公开(公告)号：JP2021531231A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2021506066

申请日：2019-04-23

申请人： エピノバテック、アクチボラグ ,  EPINOVATECH AB

发明人： マルティン、アンドレアス、オルソン

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/205 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  C30B25/04

摘要： エピ層を支持するための上面を有する基板(101)と、前記基板(101)上に配設された複数のナノサイズキャビティ(102,102’)でパターニングされた、ニードルパッドを形成するための、マスク層(103)と、前記マスク層(103)上に配設された格子不整合半導体の薄膜(105)であって、前記薄膜(105)が、前記薄膜(105)内に埋め込まれた前記格子不整合半導体の平行に離間した複数の半導体ニードル(104,204)を含み、前記複数の半導体ニードル(104,204)が、前記マスク層(103)の前記複数のナノサイズキャビティ(102,102’)内で前記基板(101)に向かって軸方向で実質的に垂直に配設されている、薄膜(105)と、を備え、格子不整合半導体エピ層(106)が、前記格子不整合半導体エピ層(106)によって支持された前記薄膜上に設けられている、補強薄膜デバイス(100,200,500)。