公开(公告)号：KR20210029286A

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020217006520A

申请日：2011-01-25

Applicant: 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

Inventor： 토마스 플라흐 ,  쿠르트 힝얼 ,  마르쿠스 빔프링어 ,  크리스토프 플뢰트겐

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/70 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

Abstract: 본 발명은, 제 1 기질의 제 1 접촉 표면(3)을 하기 단계들 특히, 하기 시퀀스에 따라 제 2 기질(2)의 제 2 접촉 표면(4)에 결합시키기 위한 결합 방법에 관한 것이고,
- 상기 제 1 접촉 표면(3)상의 표면층(6)내에 리저버(5)를 형성하는 단계,
- 제 1 추출물 또는 제 1 그룹의 추출물로 상기 리저버(5)를 적어도 부분적으로 충진하는 단계,
- 예비결합 연결부를 형성하기 위하여 상기 제 2 접촉 표면(4)과 제 1 접촉 표면(3)이 접촉하는 단계,
- 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면(3,4)들사이에 위치하고 상기 제 2 기질(2)의 반응층(7)내에 포함된 제 2 추출물과 제 1 추출물의 반응에 의해 강화되는 영구적인 결합을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR102225764B1

公开(公告)日：2021-03-10

申请号：KR1020207008326A

申请日：2011-01-25

Applicant: 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

Inventor： 토마스 플라흐 ,  쿠르트 힝얼 ,  마르쿠스 빔프링어 ,  크리스토프 플뢰트겐

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/70 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

Abstract: 본 발명은, 제 1 기질의 제 1 접촉 표면(3)을 하기 단계들 특히, 하기 시퀀스에 따라 제 2 기질(2)의 제 2 접촉 표면(4)에 결합시키기 위한 결합 방법에 관한 것이고,
- 상기 제 1 접촉 표면(3)상의 표면 층(6)내에 리저버(5)를 형성하는 단계,
- 제 1 추출물 또는 제 1 그룹의 추출물로 상기 리저버(5)를 적어도 부분적으로 충진하는 단계,
- 예비결합 연결부를 형성하기 위하여 상기 제 2 접촉 표면(4)과 제 1 접촉 표면(3)이 접촉하는 단계,
- 상기 제 1 및 제 2 접촉 표면(3,4)들사이에 위치하고 상기 제 2 기질(2)의 반응 층(7)내에 포함된 제 2 추출물과 제 1 추출물의 반응에 의해 강화되는 영구적인 결합을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：JP6437680B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2018027102

申请日：2018-02-19

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  後藤 裕吾 ,  桑原 秀明 ,  山崎 舜平

IPC: H01L27/32 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B60R1/00 ,  B60R11/0229 ,  B60R11/04 ,  B60R2011/004 ,  B60R2300/202 ,  B60R2300/802 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

公开(公告)号：JP2018137455A

公开(公告)日：2018-08-30

申请号：JP2018054206

申请日：2018-03-22

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  水上 真由美 ,  山崎 舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H01L27/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1341 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13613 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/44 ,  H01L2227/326 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥 離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。 【解決手段】基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層上に酸化物層を形成する工程 と、前記酸化物層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に薄膜トランジスタを形成 する工程と、前記薄膜トランジスタ上に発光素子を形成する工程と、人間の手又は前記薄 膜トランジスタを引き剥がす装置を用いることにより、前記酸化物層の層内または界面に おいて前記基板から前記薄膜トランジスタを剥離する工程とを有する。 【選択図】図13

公开(公告)号：JP6341190B2

公开(公告)日：2018-06-13

申请号：JP2015242400

申请日：2015-12-11

Applicant: 株式会社デンソー

Inventor： 早川 裕 ,  与倉 久則

IPC: H01L29/84 ,  B81C3/00 ,  G01C19/5783 ,  G01L9/00

CPC classification number: B81C1/00357 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00293 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

公开(公告)号：JP2017191338A

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：JP2017130827

申请日：2017-07-04

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 高山 徹 ,  丸山 純矢 ,  後藤 裕吾 ,  桑原 秀明 ,  山崎 舜平

