公开(公告)号：JP2021532600A

公开(公告)日：2021-11-25

申请号：JP2021505704

申请日：2019-07-30

Applicant: テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

Inventor： クンタル ジョアルダール ,  ミン チュウ ,  ヴィジャイ クリシュナムルティ ,  ティクノ ハルジョノ ,  アンクル チャウハン ,  ヴィナヤク ヘッジ ,  マニシュ スリヴァスタヴァ

IPC: H01L27/088 ,  H02M1/00 ,  H01L25/16 ,  H01L27/06 ,  H03K17/687 ,  G01R31/28 ,  H01L21/8234

Abstract: 電子デバイスが、第1の半導体ダイ(102)、第1の半導体ダイに集積されるパワートランジスタ(104)、第1の半導体ダイに集積される第1の感知トランジスタ(106)、第1の温度係数を有する第2の感知トランジスタ(106R)、第1の半導体ダイに集積される第2の感知抵抗器(108)、及び第2の温度係数を有する第2のレジスタ(108R)を含む。パワートランジスタは、第1のゲート(104g)、第1の端子(104s)、第2の端子(104d)を含む。第1の感知トランジスタは、第2のゲート(106g)、第3の端子(106s)、第4の端子(106d)を含む。第2のゲートは第1のゲートに結合され、第4の端子は第2の端子に結合される。第2の感知トランジスタは、第3のゲート(108g)及び第7の端子(l08s)及び第8の端子(108d)を含む。第3のゲートは第1のゲートに結合され、第8の抵抗器は第2の端子に結合される。