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公开(公告)号:JP2021532600A
公开(公告)日:2021-11-25
申请号:JP2021505704
申请日:2019-07-30
Applicant: テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
Inventor: クンタル ジョアルダール , ミン チュウ , ヴィジャイ クリシュナムルティ , ティクノ ハルジョノ , アンクル チャウハン , ヴィナヤク ヘッジ , マニシュ スリヴァスタヴァ
IPC: H01L27/088 , H02M1/00 , H01L25/16 , H01L27/06 , H03K17/687 , G01R31/28 , H01L21/8234
Abstract: 電子デバイスが、第1の半導体ダイ(102)、第1の半導体ダイに集積されるパワートランジスタ(104)、第1の半導体ダイに集積される第1の感知トランジスタ(106)、第1の温度係数を有する第2の感知トランジスタ(106R)、第1の半導体ダイに集積される第2の感知抵抗器(108)、及び第2の温度係数を有する第2のレジスタ(108R)を含む。パワートランジスタは、第1のゲート(104g)、第1の端子(104s)、第2の端子(104d)を含む。第1の感知トランジスタは、第2のゲート(106g)、第3の端子(106s)、第4の端子(106d)を含む。第2のゲートは第1のゲートに結合され、第4の端子は第2の端子に結合される。第2の感知トランジスタは、第3のゲート(108g)及び第7の端子(l08s)及び第8の端子(108d)を含む。第3のゲートは第1のゲートに結合され、第8の抵抗器は第2の端子に結合される。