公开(公告)号：JP2019117908A

公开(公告)日：2019-07-18

申请号：JP2017252354

申请日：2017-12-27

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 浦谷 泰基 ,  川村 啓介

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  C30B29/36 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C23C16/42 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】高抵抗層を有する化合物半導体基板を提供する。 【解決手段】化合物半導体基板CS1は、Si(ケイ素)基板1と、Si基板1の表面1aに形成されたSiC(炭化ケイ素)層2とを備える。SiC層2は、Si基板1の表面1aに形成されたSiC層21と、SiC層21よりもSi基板1から離れた側に形成されたSiC層22とを含み、SiC層21内のB(ホウ素)原子の平均濃度は、SiC層21内のV(バナジウム)原子の平均濃度よりも高く、SiC層22内のV原子の平均濃度は、SiC層22内のB原子の平均濃度よりも高い。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6898222B2

公开(公告)日：2021-07-07

申请号：JP2017252354

申请日：2017-12-27

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 浦谷 泰基 ,  川村 啓介

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  C30B29/36 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C23C16/42 ,  C23C16/34 ,  H01L21/338

公开(公告)号：JP2021086872A

公开(公告)日：2021-06-03

申请号：JP2019212970

申请日：2019-11-26

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 浦谷 泰基 ,  川村 啓介

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/52 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  H01L21/205

Abstract: 【課題】形成される膜の厚さの精度を向上することのできる成膜装置および成膜装置の使用方法を提供する。 【解決手段】成膜装置100は、成膜室1と、基板保持部2と、加熱部3と、シャワーヘッド4と、物性検出部5とを備える。物性検出部5は、基板200の成膜面201に形成された膜210に対してビームL1を照射する照射部51と、膜210で反射したビームL2を受信する受信部52と、受信部52にて受信したビームL2に基づいて、膜210の物性を検出する検出部53とを含む。シャワーヘッド4は、成膜面201と対向する供給面41と、供給面41に設けられた複数の吐出口と、複数の吐出口に原料ガスを搬送する本体42と、ビームL1を透過する透過部44aと、ビームL2を透過する透過部44bであって、透過部44aとは異なる位置に設けられた透過部44bとを含む。 【選択図】図1