公开(公告)号：KR20210028744A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：KR1020217006706A

申请日：2013-11-15

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 조셉 엠. 라니쉬 ,  폴 브릴하르트 ,  호세 안토니오 마린 ,  사티쉬 쿠푸라오 ,  발라수브라마니안 라마찬드란 ,  스와미나탄 티. 스리니바산 ,  메흐메트 투그룰 사미르

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/324 ,  C30B25/105 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481 ,  C23C16/52 ,  C30B25/08 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  G01J5/0007 ,  G01J5/10 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/683 ,  H01L22/10 ,  H01L22/20 ,  G01J2005/106

Abstract: 반도체 기판을 처리하기 위한 방법 및 장치가 기재되어 있다. 이 장치는, 광학적으로 투명한 상부 돔 및 하부 돔을 갖는 프로세스 챔버이다. 처리 동안 프로세스 챔버 내에서 진공이 유지된다. 상부 돔은 처리 영역 외부에서 상부 돔을 따라 열 제어 유체를 유동시킴으로써 열 제어된다. 열 램프들은 하부 돔 부근에 위치되고, 열 센서들은 램프들 사이에 배치된다. 램프들에는 구역별로 전력이 공급되고, 제어기가 열 센서들로부터 수신된 데이터에 기초하여 램프 구역들에 대한 전력을 조절한다.

公开(公告)号：JP2016537504A

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：JP2016523311

申请日：2014-10-17

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated ,  アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

Inventor： アンドレアス ザウアー， ,  アンドレアス ザウアー， ,  ユルゲン ヘンリッヒ， ,  ユルゲン ヘンリッヒ， ,  トーマス デピッシュ， ,  トーマス デピッシュ， ,  ディルク ヴァーグナー， ,  ディルク ヴァーグナー，

IPC: C23C14/56 ,  C23C16/46

CPC classification number: B05D1/60 ,  B05C1/003 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67739

Abstract: 材料を基板(110;640)上に堆積させるための堆積装置(100;600)が記載される。堆積装置は、真空チャンバ(120);真空チャンバ(120)内部のローラデバイス(200;300;400;500;604);ローラデバイス(200;300;400;500;604)内部の電気加熱デバイス(61;220;320;420;520)を含み、前記加熱デバイスが、第1の端(250)及び第2の端(260)を備え、加熱デバイスが、第1の端及び第2の端で保持される。また、真空堆積装置の中で基板を加熱するための方法が記載される。【選択図】図2

Abstract translation: 用于沉积到沉积装置;（640 110）的材料衬底（100; 600）进行说明。 沉积设备中，真空室（120）;一个真空室（120）的辊子装置（200; 300; 400; 500; 604）;内滚子装置（200; 300; 400; 500; 604）的电加热装置的内部（ 61; 220; 320; 420; 520）包括所述加热装置包括第一端（250）和第二端（260），所述加热装置是在第一端部和第二端部 这是举行。 此外，描述了一种用于加热在真空蒸镀装置的基板的方法。 .The

公开(公告)号：JP2016184733A

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：JP2016061888

申请日：2016-03-25

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： 大木 慎一 ,  森 義信

IPC: C23C16/455 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/08 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  F24C15/10 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/68785

Abstract: 【課題】エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素を提供すること。 【解決手段】反応チャンバは、シーリング板によって画定および形成される。反応物ガスは、側壁に配された反応物ガス供給経路内で、反応チャンバ内の反応物ガスの流動方向の水平成分が、反応物ガス供給経路の開口の中心から延びる方向の水平成分に対応するように整流される。エピタキシャル成長装置の上部側壁、サセプタおよび整流板を改良した結果、基板上に形成されるエピタキシャル層の均一性および形成速度が向上し、その結果、スループットがより大きくなり、欠陥が減少した。 【選択図】図24A

Abstract translation: 要解决的问题：为外延生长装置提供腔室部件。解决方案：由顶板限定和形成反应室。 在设置在侧壁中的反应气体供给路径中对反应气体进行精馏，使得反应室内的反应气体的流动方向上的水平分量对应于从 反应气供应路径。 外延生长装置的上侧壁，感受器和整流板的改进已经导致在基板上形成的外延层的均匀性和形成速度的改善，导致更高的生产量和更低的缺陷。图24A

公开(公告)号：JP3204579U

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：JP2016001364

申请日：2016-03-25

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： 大木 慎一 ,  森 義信

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  C30B25/14 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/08 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B29/06 ,  F24C15/10 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/68785