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H01L27/32 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B60R1/00 ,  B60R11/0229 ,  B60R11/04 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76251 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  B60R2011/004 ,  B60R2300/202 ,  B60R2300/802 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

Abstract: 【課題】本発明は、曲面を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置およびその作製 方法を提供することを課題とする。特に、曲面を有するディスプレイ、具体的には曲面を 有する基材に貼りつけられた有機発光素子を有する発光装置の提供を課題とする。 【解決手段】金属層または窒化物層からなる第1の材料層と酸化物層からなる第2の材料 層との積層を利用して基板に設けられた有機発光素子を含む被剥離層をフィルムに転写し 、フィルム及び被剥離層を湾曲させることによって曲面を有するディスプレイを実現す る。 【選択図】図12

公开(公告)号：JP2017523588A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016565670

申请日：2014-06-13

Applicant: インテル・コーポレーション

Inventor： ジュン、キミン ,  ラッチマディ、ウィリー ,  グラス、グレン ,  ムールティ、アーナンダ

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/161 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76251 ,  H01L23/298 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50

Abstract: 封入層を用いるウェハ接合のための複数の技術が開示される。第1の半導体基板が提供される。次に、封入層が第1の半導体基板の上部に形成される。封入層は、酸化剤に曝露されると、安定酸化物を生成する封入材料で形成される。第1の接合層は、封入層の上部に形成される。次に、第2の半導体基板が提供される。第2の接合層は、第2の半導体基板の上部に形成される。その後、第1の半導体基板は、第1の接合層を第2の接合層に貼り付けることにより第2の半導体基板に接合される。

公开(公告)号：JP6155489B2

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：JP2015530502

申请日：2013-09-03

Applicant: ソイテック ,  Soitec

Inventor： ランドルー, ディディアー

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  Y10T29/49822

公开(公告)号：JP6089252B2

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：JP2013539237

申请日：2011-11-16

Applicant: ソイテック ,  Soitec

Inventor： ランドル, ディディエ ,  カペロ, ルチアナ ,  デスボネッツ, エリック ,  フィグエ, クリストフ ,  コノンチュク, オレグ

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H05K1/18 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254

公开(公告)号：JP2016222525A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：JP2016096375

申请日：2016-05-12

Applicant: ソイテック ,  Soitec

Inventor： ルドヴィック エカルノ ,  ニコラス ダヴァル ,  ナディア ベン モハメド ,  フランソワ ブーツ ,  キャロル ダヴィッド ,  イザベル ゲラン

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B28D5/00 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/76254

Abstract: 【課題】単結晶基板から層を移動させるための新規な方法を提供する。 【解決手段】本発明は、ドナー基板(1)と呼ばれる単結晶基板からレシーバ基板(2)へと層(11)を移動させるための方法であって、ドナー基板(1)を調達する工程であり、ドナー基板が結晶の第1の方向に配向されたノッチ及び層(11)を結合している脆弱領域(10)を有している、工程と、ドナー基板(1)をレシーバ基板(2)上へとボンディングする工程であり、層(11)に関して脆弱領域(10)とは反対のドナー基板の主表面(12)が、ボンディング界面のところにある、工程と、脆弱領域(10)に沿ってドナー基板(1)を切り離す工程とを含む方法において、ドナー基板(1)が、レシーバ基板(2)にボンディングされる主表面(12)上に、第2の方向に延びる原子ステップのアレイを有することを特徴とする、方法に関する。 【選択図】 図4

Abstract translation: 本发明提供用于从所述单晶衬底移动的层的新方法。 本发明涉及一种方法，用于从被称为施主衬底（1）单晶衬底移动到接收器衬底（2）的层（11），在采购的供体基板的工序（1） 还有，供体基板具有2定向的凹口和接合到被减弱晶体（10）的区域中的层（11）的第一方向，步骤a，一个施主衬底（1）的接收基板（ ）接合的步骤到顶部的层（11）相对于弱化区（10）10的供体基底主表面（12）位于粘接界面，操作步骤，在薄弱区的对面（） 包括断开施主衬底的步骤的方法（1）沿，所述施主衬底（1），在主表面上要被结合到接受衬底（2）（12），在第二方向上排列延伸的原子台阶 并具有一个相关的方法。 点域4