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    Mg系材形成材料、Mg系材形成方法、及び新規化合物
    3.
    发明专利
    Mg系材形成材料、Mg系材形成方法、及び新規化合物 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017066043A

    公开(公告)日：2017-04-06

    申请号：JP2015189559

    申请日：2015-09-28

    Applicant: 気相成長株式会社

    Inventor： 町田 英明 ,  石川 真人 ,  須藤 弘

    IPC: C01B21/06 ,  C07C257/14

    Abstract: 【課題】高品質なMg系材(例えば膜)の形成のために、蒸留可能な液体のMg錯体の提供。 【解決手段】ビス(N,N’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート)マグネシウム。前記化合物は、新規化合物であり、25℃で液体であり、簡単な蒸留操作により高純度品を得ることが出来、これを用いた化学気相成長方法(CVD法)又は原子層制御成長方法(ALD法)によって、高純度なMg系膜(例えば、Mg膜、MgO膜、Mg3N2膜、MgB2膜等)を形成する事が出来る。 【選択図】なし

    成膜装置
    4.
    发明专利
    成膜装置 审中-公开
    沉积装置

    公开(公告)号：JP2014207301A

    公开(公告)日：2014-10-30

    申请号：JP2013083468

    申请日：2013-04-12

    Applicant: 気相成長株式会社 ,  Gas-Phase Growth Ltd

    Inventor： MACHIDA HIDEAKI ,  ISHIKAWA MASATO ,  SUDO HIROSHI

    IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

    Abstract: 【課題】探索作業を、低価格、かつ、簡単に行える技術を提供することである。【解決手段】熱伝導性良好材からなる第1チャンバと、前記第1チャンバを加熱するヒータと、前記第1チャンバの内側に設けられた第2チャンバと、前記第2チャンバに接続された成膜原料供給部と、前記第2チャンバに接続され、該第2チャンバ内の気体を排気する排気部と、前記成膜原料供給部からの成膜原料が内部に供給されると共に前記排気部によって内部の気体が排気される開口部を有し、前記第2チャンバ内に設けられた反応チャンバと、前記第2チャンバと前記反応チャンバとの間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを具備する成膜装置。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供容易且成本低廉地进行筛选的技术。解决方案：一种沉积设备，包括：由具有优异导热性的材料构成的第一室; 用于加热第一室的加热器; 设置在第一室内的第二室; 连接到第二室的沉积材料供给单元; 连接到第二室的排气单元和排出第二室中的气体; 反应室，其中来自沉积材料供应单元的沉积材料供应在其内部，具有开口，内部气体由该排气单元排出，并设置在第二室中; 以及用于将惰性气体供应到第二室和反应室之间的空间的惰性气体供应单元。

    銅系膜形成方法、銅系膜形成材料
    7.
    发明专利
    銅系膜形成方法、銅系膜形成材料 有权
    铜基膜形成方法中，铜基成膜材料

    公开(公告)号：JP5734540B1

    公开(公告)日：2015-06-17

    申请号：JP2015509228

    申请日：2014-11-12

    Applicant: 気相成長株式会社

    Inventor： 町田 英明 ,  石川 真人 ,  須藤 弘 ,  近藤 英一

    IPC: C23C26/00

    CPC classification number: C23C2/04 ,  C23C16/18 ,  C23C18/08

    Abstract: 超臨界流体中で基体上に銅系膜を形成する方法であって、超臨界流体中に(N,N’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート)銅2量体を溶解し、基体上に銅を堆積させ、銅系膜を形成する。

    Abstract translation: 在超临界流体在衬底上形成一铜基的膜，在超临界流体（N，N'-二异丙基丙酰胺脒）的方法溶解铜二聚体，在衬底上沉积铜 它是形成铜基膜。

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