公开(公告)号：JP2017510016A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2016548314

申请日：2015-01-19

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ウェンチン・ウー ,  ケンドリック・ホイ・レオン・ユエン ,  カリム・アラビ

IPC: G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1693 ,  G11C11/155 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/18 ,  G11C14/0081 ,  H03K3/356008 ,  H03K3/35625 ,  H03K3/45

Abstract: システムおよび方法は、第1の組み合わされた端子と第2の組み合わされた端子との間に結合された第1の巨大スピンホール効果(GSHE)-磁気トンネル接合(MTJ)および第2のGSHE-MTJを伴う、デュアルGSHE-MTJ構造から形成されるマスター段と、第2のインバータにクロスカップルされた第1のインバータから形成されるスレーブ段とを含む、3フェーズ不揮発性フリップフロップ(NVFF)を対象とする。第1のデータ値は、第2のデータ値が書込みフェーズの間にマスター段に書き込まれるのと同じクロック周期の読取りフェーズの間に、スレーブ段から読み出される。3フェーズNVFFは、スレーブ段の初期化フェーズ、読取りフェーズ、および書込みフェーズを制御するための、3つの制御信号を含む。

公开(公告)号：JP5826400B2

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：JP2014531893

申请日：2012-09-17

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： デイヴィッド・エム・ジェイコブソン ,  シャオチュン・ジュ ,  ウェンチン・ウー ,  ケンドリック・ホイ・レオン・ユエン ,  スン・エイチ・カン

IPC: H01L43/08 ,  H01L29/82 ,  G06F7/58

CPC classification number: G06F7/588 ,  G06F5/01 ,  G11C11/1695 ,  H03M7/30 ,  G06F2205/00 ,  G06F2207/581

公开(公告)号：JP2017509146A

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：JP2016548295

申请日：2015-01-19

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： ウェンチン・ウー ,  ケンドリック・ホイ・レオン・ユエン ,  カリム・アラビ

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/1675 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/18 ,  G11C11/5607 ,  H01L43/14

Abstract: システムおよび方法は、共通のアクセストランジスタに結合される2つ以上のプログラム可能要素を備えるマルチレベルセル(MLC)を対象としており、ここで、2つ以上のプログラム可能要素のうちの各1つが、2つ以上のスイッチング抵抗値および2つ以上のスイッチング電流特性の対応する固有の対を有し、そのため、2つ以上のスイッチング抵抗値それぞれで構成される2つ以上のプログラム可能要素の組合せが、共通のアクセストランジスタを通してスイッチング電流を通過させることにより制御可能なマルチビット2進数状態に対応する。2つ以上のプログラム可能要素のうちの各々1つが、1つまたは複数のハイブリッドジャイアントスピンホール効果(GSHE)-スピン移行トルク(STT)磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)セルを含み、2つ以上のハイブリッドGSHE-STT MRAMセルが並列に結合される。

公开(公告)号：JP2014531669A

公开(公告)日：2014-11-27

申请号：JP2014531893

申请日：2012-09-17

Applicant: クアルコム,インコーポレイテッド

Inventor： デイヴィッド・エム・ジェイコブソン ,  シャオチュン・ジュ ,  ウェンチン・ウー ,  ケンドリック・ホイ・レオン・ユエン ,  スン・エイチ・カン

IPC: G06F7/58 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: G06F7/588 ,  G06F5/01 ,  G06F2205/00 ,  G06F2207/581 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1695 ,  G11C11/1697 ,  H03M7/30

Abstract: エントロピー源および乱数(RN)生成器が開示される。一態様では、低エネルギーのエントロピー源は、磁気抵抗(MR)素子および感知回路を含む。MR素子は、静的電流を印加され、MR素子の磁化に基づいて決定される可変抵抗を有する。感知回路は、MR素子の抵抗を感知し、MR素子の感知された抵抗に基づいて乱数値を提供する。別の態様では、RN生成器は、エントロピー源およびポスト処理モジュールを含む。エントロピー源は、少なくとも1つのMR素子を含み、少なくとも1つのMR素子に基づいて第1の乱数値を提供する。ポスト処理モジュールは、第1の乱数値を受け取って処理し(たとえば、暗号学的ハッシュ関数、誤差検出コード、ストリーム暗号アルゴリズムなどに基づいて)、ランダム性の特性が向上した第2の乱数値を提供する。

Abstract translation: 熵源和所述随机数（RN）发生器中被公开。 在一个实施例中，熵低能量的来源，其包括磁阻（MR）元件和感测电路。 MR元件被施加到静态电流，具有MR元件的磁化的基础上确定的可变电阻。 感测电路感测所述MR元件，以提供基于MR元件的感测到的电阻的随机数的电阻。 在另一个实施例中，RN发生器包括熵源和后处理模块。 熵源包括至少一个MR元件来提供基于至少一个MR元件上的第一随机值。 后处理模块接收和处理所述第一随机值（例如，密码散列函数，错误检测码，以及基于所述流密码算法等），所述第二随机数的随机性性质得到改善 提供。