段】エミッターの作製方法は、導電性のエミッター素材の先端部を電解研磨加工し、先端に向かって漸次縮径するように加工する工程と、当該工程により加工されたエミッター素材における加工部位に荷電粒子ビームを照射してエッチング加工を行い、先端を頂点とした角錐状の先鋭部を形成する工程と、当該工程により当該先鋭部が形成されたエミッター素材の表面をスパッタリング加工し、荷電粒子ビームによるエッチング加工の痕跡を取り除く工程と、当該工程により当該痕跡を取り除かれたエミッター素材の当該先鋭部における先端の結晶構造を電界イオン顕微鏡で観察しながら、当該先端を電界誘起ガスエッチング加工によりさらに先鋭化させ、その最先端を構成する原子数を一定数以下とさせる工程とを有する。 【選択図】図5

公开(公告)号：JP2019071260A

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：JP2017197923

申请日：2017-10-11

Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所

Inventor： 村上 勝久 ,  長尾 昌善

IPC: H01J9/02 ,  H01J61/06 ,  H01J61/067 ,  H01J1/30

Abstract: 【課題】多方向に電子を放出可能で電子放出効率の優れた電子源、及びこれを用いた電子線照射装置、並びに電子源の製造方法を提供する。 【解決手段】第1の電極と、絶縁膜からなる電子加速層と、第2の電極とが積層された構造を備える電子源であって、表面が電子放出面を構成する前記第2の電極は、グラフェン膜又はグラファイト膜であり、前記第1の電極及び前記第2の電極の一部又は全部が、曲面を有し、前記電子放出面が曲面である電子源とすることにより、多方向に電子を放出可能とする。 【選択図】図1