公开(公告)号：JP2022002325A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021149660

申请日：2021-09-14

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  今井 馨太郎

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8234

摘要： 【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。 【解決手段】半導体材料を含む基板に設けられたチャネル形成領域と、チャネル形成領域 を挟むように設けられた不純物領域と、チャネル形成領域上の第1のゲート絶縁層と、第 1のゲート絶縁層上の第1のゲート電極と、不純物領域と電気的に接続する第1のソース 電極および第1のドレイン電極と、を有する第1のトランジスタと、半導体材料を含む基 板上の第2のゲート電極と、第2のゲート電極上の第2のゲート絶縁層と、第2のゲート 絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続する第2のソース電極およ び第2のドレイン電極と、を有する第2のトランジスタと、を有する半導体装置である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021190840A

公开(公告)日：2021-12-13

申请号：JP2020094459

申请日：2020-05-29

申请人： 富士通株式会社

发明人： 小野田 恭也

IPC分类号： H03K17/00 ,  H03K17/693 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H03K19/094

摘要： 【課題】トランジスタの損傷を抑止可能な半導体装置を提供すること。 【解決手段】トランジスタと、前記トランジスタのバックゲートに電圧を印加するバックゲート電源を選択する選択回路と、を備え、前記選択回路は、第1電源が生成する第1電圧よりも高い第2電圧を生成する第2電源を前記バックゲート電源として選択した状態で前記第2電圧が前記第1電圧よりも低下すると、前記バックゲート電源を前記第1電源に切り替え、前記バックゲートに印加される前記第1電圧が低下すると、前記第1電源を前記バックゲートから切り離す、半導体装置。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP2021184507A

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：JP2021144540

申请日：2021-09-06

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 中澤 安孝 ,  肥塚 純一 ,  羽持 貴士

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786

摘要： 【課題】酸化物半導体膜を有する半導体装置において、電気特性の優れたトランジスタを有する半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタを有する半導体装置である。トランジスタは、ゲート電極と、第1の絶縁膜と、酸化物半導体膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、第2の絶縁膜と、を有する。ソース電極及びドレイン電極は、それぞれ第1の導電膜と、第1の導電膜上に接する第2の導電膜と、第2の導電膜上に接する第3の導電膜と、を有する。第2の導電膜は、銅を有し、第1の導電膜及び第3の導電膜は、銅の拡散を抑制する材料を有し、第2の導電膜の端部は、銅とシリコンとを含む領域を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021184471A

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：JP2021117871

申请日：2021-07-16

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 田中 哲弘 ,  岡崎 豊

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

摘要： 【課題】微細なトランジスタ、寄生容量の小さいトランジスタ、周波数特性の高いトランジスタ、オン電流の大きなトランジスタ及び該トランジスタを有する半導体装置、集積度の高い半導体装置並びに新規な容量素子を提供する。 【解決手段】容量素子は、第1の導電体160と、第2の導電体170と、絶縁体120と、を有する。第1の導電体は、第2の導電体と、絶縁体を介して互いに重なる領域を有する。第1の導電体は、タングステン及びシリコンを含む。絶縁体は、第1の導電体を酸化することによって形成される酸化シリコン膜を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6970249B2

公开(公告)日：2021-11-24

申请号：JP2020121192

申请日：2020-07-15

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 伊藤 大吾 ,  松林 大介 ,  永井 雅晴 ,  山本 孔明 ,  浜田 崇 ,  岡崎 豊 ,  笹川 慎也 ,  倉田 求 ,  山出 直人

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L21/425 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/146 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

公开(公告)号：JP2021531231A

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：JP2021506066

申请日：2019-04-23

申请人： エピノバテック、アクチボラグ ,  EPINOVATECH AB

发明人： マルティン、アンドレアス、オルソン

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/205 ,  H01L33/20 ,  H01L33/08 ,  C30B25/04

摘要： エピ層を支持するための上面を有する基板(101)と、前記基板(101)上に配設された複数のナノサイズキャビティ(102,102’)でパターニングされた、ニードルパッドを形成するための、マスク層(103)と、前記マスク層(103)上に配設された格子不整合半導体の薄膜(105)であって、前記薄膜(105)が、前記薄膜(105)内に埋め込まれた前記格子不整合半導体の平行に離間した複数の半導体ニードル(104,204)を含み、前記複数の半導体ニードル(104,204)が、前記マスク層(103)の前記複数のナノサイズキャビティ(102,102’)内で前記基板(101)に向かって軸方向で実質的に垂直に配設されている、薄膜(105)と、を備え、格子不整合半導体エピ層(106)が、前記格子不整合半導体エピ層(106)によって支持された前記薄膜上に設けられている、補強薄膜デバイス(100,200,500)。

公开(公告)号：JP2021177569A

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：JP2021118705

申请日：2021-07-19

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 浅見 良信

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

摘要： 【課題】寄生容量を低減した半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタ10は、第1の絶縁層110と、第1の絶縁層上の第1の酸化物半導体層121と、第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層122と、第2の酸化物半導体層上のソース電極層130及びドレイン電極層140と、第1の絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層上の第2の絶縁層170と、第2の絶縁層上の第3の絶縁層175と、第2の酸化物半導体層上の第3の酸化物半導体層123と、第3の酸化物半導体層上のゲート絶縁層150と、ゲート絶縁層上のゲート電極層160と、を有する。第2の絶縁層は、酸素バリア層であって、第1の酸化物半導体層、第2の酸化物半導体層、ソース電極層及びドレイン電極層の側面と接する領域を有する。第3の酸化物半導体層は、第2の酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極層、第2の絶縁層及び第3の絶縁層の側面と接する領域を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021166240A

公开(公告)日：2021-10-14

申请号：JP2020068854

申请日：2020-04-07

申请人： セイコーエプソン株式会社

发明人： 池田 益英

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/822

摘要： 【課題】異常電圧の極性によらず、CMOS回路におけるラッチアップ現象の発生を抑制し得るとともに、小型化が図られたCMOS出力回路、かかるCMOS出力回路を備える半導体装置、ならびに、前記半導体装置を備える電子機器および移動体を提供すること。 【解決手段】第1PMOSトランジスターおよび第1NMOSトランジスターを含むCMOS回路と、第1PMOSトランジスターのサブストレートの電位を制御する第1スイッチング回路と、第1NMOSトランジスターのサブストレートの電位を制御する第2スイッチング回路と、を有し、第1スイッチング回路は、第2PMOSトランジスターと第3PMOSトランジスターとを含み、第2スイッチング回路は、第2NMOSトランジスターと第3NMOSトランジスターとを含むことを特徴とするCMOS出力回路。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2021163846A

公开(公告)日：2021-10-11

申请号：JP2020063491

申请日：2020-03-31

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 澤田 真人 ,  下川 豊弘

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/07 ,  H01L27/06

摘要： 【課題】低消費電力化を図ることが可能な半導体装置を提供することができる。 【解決手段】半導体装置1Aは、MOSトランジスタが形成されたバルクシリコン領域1と、SOTBトランジスタが形成されたSOTB領域2と、SOTB領域2とは分離され、SOTBトランジスタが形成されたSOTB領域3とを備える。SOTB領域2には、常時基板バイアス電圧Vbp、Vbnが供給され、SOTB領域3に対しては、基板バイアス電圧Vbp、Vbnを供給するか否かを選択することが可能とされている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6945698B2

公开(公告)日：2021-10-06

申请号：JP2020128029

申请日：2020-07-29

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  小山 潤 ,  今井 馨太郎

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/786