分散した発光を有する有機発光電界効果アンバイポーラトランジスタ
    6.
    发明专利
    分散した発光を有する有機発光電界効果アンバイポーラトランジスタ 有权
    所述有机发光场效应晶体管双极具有分散发光

    公开(公告)号:JP2015513795A

    公开(公告)日:2015-05-14

    申请号:JP2014558244

    申请日:2013-02-21

    摘要: 一層ずつ積層された構造を有し、分散した発光を生じるように適合され、ゲート電極と、上記ゲート電極上の誘電体層と、前記誘電体層上のアンバイポーラチャンネルとを備える有機発光電界効果アンバイポーラトランジスタ。上記チャンネルは、エネルギーバンドがその最高被占分子軌道HOMO−SCp及び最低空分子軌道LUMO−SCpによって決定されるP型半導体層と、エネルギーバンドがその最高被占分子軌道HOMO−SCn及び最低空分子軌道LUMO−SCnによって決定されるN型半導体層と、逆符号の電荷キャリアの再結合を可能にするように適合され、上記P型半導体層及び上記N型半導体層の間に配され、エネルギーバンドがその最高被占分子軌道HOMO−R及び最低空分子軌道LUMO−Rによって決定される発光層とを含む。第一型の電荷を注入するのに適したソース電極及び第二型の電荷を注入するのに適したドレイン電極であって、上記ソース電極及びドレイン電極は上記P型またはN型半導体層の同一層に接触し、上記半導体層の他方は上記誘電体層と接触する。

    摘要翻译: 具有由层结构的层叠层适于产生分散的发射,一个栅电极,在栅电极上的介电层,有机发光场效应和介电层上的双极信道 安妮双极晶体管。 的信道,能带的最高占据分子轨道HOMO-scp和最低未占据分子轨道和P型半导体层是由LUMO-SCp的测定,能带的最高占据分子轨道HOMO-SCn与最低未占分子 和N型半导体层是由轨迹LUMO-SCN确定,适于允许电荷载流子相反的符号,设置在所述P型半导体层和N型半导体层,能带之间的复合 有包括发光层是由最高占据分子轨道HOMO-R和最低空分子轨道LUMO-R来确定。 漏电极,其适合用于注入所述源电极和适合用于注入第一类型电荷,源电极和漏电极在上述P型或N型半导体层的第二类型的电荷 与其它的半导体层的进一步接触与介电层接触。