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发明专利
炭化ケイ素上のMOSFETチャネルにおけるキャリアの移動度を改善する装置审中-公开

公开(公告)号：JP2022501838A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021538930

申请日：2019-09-06

申请人： イオンビームサービス , セ・エネ・エメ−セ・エセ・イ・セ , CNM−CSIC

发明人： トレグロッサ、フランク , ルー、ローラン , ゴディニョン、フィリップ

IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

摘要： 本発明は、基板(10)上に配置されたMOSFET装置に関する。該装置は、第1及び第2の接点(13及び15)に覆われ、重度にドーピングされた第1及び第2のストリップ(11及び14)を備え、上記の2個のストリップは、該基板(10)上に存在するチャネル(18)によって隔てられ、該チャネルは絶縁層(20)に覆われ、該絶縁層の上には第3の接点(21)が備わる。該装置は、該チャネルは該絶縁層との境界に軽度にドーピングされた薄膜(19)を備え、該薄膜は該チャネルと同じ型のドーピング原子を備え、該ドーピング原子は該境界の両側に分布することを特徴とする。【選択図】図1