公开(公告)号：JP2016036904A

公开(公告)日：2016-03-22

申请号：JP2015154099

申请日：2015-08-04

Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

Inventor： グラント・エイチ・ロッデン ,  ライアン・スピーノ

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0048 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00325 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00492 ,  B81C2203/037

Abstract: 【課題】マイクロ電気機械(MEMS)構造を提供すること。 【解決手段】一実施形態では、MEMS構造が、少なくとも1つの組み込まれる応力隔離特徴部を包含するガラス基板層を有する。また、ガラス基板が、MEMS構造をパッケージに結合するように構成される少なくとも1つのバンプ接合部の部位を有する。また、MEMS構造が、ガラス基板層上に形成され、MEMSセンサを有する半導体デバイス層を有する。また、MEMS構造が、半導体デバイス層上に配置されるトップガラス層を有する。 【選択図】図9

Abstract translation: 要解决的问题：提供微机电（MEMS）结构。解决方案：在一个实施例中，MEMS结构包括包含至少一个嵌入式应力隔离特征的玻璃基底层。 玻璃基板还包括至少一个凸起接合位置，其被配置为将MEMS结构耦合到封装。 MEMS结构还包括形成在玻璃衬底层上的包括MEMS传感器的半导体器件层。 MEMS结构还包括设置在半导体器件层上的顶部玻璃层。选择图：图9

公开(公告)号：JP5766391B2

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：JP2009094893

申请日：2009-04-09

Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

Inventor： ロバート・ディー・ホーニング ,  ライアン・スピーノ

IPC: G01C19/5691 ,  G01P7/00 ,  G01P15/125 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01P15/18 ,  G01C19/5719 ,  G01P15/125

公开(公告)号：JP5860270B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：JP2011255390

申请日：2011-11-22

Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

Inventor： ロバート・ディー・ホーニング ,  ライアン・スピーノ

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/32

CPC classification number: B81B7/0016 ,  B81B2201/025 ,  B81B2207/07

公开(公告)号：JP2015096849A

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：JP2014219222

申请日：2014-10-28

Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

Inventor： バージェス・アール・ジョンソン ,  ライアン・スピーノ

IPC: G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  G01C19/5769

CPC classification number: H02N1/08 ,  B32B37/02 ,  B32B38/10 ,  B81B3/0086 ,  B32B2307/202 ,  B32B2310/0418 ,  B32B2457/16

Abstract: 【課題】電気遮蔽に関し、静止および可動電極の間のコンタクト電位差(CPD)を緩和した正確で強い縦検知の得られる可動シリコン微細構造を提供する。 【解決手段】ガラス基板109に連結する可動シリコン微細構造103であって、可動シリコン電極104を有し、ガラス基板109は上面および少なくとも一つの凹部を有し、可動シリコン電極104はガラス基板の表面に第1の平坦な表層平行を有し、可動シリコン電極104は第1の電子仕事関数を有しており、ガラス基板109に連結する静止シリコン電極105は可動シリコン電極104に隣接し、可動シリコン微細構造103の置換を検出するかまたは作用するように構成され、静止シリコン電極105は第1の平坦面に第2のフラット表層平行を有し、静止シリコン電極105が第1の電子仕事関数に等しい第2の電子仕事関数を有する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可移动的硅微结构，可以减轻固定和可移动电极之间关于电气屏蔽的接触电位差（CPD），并且能够获得正确和强大的纵向检测。解决方案：全硅电极电容 传感器包括：可移动硅微结构103，其耦合到玻璃基板109并具有可移动硅电极104，其中玻璃基板109具有顶表面和至少一个凹部，可移动硅电极104具有第一平坦表面 平行于玻璃基板的表面的平面，并且可动硅电极104具有第一电子功函数，耦合到玻璃基板109的固定电极105位于可移动硅电极104附近，以及 被配置为感测或致动可移动硅微结构103的位移。固定电极105具有第二平坦表面 e平行于第一平面，并且固定电极105具有等于第一电子功函数的第二电子功函数。