公开(公告)号：JP5596053B2

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：JP2011546656

申请日：2009-12-30

申请人： ソイテック

发明人： ランドル ディディエ ,  グリッティ ファブリス ,  ギオー エリック ,  コノンチャク オレグ ,  ヴェイティゾウ クリステル

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

公开(公告)号：JP2012516045A

公开(公告)日：2012-07-12

申请号：JP2011546656

申请日：2009-12-30

申请人： ソイテック

发明人： ギオー エリック ,  コノンチャク オレグ ,  ヴェイティゾウ クリステル ,  ランドル ディディエ ,  グリッティ ファブリス

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

摘要： 本発明は、キャリア基板と酸化物層（２）と半導体材料の薄層（３）とを連続して備える半導体オンインシュレータ型構造の処理方法であって、前記構造は、酸化物層（２）が露出した外周環状部を有し、前記処理方法は、中性又は制御された還元雰囲気中での主要熱処理の実施を含む処理方法に関する。 この処理方法は、前記主要熱処理の前に、酸化物層（２）の少なくとも露出した外周部分を被覆するステップを含み、この主要熱処理を、制御された時間及び温度条件下で実施して、酸化物層（２）の酸素の少なくとも一部を半導体薄層（３）中に拡散させ、その拡散よって酸化物層（２）の厚さの低減を制御する。

摘要翻译： 本发明涉及一种处理载体衬底，氧化物层和半导体材料薄层的绝缘体上半导体结构的结构的方法，其中具有暴露氧化物层的外围环的结构和 该方法包括在中性或受控还原气氛中应用主要热处理。 该方法包括在主要热处理之前至少覆盖氧化物层的暴露的周边部分的步骤，该后处理在受控的时间和温度条件下进行，以便促使氧化物层中的至少一部分氧 通过薄的半导体层扩散，导致氧化物层的厚度受到控制的减小。

公开(公告)号：JP2012507135A

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：JP2011532581

申请日：2009-10-09

申请人： ソイテック

发明人： ギオ エリック ,  コノンチャク オレグ ,  ヴェイティゾウ クリステル ,  ランドル ディディエ ,  グリッティ ファブリス

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/76251

摘要： 本発明は特に、連続してキャリア基板（１）、酸化物層（３）、および半導電性材料の薄層（２）を備える絶縁体上半導体型の構造体を製作し処理する方法に関し、方法によれば、（１）前記薄層（２）上にマスクが形成され、それにより前記層の表面上に、マスクによって覆われない露出領域（２０）を画定し、（２）熱処理が適用され、それにより酸化物層（３）の酸素の少なくとも一部が薄層（２）を通って拡散するのを促し、所望のパターンに対応する酸化物層（３）の領域（３０）内の酸化物の制御された除去となり、方法は、前記キャリア基板（１）および薄層（２）はそれらの結晶格子が、それらの境界面（Ｉ）に平行な平面内で共に、１°以下の「ねじれ角」と呼ばれる角度を形成し、それらの境界面（Ｉ）に垂直な平面内で１°以下の「傾斜角」と呼ばれる角度を形成するように、互いに対して配置され、薄層（２）は厚さが１１００Å未満のものが用いられることを特徴とする。