公开(公告)号：JP2014507793A

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：JP2013546674

申请日：2011-12-22

申请人： エ・ティ・チ・エッセ・エッレ・エッレ

发明人： ラファエッラ・カペッリ ,  ステファノ・トッファニン ,  ヴァレンティナ・ベンフェナーティ ,  ミケレ・ムッチーニ ,  ロベルト・ザンボーニ ,  ジャンルカ・ジェネラーリ

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： G01N33/4833 ,  C12N13/00 ,  G01N27/4145 ,  G01N33/48728 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5296

摘要： 本発明は、ペリレン誘導体によって形成される半導体層を含有する電荷注入コンタクトを有する有機電界効果トランジスタ(OFET)を含むデバイス、医療用センサとして及び/又は医療用細胞刺激デバイスとしての該デバイスの使用、並びに、該デバイスを使用することによる生物学的細胞活性を刺激及び/又はモニターする方法に関する。

公开(公告)号：JP5577473B2

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：JP2013546674

申请日：2011-12-22

申请人： エ・ティ・チ・エッセ・エッレ・エッレ

发明人： ラファエッラ・カペッリ ,  ステファノ・トッファニン ,  ヴァレンティナ・ベンフェナーティ ,  ミケレ・ムッチーニ ,  ロベルト・ザンボーニ ,  ジャンルカ・ジェネラーリ

IPC分类号： H01L51/30 ,  C12Q1/00 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： G01N33/4833 ,  C12N13/00 ,  G01N27/4145 ,  G01N33/48728 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5296

公开(公告)号：JP2015513795A

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：JP2014558244

申请日：2013-02-21

申请人： エ・ティ・チ・エッセ・エッレ・エッレ

发明人： ラファエッラ・カペッリ ,  ステファノ・トッファニン ,  ジャンルカ・ジェネラーリ ,  ミケレ・ムッチーニ

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/5296 ,  H01L51/0025 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0087 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5024 ,  H01L2251/552

摘要： 一層ずつ積層された構造を有し、分散した発光を生じるように適合され、ゲート電極と、上記ゲート電極上の誘電体層と、前記誘電体層上のアンバイポーラチャンネルとを備える有機発光電界効果アンバイポーラトランジスタ。上記チャンネルは、エネルギーバンドがその最高被占分子軌道HOMO−SCp及び最低空分子軌道LUMO−SCpによって決定されるP型半導体層と、エネルギーバンドがその最高被占分子軌道HOMO−SCn及び最低空分子軌道LUMO−SCnによって決定されるN型半導体層と、逆符号の電荷キャリアの再結合を可能にするように適合され、上記P型半導体層及び上記N型半導体層の間に配され、エネルギーバンドがその最高被占分子軌道HOMO−R及び最低空分子軌道LUMO−Rによって決定される発光層とを含む。第一型の電荷を注入するのに適したソース電極及び第二型の電荷を注入するのに適したドレイン電極であって、上記ソース電極及びドレイン電極は上記P型またはN型半導体層の同一層に接触し、上記半導体層の他方は上記誘電体層と接触する。

摘要翻译： 具有由层结构的层叠层适于产生分散的发射，一个栅电极，在栅电极上的介电层，有机发光场效应和介电层上的双极信道 安妮双极晶体管。 的信道，能带的最高占据分子轨道HOMO-scp和最低未占据分子轨道和P型半导体层是由LUMO-SCp的测定，能带的最高占据分子轨道HOMO-SCn与最低未占分子 和N型半导体层是由轨迹LUMO-SCN确定，适于允许电荷载流子相反的符号，设置在所述P型半导体层和N型半导体层，能带之间的复合 有包括发光层是由最高占据分子轨道HOMO-R和最低空分子轨道LUMO-R来确定。 漏电极，其适合用于注入所述源电极和适合用于注入第一类型电荷，源电极和漏电极在上述P型或N型半导体层的第二类型的电荷 与其它的半导体层的进一步接触与介电层接触。

公开(公告)号：JP5678236B2

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：JP2014522203

申请日：2012-07-26

申请人： エ・ティ・チ・エッセ・エッレ・エッレ

发明人： ミケレ・ムッチーニ ,  ラファエッラ・カペッリ ,  ステファノ・トッファニン

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L29/786 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

CPC分类号： H01L51/5296 ,  H01L51/0562

公开(公告)号：JP6025874B2

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：JP2014558244

申请日：2013-02-21

申请人： エ・ティ・チ・エッセ・エッレ・エッレ

发明人： ラファエッラ・カペッリ ,  ステファノ・トッファニン ,  ジャンルカ・ジェネラーリ ,  ミケレ・ムッチーニ

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50

CPC分类号： H01L51/5296 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5024 ,  H01L2251/552 ,  H01L51/0025 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0087

公开(公告)号：JP2014525149A

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：JP2014522203

申请日：2012-07-26

申请人： エ・ティ・チ・エッセ・エッレ・エッレ

发明人： ミケレ・ムッチーニ ,  ラファエッラ・カペッリ ,  ステファノ・トッファニン

IPC分类号： H01L51/50 ,  H05B33/22 ,  H05B33/26 ,  H05B33/28

CPC分类号： H01L51/5296 ,  H01L51/0562

摘要： 本発明は、制御電極（１５〜１８）の２つの対、ソース電極（１１）およびドレイン電極（１２）と直接接触する両極性有機半導体の層（１０）ならびに２つの別々の誘電体層（１３、１４）がその中にあり、前記誘電体層（１３、１４）がそれぞれ、両極性有機半導体層（１０）と制御電極（１５〜１８）の１つの対との間に配置される、電界効果発光両極性有機トランジスタ（１）に関する。