公开(公告)号：KR102238369B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020197006972A

申请日：2017-08-02

Applicant: 레이던 컴퍼니

Inventor： 기철 황 ,  브라이언 디. 슐츠 ,  아만다 커

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L21/2654 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 방법은 기판의 표면 상에 버퍼층을 갖는 단일 결정 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 버퍼층은 상기 기판의 결정 격자 구조와, 상기 반도체 층의 결정 격자 구조 간의 매칭을 제공하고 도펀트를 버퍼층 내로 이온 주입하는 단계; 및 이온 주입된 버퍼층 상에 반도체 층을 형성하는 단계에 의해 증가된 저항을 갖는다. 반도체 층은 내부에 형성된 고 전자 이동 트랜지스터를 갖는 넓은 밴드갭 반도체 층일 수 있다.

公开(公告)号：KR20210034113A

公开(公告)日：2021-03-29

申请号：KR1020217008248A

申请日：2015-02-13

Applicant: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

Inventor： 베르너 베르크바우어 ,  토마스 렌하르트 ,  위르겐 오프 ,  요아힘 헤르트콘

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L31/1852 ,  H01L33/005 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02488 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

Abstract: 본 발명은 전자 반도체 칩(100)을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 복수의 3차원으로 구성된 표면 구조체(12)가 편평 구역(11) 상에 있는 편평 구역(11)에 의해 형성된 성장 표면(10)을 포함하는 성장 기판(1)을 제공하는 단계와, 산소 함유 AlN으로 이루어진 핵생성 층(2)을 성장 표면(10)에 대규모로 직접 적용하는 단계와, 질화물계 반도체 층 시퀀스(3)를 핵생성 층(2) 상에서 성장시키는 단계를 포함하며, 반도체 층 시퀀스(3)는 편평 구역(11)으로부터 선택적으로 상향으로 성장된다. 또한, 본 발명은 전자 반도체 칩에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR102232546B1

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：KR1020167021965A

申请日：2015-02-13

Applicant: 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하

Inventor： 베르너 베르크바우어 ,  토마스 렌하르트 ,  위르겐 오프 ,  요아힘 헤르트콘

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L31/1852 ,  H01L33/005 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L21/02488 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

Abstract: 본 발명은 전자 반도체 칩(100)을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서, 상기 방법은 복수의 3차원으로 구성된 표면 구조체(12)가 편평 구역(11) 상에 있는 편평 구역(11)에 의해 형성된 성장 표면(10)을 포함하는 성장 기판(1)을 제공하는 단계와, 산소 함유 AlN으로 이루어진 핵생성 층(2)을 성장 표면(10)에 대규모로 직접 적용하는 단계와, 질화물계 반도체 층 시퀀스(3)를 핵생성 층(2) 상에서 성장시키는 단계를 포함하며, 반도체 층 시퀀스(3)는 편평 구역(11)으로부터 선택적으로 상향으로 성장된다. 또한, 본 발명은 전자 반도체 칩에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR20210030811A

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020190112453A

申请日：2019-09-10

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 문정현 ,  정순신 ,  곽지혜 ,  방욱

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/02274 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823462

Abstract: 본 발명은 SiC 기판 상에 질화 처리된 산화막을 형성하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명은 공기 플라즈마로부터 NO
x 가스를 포함하는 가스상을 발생시키는 단계; 상기 NO
x 가스상을 SiC 기판으로 유도하는 단계; 및 상기 NO
x 가스상과 SiC 기판을 반응하여 상기 기판 표면에 질화 처리된 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 SiC 기판 처리 방법을 제공한다.

公开(公告)号：JP6436694B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2014188710

申请日：2014-09-17

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 藤倉 序章

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/205 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

公开(公告)号：JP2018182247A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2017084350

申请日：2017-04-21

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 三浦 喜直 ,  宮本 広信

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/06 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462

Abstract: 【課題】半導体装置の特性を向上させる。 【解決手段】本発明の半導体装置は、第1の窒化物半導体層S1よりなるバッファ層と、第2の窒化物半導体層S2よりなるチャネル層と、第3の窒化物半導体層S3よりなる障壁層とが順次積層され、この上に形成されたメサ型の第4の窒化物半導体層S4よりなるキャップ層を有する。そして、キャップ層の一方の側に形成されたソース電極SEと、他方の側に形成されたドレイン電極DEと、キャップ層上に形成された第1ゲート電極GE1と、を有する。そして、第1ゲート電極GE1とキャップ層とは、ショットキー接合している。このように、キャップ層(S4)上に、ショットキーゲート電極(第1ゲート電極GE1)を設けることで、ゲート電圧の印加時において、キャップ層の全体に電界がかかり、空乏層が広がるため、ゲートリーク電流を抑制することができる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6418343B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2018022079

申请日：2018-02-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山沢 和人 ,  大井戸 敦 ,  川崎 克己

IPC: C30B29/20 ,  C04B41/80 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B1/02 ,  C30B1/10 ,  C30B5/02 ,  C30B9/12 ,  C30B19/02 ,  C30B19/08 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/205

公开(公告)号：JP2018532264A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2018511618

申请日：2016-08-24

Applicant: ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド

Inventor： ジョージ パパソウリオティス ,  ミゲル サルダナ ,  ブレット スノウデン ,  ユリー ラシュコブスキー ,  マイケル パシエル

IPC: H01L21/677 ,  C23C16/54 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C14/22 ,  C23C14/568 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785

Abstract: 化学蒸着システムが本明細書において開示される。該化学蒸着システムは、高性能半導体デバイスの製作に必要な品質を維持しつつ処理時間を減少させる目的のために、反応チャンバーの各々の内部でのウェハー上へのエピタキシャル層の成長において独立して動作する複数の反応チャンバーを有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018166149A

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：JP2017062668

申请日：2017-03-28

Applicant: 豊田合成株式会社

Inventor： 西井 潤弥 ,  岡 徹 ,  田中 成明

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/225 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26546 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788

Abstract: 【課題】n型半導体層の中へのp型不純物のイオン注入を行わずに、n型半導体層の中にp型半導体含有領域を形成する技術を提供する。 【解決手段】III族窒化物により形成され、n型不純物を含む第1のn型半導体層の上に、III族窒化物により形成され、p型不純物を含むp型半導体層を積層する積層工程と、前記p型半導体層にp型不純物をイオン注入するp型イオン注入工程と、前記イオン注入したp型不純物を活性化させるために熱処理する熱処理工程と、を備え、前記p型イオン注入工程及び前記熱処理工程を経ることにより、前記イオン注入がされた前記p型半導体層の領域の下方であって、前記第1のn型半導体層の少なくとも一部に、前記p型半導体層に含まれるp型不純物が拡散する第1のp型不純物含有領域が形成される。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6404703B2

公开(公告)日：2018-10-10

申请号：JP2014256951

申请日：2014-12-19

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 藤倉 序章 ,  今野 泰一郎 ,  野中 岳宏 ,  沼田 隆之

IPC: C23C16/44 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45593 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/406 ,  C30B31/14 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/68764 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207