公开(公告)号：JP2006520796A

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：JP2006507336

申请日：2004-03-17

申请人： タケダ サン ディエゴ インコーポレイテッド

发明人： フォン エイチ ヴュー ,  シェルドン エックス カオ ,  アンソニー アール ガングロフ ,  アンドリュー ジェイ ジェニングス ,  シャオ イー シャオ ,  ジェフリー エイ スタッフォード ,  ジェイソン ダブリュー ブラウン ,  ジェローム シー ブレッシー

IPC分类号： C07D235/18 ,  A61K20060101 ,  A61K31/4184 ,  A61K31/439 ,  A61K31/4439 ,  A61K31/454 ,  A61K31/4545 ,  A61K31/519 ,  A61K31/52 ,  A61K31/53 ,  A61K31/535 ,  A61K31/5377 ,  A61P1/04 ,  A61P9/10 ,  A61P9/14 ,  A61P15/00 ,  A61P17/02 ,  A61P17/06 ,  A61P19/02 ,  A61P27/02 ,  A61P27/06 ,  A61P29/00 ,  A61P31/04 ,  A61P31/22 ,  A61P33/00 ,  A61P33/02 ,  A61P35/00 ,  A61P35/02 ,  A61P35/04 ,  A61P41/00 ,  A61P43/00 ,  C07D401/04 ,  C07D401/06 ,  C07D401/14 ,  C07D403/06 ,  C07D403/10 ,  C07D413/02 ,  C07D417/02 ,  C07D453/02 ,  C07D471/04 ,  C12N9/99

CPC分类号： C07D235/18 ,  C07D401/04 ,  C07D401/06 ,  C07D403/06 ,  C07D403/10

摘要： 式(Ｉ)又は式(II)（式中、Ｍはデアセチラーゼ触媒部位及び／又は金属イオンと錯体形成可能な置換基であり；ＬはＭ置換基と該化合物の残部との間を０〜１０個の原子で隔てる置換基であり；かつＺ及びＱは本出願で定義されるとおりである）を有する、ヒストンデアセチラーゼを阻害するために使用しうる化合物。