公开(公告)号：JP2011514660A

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：JP2010545062

申请日：2009-01-23

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： ジェイコブ グレイソン ,  ジエ スー ,  ロナルド スティーブンス ,  サンディープ ニジュハワン ,  デビッド ボウア ,  ローリ ディー ワシントン

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/52

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/303 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207

Abstract: A method and apparatus are provided for monitoring and controlling substrate processing parameters for a cluster tool that utilizes chemical vapor deposition and/or hydride vapor phase epitaxial (HVPE) deposition. In one embodiment, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) process is used to deposit a Group III-nitride film on a plurality of substrates within a processing chamber. A closed-loop control system performs in-situ monitoring of the Group III-nitride film growth rate and adjusts film growth parameters as required to maintain a target growth rate. In another embodiment, a closed-loop control system performs in-situ monitoring of film growth parameters for multiple processing chambers for one or more film deposition systems.

公开(公告)号：JP2011511459A

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：JP2010545050

申请日：2009-01-13

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： スメドヒ アチャリヤ ,  ジェイコブ グレイソン ,  ロナルド スティーブンス ,  アレクサンダー タム ,  サンディープ ニジュハワン ,  ブライアン エイチ バロウズ ,  ジョシュア ジェー ポデスタ ,  ローリ ディー ワシントン

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本発明の実施形態は概して、基板上への化学気相蒸着（ＣＶＤ）のための方法及び装置、特には有機金属化学気相蒸着における使用のための処理チャンバ及び部品に関する。 本装置は、処理容積を画成するチャンバ本体を備える。 第１平面のシャワーヘッドが、処理容積の上部を画成する。 第２平面のキャリアプレートが処理容積を横断して延び、シャワーヘッドとサセプタプレートとの間に上方処理容積を形成する。 第３平面の透明材が処理容積の底部を画成し、キャリアプレートとの間で下方処理容積を形成する。 複数のランプが、透明材の下に位置する１つ以上のゾーンを形成する。 本装置は、より大型の基板全体で温度を均一に維持しながらも均等な前駆体流れと前駆体の混合をもたらし、これに対応してスループットが上昇する。