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公开(公告)号：JP6987194B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2020138394
申请日：2020-08-19
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H03K19/003 , H03K17/687 , H01L21/822
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公开(公告)号：JP2021534438A
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：JP2020561712
申请日：2019-07-02
申请人： 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 , BOE TECHNOLOGY GROUP CO.,LTD. , 合肥京東方卓印科技有限公司 , Hefei BOE Joint Technology Co.,Ltd.
发明人： フェン、 スエフアン , リ、 ヨンキアン , チャン、 シン
IPC分类号： G09G3/20 , H03K17/687 , G09G3/3266
摘要： シフトレジスタユニット(10)は、第1サブユニット(100)を含み、当該第1サブユニット(100)は、第1ノード(Q1)を介して第1出力回路(120)に連結される第1入力回路(110)を含む。第1入力回路(110)は、第1入力信号(STU1)に応答して第1ノード(Q1)の電圧レベルを制御するように構成され、第1出力回路(120)は、第1ノード(Q1)の電圧レベルに応答してシフトレジスタ信号(CR)及び第1出力信号(OUT1)を出力するように構成される。さらに、シフトレジスタユニット(10)は、第2サブユニット(200)を含み、当該第2サブユニット(200)は、第2ノード(Q2)を介して第2出力回路(220)に連結される第2入力回路(210)を含む。第2入力回路(210)は、第1入力信号(STU1)に応答して第2ノード(Q2)の電圧レベルを制御するように構成され、第2出力回路(220)は、第2ノード(Q2)の電圧レベルに応じて第2出力信号(OUT2)を出力するように構成される。
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公开(公告)号：JP6978952B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2018010234
申请日：2018-01-25
申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人： 田島 英幸
IPC分类号： H03K17/687 , H02M1/08
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公开(公告)号：JPWO2020122099A1
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2019048397
申请日：2019-12-11
申请人： 株式会社オートネットワーク技術研究所 , 住友電装株式会社 , 住友電気工業株式会社
IPC分类号： H03K17/687 , B60R16/02 , F02N11/08 , H03K17/00
摘要： 車両用の制御装置は、スイッチング回路を備え、該スイッチング回路のオンオフを制御することによって、スイッチング回路の一端部に接続されるコンデンサを有するスタータと、スイッチング回路の他端部に接続される車載バッテリとの間を開閉する。制御装置は、一端部の電圧を検出する電圧検出部と、スイッチング回路をオンからオフに制御し、スイッチング回路をオンからオフに制御してから所定時間が経過したときに電圧検出部によって検出された電圧に基づいて、スイッチング回路の故障の有無を判定する制御部とを備える。
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公开(公告)号：JPWO2021024643A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020025212
申请日：2020-06-26
申请人： 富士電機株式会社
发明人： 斉藤 功
IPC分类号： H03K17/04 , H03K17/687 , H02M1/08
摘要： 半導体装置は、電源電圧が印加される第1ラインと負荷が接続される第2ラインとの間で互いのドレイン電極が直列に接続された第1及び第2MOSトランジスタと、前記第1MOSトランジスタのゲート電極に接続された第3ラインと、前記第2MOSトランジスタのゲート電極に接続され、前記第3ラインと電気的に分離して設けられた第4ラインと、を備える。
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公开(公告)号：JP2021532600A
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2021505704
申请日：2019-07-30
发明人： クンタル ジョアルダール , ミン チュウ , ヴィジャイ クリシュナムルティ , ティクノ ハルジョノ , アンクル チャウハン , ヴィナヤク ヘッジ , マニシュ スリヴァスタヴァ
IPC分类号： H01L27/088 , H02M1/00 , H01L25/16 , H01L27/06 , H03K17/687 , G01R31/28 , H01L21/8234
摘要： 電子デバイスが、第1の半導体ダイ(102)、第1の半導体ダイに集積されるパワートランジスタ(104)、第1の半導体ダイに集積される第1の感知トランジスタ(106)、第1の温度係数を有する第2の感知トランジスタ(106R)、第1の半導体ダイに集積される第2の感知抵抗器(108)、及び第2の温度係数を有する第2のレジスタ(108R)を含む。パワートランジスタは、第1のゲート(104g)、第1の端子(104s)、第2の端子(104d)を含む。第1の感知トランジスタは、第2のゲート(106g)、第3の端子(106s)、第4の端子(106d)を含む。第2のゲートは第1のゲートに結合され、第4の端子は第2の端子に結合される。第2の感知トランジスタは、第3のゲート(108g)及び第7の端子(l08s)及び第8の端子(108d)を含む。第3のゲートは第1のゲートに結合され、第8の抵抗器は第2の端子に結合される。
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公开(公告)号：JP6963480B2
公开(公告)日：2021-11-10
申请号：JP2017231556
申请日：2017-12-01
申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
IPC分类号： H03K17/687 , H03K19/0185 , G11C8/08 , G11C7/10 , H01L27/10 , H03K17/16
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公开(公告)号：JP6959694B2
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：JP2020105752
申请日：2020-06-19
发明人： マイケル ダグラス シーマン , サンディープ アール バール , デビッド アイ アンダーソン
IPC分类号： H03K17/08 , H03K17/0812 , H03K17/687 , H02M1/00 , H02M1/08
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公开(公告)号：JP6950443B2
公开(公告)日：2021-10-13
申请号：JP2017200270
申请日：2017-10-16
申请人： 株式会社IHI
IPC分类号： H03K17/687 , H02M1/08
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