公开(公告)号：JP5676471B2

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：JP2011542347

申请日：2009-12-15

Applicant: エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated ,  エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

Inventor： サティシュ・ブーサラプ ,  プネート・グプタ

IPC: C01B33/107

CPC classification number: B01J8/24 ,  B01J8/0055 ,  C01B9/08 ,  C01B33/10705 ,  C01P2004/61

公开(公告)号：JP2011512036A

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：JP2010546040

申请日：2009-02-06

Applicant: エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

Inventor： プネート・グプタ

IPC: H01L21/304 ,  B24B27/06 ,  B28D5/04

CPC classification number: B28D5/0082

Abstract: インゴットをスライスしてウェハとするための装置、例えば単結晶シリコンインゴット若しくは多結晶シリコンインゴットをスライスして半導体ウェハとするための装置に使用されるワイヤーソー梁部に関する。 当該ワイヤーソー梁部は、熱硬化性樹脂及びカーボンナノチューブを含むポリマー複合材料から構成される。

公开(公告)号：JP2011526877A

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：JP2011516787

申请日：2009-06-29

Applicant: エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

Inventor： クワシ・フォリ ,  ジャミール・イブラヒム ,  バラジ・デブラパリ ,  ビタル・レバンカル ,  プネート・グプタ ,  ミリンド・エス・クルカーニ

IPC: C01B33/02 ,  B01J4/00 ,  B01J8/24

CPC classification number: B01J8/1818 ,  B01J8/44 ,  B01J2219/00252 ,  C01B33/027

Abstract: 流動層反応炉のガス分配ユニットは、熱分解可能な化合物を反応炉の中央部分へ反応炉壁から遠ざかるように向けられ、反応炉壁に材料の析出を防止する。 そして、反応炉内において多結晶シリコン製品を作製するプロセスにより、上記反応炉壁に析出するシリコン量を減少させる。

公开(公告)号：JP4948390B2

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：JP2007503897

申请日：2005-01-20

Applicant: エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

Inventor： プネート・グプタ ,  ミリンド・エス・バガヴァット ,  ローランド・バンダム ,  紀之 舘 ,  沢登 風間

IPC: B24B41/06 ,  B24B7/17 ,  B24B7/22 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B7/228 ,  B24B7/17 ,  B24B37/08 ,  B24B37/28 ,  B24B41/061

公开(公告)号：JP2012512132A

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：JP2011542347

申请日：2009-12-15

Applicant: エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

Inventor： サティシュ・ブーサラプ ,  プネート・グプタ

IPC: C01B33/107

CPC classification number: B01J8/24 ,  B01J8/0055 ,  C01B9/08 ,  C01B33/10705 ,  C01P2004/61

Abstract: アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフルオロシリケートを流動層反応炉において熱分解することにより四フッ化ケイ素を調製するためのプロセス及びシステム。 分解反応において発生する四フッ化ケイ素の一部を反応炉に循環させ流動化ガスとして使用して上記フルオロシリケート材料を分散させる。 上記分解反応において発生したアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物残渣を上記反応炉から排出し、フルオロケイ酸と反応させてアルカリ金属又はアルカリ土類金属のフルオロシリケートを生成させる。 当該フルオロシリケートを、四フッ化ケイ素をさらに発生させるため上記反応炉に導入する。

公开(公告)号：JP2007529332A

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：JP2007503897

申请日：2005-01-20

Applicant: エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

Inventor： プネート・グプタ ,  ミリンド・エス・バガヴァット ,  ローランド・バンダム ,  紀之 舘 ,  沢登 風間

IPC: B24B7/17 ,  B24B7/22 ,  B24B41/06 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B7/228 ,  B24B7/17 ,  B24B37/08 ,  B24B37/28 ,  B24B41/061

Abstract: グラインディング・ホイールによりウエハを研削する際に、半導体ウエハを保持するために用いられる流体圧パッドを提供する。 パッドは、ウエハに直接的に対向する本体部の表面に設けられた流体ポケットを有している。 ポケットは本体部を通り、ポケットに流入する流体を受け入れることに適合化されており、本体部とワークピースとの間にバリアを提供して、研削中にワークピースに圧を加えながら、ワークピースを保持する。 流体圧パッドは、パッドに対してウエハをそれらの共通の軸まわりで回転させる。 ポケットは、グラインディング・ホイールが流体圧パッドに対して相対的にシフトしたり又はチルトしたりする場合に、ウエハ内に生じる曲げモーメントを低下させ、グラインディング・ホイールのシフト又はチルトによって同様に生じるウエハ表面のナノトポロジー低下の防止に寄与する。