Abstract: 【課題】エピタキシャル成長装置用のチャンバ構成要素である整流板を提供する。 【解決手段】反応チャンバ2は、シーリング板21によって画定および形成される。反応物ガスは、側壁4に配された反応物ガス供給経路41内で、反応チャンバ内の反応物ガスの流動方向の水平成分が、反応物ガス供給経路の開口の中心から延びる方向の水平成分に対応するように整流される。エピタキシャル成長装置1の上部側壁31、サセプタ3および整流板56を改良した結果、基板W上に形成されるエピタキシャル層の均一性および形成速度が向上し、その結果、スループットがより大きくなり、欠陥が減少した。 【選択図】図1

Abstract translation: 为了提供一个整流板为外延生长装置的腔室部件。 的反应室2被限定并且由密封板21形成。 在设置在侧壁4的反应气体供给路径41的反应气体，反应气体的流动方向的反应室内的水平分量，从反应气体供给流路的开口的中心延伸的水平分量的方向 据整流对应。 的外延生长装置1的上侧壁31中，改进的基座3和整流板56的结果，提高了形成形成在基板W上的外延层的均匀性和速度，其结果，吞吐量变大，减少缺陷 这是。 点域1

公开(公告)号：JP2015520514A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：JP2015513954

申请日：2013-06-14

Applicant: ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド ,  ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド

Inventor： ヤン，イル−クヮン ,  ソン，ビョン−ギュ ,  キム，キョン−フン ,  キム，ヨン−キ ,  シン，ヤン−シク

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H05B3/10

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67109

Abstract: 本発明の一実施例によると,基板に対する工程が行われる基板処理装置は,一側壁に形成されて前記基板が出入する通路と上部及び下部にそれぞれ形成された上部開口及び下部開口を有するメインチャンバと,前記上部開口を閉鎖し,外部から遮断されて前記工程が行われる工程空間を形成するチャンバ蓋と,前記工程空間に設置されてプロセスガスを噴射する複数個の噴射孔を有するシャワーヘッドと,前記下部開口に工程設置されて前記工程空間と区分された下部設置区間を有し,上部に前記基板が置かれる下部ヒーティングブロックと,前記基板と平行する方向に沿って前記下部設置空間に設置され,前記下部ヒーティングブロックを加熱する複数の下部ヒーターと,を含む。【選択図】図1

Abstract translation: 根据本发明的一个实施例中，执行处理该基板的基板处理装置，具有在一个侧壁和移出形成在衬底的通道以及上部和上部开口和分别在下部形成的下开口的主腔室 如果，通过关闭上部开口，并具有形成在其中的处理与外部隔断的工序空间的腔室盖的喷淋头执行，用于注入工艺气体的多个喷射孔设置在所述处理空间中 具有安装在所述处理空间中的处理的下部开口和分段下部安装部分，以及下部加热块，其中在顶部的衬底被放置在下部安装空间沿着平行的方向上所述衬底 它安装，其包括多个用于加热下部加热块下部加热器的。 点域1

公开(公告)号：JP2014192364A

公开(公告)日：2014-10-06

申请号：JP2013066897

申请日：2013-03-27

Applicant: Epicrew Inc ,  エピクルー株式会社

Inventor： MORI YOSHINOBU ,  OKABE AKIRA

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  Y10S269/903

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a susceptor support part capable of reducing influences exerted upon heating of a susceptor and sufficiently supporting the susceptor, and an epitaxial growth system capable of manufacturing a high-quality epitaxial wafer by comprising the susceptor support part.SOLUTION: The susceptor support part comprises a susceptor shaft and a substrate lift portion. The susceptor shaft includes a strut and a plurality of arms radially extending from the strut. The lift portion includes a strut and a plurality of arms radially extending from the strut. The arms of the susceptor shaft include a first arm, a second arm connected with the first arm and a third arm connected with the second arm, from the susceptor shaft closer to the strut. In the second arm, a through hole is provided which penetrates the second arm in a perpendicular direction, and the first arm of the susceptor shaft is narrower than the second arm of the susceptor shaft.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够降低对感受器的加热和充分支撑感受体的影响的感受器支撑部件，以及能够通过包括感受器支撑部件来制造高品质外延晶片的外延生长系统。解决方案： 基座支撑部分包括基座轴和基板提升部分。 基座轴包括支柱和从支柱径向延伸的多个臂。 提升部分包括支柱和从支柱径向延伸的多个臂。 基座轴的臂包括第一臂，与第一臂连接的第二臂和与第二臂连接的第三臂，从基座轴靠近支柱。 在第二臂中，设置有贯穿第二臂的通孔，基座轴的第一臂比基座轴的第二臂窄。

