公开(公告)号：JP5981512B2

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：JP2014209863

申请日：2014-10-14

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  大沼 英人 ,  掛端 哲弥

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L27/08 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/268 ,  H01L21/26 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L21/31662 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L29/66772 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP5596053B2

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：JP2011546656

申请日：2009-12-30

申请人： ソイテック

发明人： ランドル ディディエ ,  グリッティ ファブリス ,  ギオー エリック ,  コノンチャク オレグ ,  ヴェイティゾウ クリステル

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3247 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7624

公开(公告)号：JP5404308B2

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：JP2009246032

申请日：2009-10-27

申请人： アルカテル−ルーセント ユーエスエー インコーポレーテッド

发明人： チャウドリー サミール ,  セン シドハーサ ,  スリンバサン チェトラー スンダー ,  ウイリアム グレゴー リチャード ,  クマー ロイ プラジップ

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  C30B33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L21/469 ,  H01L21/76 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/31662 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

公开(公告)号：JP5231233B2

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：JP2008537497

申请日：2007-09-27

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 俊彦 塩澤 ,  義郎 壁 ,  岳志 小林 ,  淳一 北川 ,  和裕 伊佐

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76229 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/7621

公开(公告)号：JP5217353B2

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：JP2007268045

申请日：2007-10-15

申请人： 信越半導体株式会社

发明人： 剛 大槻 ,  敏視 戸部 ,  康 水澤

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/518

公开(公告)号：JP5187988B2

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：JP2000236213

申请日：2000-08-03

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 智一 松崎

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/76 ,  H01L21/32 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76221 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32

摘要： A first field oxidation is performed by masking an element-isolating region formation-expected region on a substrate by a first oxidation preventing film (silicon nitride film) having therein a first opening to thereby form a first field oxide film, which is then masked by a second oxidation preventing film (silicon nitride film) having a second opening with a smaller width dimension than the first opening in a second field oxidation to thereby locally form a second field oxide film at the middle of the first field oxide film.

公开(公告)号：JP5152751B2

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：JP2007545607

申请日：2005-12-08

申请人： プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ

发明人： ゴロブチェンコ，ジーン，エー． ,  キング，ギャビン，エム． ,  シュールマン，グレガー，エム． ,  ブラントン，ダニエル

IPC分类号： B23K15/08 ,  B01J19/12 ,  B23K15/00 ,  B81C99/00 ,  C01B31/02

CPC分类号： C23C14/06 ,  B82Y10/00 ,  C23C14/5873 ,  H01J37/3005 ,  H01J2237/31732 ,  H01J2237/3174 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  Y10S977/856 ,  Y10S977/857 ,  Y10S977/888 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/891

公开(公告)号：JP5138261B2

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：JP2007091700

申请日：2007-03-30

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 義郎 壁 ,  岳志 小林 ,  俊彦 塩澤 ,  淳一 北川

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/31662 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/76232

公开(公告)号：JP2013012752A

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：JP2012177167

申请日：2012-08-09

申请人： Applied Materials Inc ,  アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

发明人： ERROL ANTONIO C SANCHEZ ,  JOHANES SWENBERG ,  DAVID K CARLSON ,  DOHERTY LEUCINE

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/67017 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67069 ,  Y10S438/976

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for forming a clean and undamaged surface on a semiconductor substrate.SOLUTION: A system includes a cleaning chamber adopted to expose a surface of a substrate to a plasma cleaning process before an epitaxial layer is formed. A method, used for reducing contaminants of the substrate processed in the cleaning chamber by depositing a gettering material on an inner surface of the cleaning chamber before the cleaning process is performed to the substrate, is used. Oxidization and etching steps are repeatedly performed on the substrate in the cleaning chamber to expose and form a clean surface on the substrate on which an epitaxial film may be disposed. According to one embodiment, lower energy plasma is used during the cleaning step.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于在半导体衬底上形成清洁且未损坏的表面的装置和方法。 解决方案：系统包括在形成外延层之前用于将基板的表面暴露于等离子体清洁工艺的清洁室。 使用一种方法，用于通过在清洁处理被执行到基板之前在清洁室的内表面上沉积吸气材料来减少在清洁室中处理的基板的污染物。 氧化和蚀刻步骤在清洁室中的衬底上重复进行，以暴露并形成可在其上设置外延膜的衬底上的清洁表面。 根据一个实施例，在清洁步骤期间使用较低能量的等离子体。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP5101301B2

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：JP2007553657

申请日：2006-02-02

申请人： サントル、ナショナール、ド、ラ、ルシェルシュ、シアンティフィク、(セーエヌエルエス)

发明人： ギィユエム、アルミュノー ,  アントニオ、ムーニョ‐ヤグ ,  ティエリー、カン ,  シャンタル、フォンテーヌ ,  ベロニク、バルディナル‐デラネ

IPC分类号： H01S5/183 ,  H01L21/316 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L21/02255 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31666