公开(公告)号：JP2015202990A

公开(公告)日：2015-11-16

申请号：JP2014083679

申请日：2014-04-15

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 浅村 英俊 ,  川村 啓介 ,  長谷川 雅之

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36

Abstract: 【課題】製造過程で発生する基板の反りや破断を大幅に減少できる化合物半導体基板の製造方法の提供。 【解決手段】エピタキシャル成長によって基板1上に化合物半導体層2を成長させる化合物半導体基板2Aの製造方法であって、基板1は、化合物半導体層2を成長させることができる第1の面6Aと第2の面6Bを有し、第1の面と第2の面に挟まれた部分3を補強するための補強部4が設けられ、補強部4の厚みT4が、上記エピタキシャル成長によって成長させる化合物半導体層2の最終厚みT2よりも厚い厚みに設定されている。これにより、成長させる化合物半導体と基板1との間に格子定数や熱膨張係数の違いがあっても、最終厚みT2まで成長させた単結晶3C−SiC層に反りが発生するのを防止できる化合物半導体基板の製造方法。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够大大减少制造工艺中的基体的翘曲和断裂的化合物半导体基板的制造方法。解决方案：通过在制造方法中外延生长，在基板1上生长化合物半导体层2 的化合物半导体基板2A。 衬底1具有生长化合物半导体层2的第一面6A和第二面6B，以及加强部分3，以加强第一面和第二面之间的部分3。 加强部件4的厚度T4被设定为比通过外延生长生长的化合物半导体层2的最终厚度T2更厚。 即使要生长的化合物半导体的晶格常数和热膨胀系数各自不同于基板1的晶格常数和热膨胀系数，也可以防止生长到最终厚度T2的单晶3C-SiC层翘曲。

公开(公告)号：JP6450086B2

公开(公告)日：2019-01-09

申请号：JP2014083679

申请日：2014-04-15

Applicant: エア・ウォーター株式会社

Inventor： 浅村 英俊 ,  川村 啓介 ,  長谷川 雅之

IPC: C30B25/18 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  C30B29/36