公开(公告)号：JP5555241B2

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：JP2011531102

申请日：2009-10-05

Applicant: シレボ, インコーポレイテッド

Inventor： スティーブ ポペ， ,  ヤン ロゼンゾン， ,  デイビッド ゼット． チェン， ,  シャオレー ヤン， ,  ペイジュン ディン， ,  チェン スー，

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/481 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165

公开(公告)号：JP5386046B1

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：JP2013066897

申请日：2013-03-27

Applicant: エピクルー株式会社

Inventor： 義信 森 ,  晃 岡部

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  H01L21/683

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/687 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  Y10S269/903

Abstract: 【課題】 サセプタの加熱に与える影響を低減し、かつ、サセプタを十分に支持することができるサセプタ支持部、および、このサセプタ支持部を備えることで、高品質のエピタキシャルウェーハを製造することができるエピタキシャル成長装置を提供する。
【解決手段】 本発明のサセプタ支持部は、サセプタシャフトおよび基板リフト部を備え、前記サセプタシャフトは、支柱および該支柱から放射状に延びる複数本の腕部を有し、前記基板リフト部は、支柱および該支柱から放射状に延びる複数本の腕部を有し、前記サセプタシャフトの腕部は、前記サセプタシャフトの支柱側から、第１腕部、該第１腕部と連結する第２腕部、および該第２腕部と連結する第３腕部を有し、前記第２腕部には、該第２腕部を鉛直方向に貫通する貫通孔が設けられ、前記サセプタシャフトの第１腕部の幅が、前記サセプタシャフトの第２腕部の幅よりも小さいことを特徴とする。
【選択図】 図２

公开(公告)号：JP2013251423A

公开(公告)日：2013-12-12

申请号：JP2012125633

申请日：2012-06-01

Applicant: Mitsubishi Heavy Ind Ltd ,  三菱重工業株式会社

Inventor： NISHIMORI TOSHIHIKO ,  MATSUDA RYUICHI ,  SHIMAZU TADASHI ,  YOSHIDA KAZUTO

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L33/44

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/507 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for manufacturing a protection film of a light emitting element which forms the light emitting element achieving high luminance and reliability.SOLUTION: In a manufacturing apparatus 10 of a protection film of a light emitting element, a sapphire substrate W is heated to a predetermined temperature or a higher temperature in a heating chamber 40A before a film is formed in a film formation chamber 50, and plasma is turned on in the film formation chamber 50 before the sapphire substrate W is transferred thereto. Then, the sapphire substrate W heated to the predetermined temperature or the higher temperature is transferred from the heating chamber 40A to the film formation chamber 50, and plasma treatment is performed on the sapphire substrate W thereby forming a protection film in the film formation chamber 50.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造发光元件的保护膜的方法和装置，该发光元件形成发光元件，其具有高的亮度和可靠性。解决方案：在发光元件的保护膜的制造装置10中， 在成膜室50中形成膜之前，将蓝宝石衬底W加热到加热室40A中的预定温度或更高温度，并且在形成蓝宝石衬底W之前，在成膜室50内等离子体被接通 到此。 然后，加热到预定温度或较高温度的蓝宝石衬底W从加热室40A转移到成膜室50，并且对蓝宝石衬底W进行等离子体处理，从而在成膜室50中形成保护膜 。

公开(公告)号：JP2013507779A

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：JP2012533582

申请日：2010-10-08

Applicant: アイクストロン、エスイー

Inventor： ワイ ウイット、フランシスコ ルーダ ,  ケッペラー、ヨハネス

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/458 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/481

Abstract: 【課題】凸状または凹状の温度プロファイルを基板ホルダの表面に生じさせる。
【解決手段】基板ホルダキャリア（１）は支持面（４'）を備え、複数のガス供給ライン（７、８）が支持面（４'）に開く。 基板ホルダキャリア（１）の上には基板ホルダ（２）が配置されており、その裏面は支持面（４'）に面し、支持面（４'）と基板ホルダ（２）の裏面との間の空間にガス供給ライン（７、８）を通って供給されるガスが、基板ホルダ（２）を支持するガスクッション（１９）を形成する。 ガスクッション（１９）は、ガス供給ライン（７、８）を通ってガスを供給される複数のゾーン（Ａ、Ｃ）を備える。 ゾーン（Ａ、Ｃ）は、それらの間でガスの交換を防ぐ手段によってお互いから分離されている。 ゾーン（Ａ、Ｃ）はガス排出ライン（１３、１４）を通ってガスを排出することができる。 異なる熱伝導特性を持つガスがそれらのゾーン（Ａ、Ｃ）に供給される。
【選択図】図４