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    物理量センサ
    2.
    发明专利
    物理量センサ 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018004451A

    公开(公告)日：2018-01-11

    申请号：JP2016131788

    申请日：2016-07-01

    Applicant: 株式会社デンソー

    Inventor： 城森 知也

    IPC: B81B3/00 ,  H01L41/113 ,  H01L41/09 ,  G01C19/5747

    CPC classification number: B81B3/0045 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/032 ,  G01C19/5747 ,  G01P3/22 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113

    Abstract: 【課題】感度の向上を図ることができる圧電式の物理量センサを提供する。 【解決手段】検出錘35、36を支持する第1検出梁41aおよび第2検出梁41bのバネ定数を異ならせる。そして、第1検出梁41aおよび第2検出梁41bの一方のx軸方向の寸法を大きくし、検出圧電膜61a〜61dの形成面積を大きくすることで感度向上を図りつつ、他方のx軸方向の寸法を抑制することで検出共振周波数が大きくなることを抑制する。これにより、感度の向上を図ることが可能となる。 【選択図】図1

    ピエゾ抵抗型ＭＥＭＳセンサ
    5.
    发明专利
    ピエゾ抵抗型ＭＥＭＳセンサ 审中-公开
    压阻MEMS传感器

    公开(公告)号：JPWO2014088020A1

    公开(公告)日：2017-01-05

    申请号：JP2014551118

    申请日：2013-12-04

    Applicant: 株式会社村田製作所

    Inventor： 隆寛 小西 ,  隆寛 小西

    IPC: G01L9/00 ,  B81B3/00 ,  G01P15/12 ,  H01L29/84

    CPC classification number: G01P15/123 ,  B81B3/0072 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0109 ,  G01L9/0044 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0054 ,  G01P15/0802 ,  H01L29/84

    Abstract: 圧力センサは、Si基板(10a)、SiO2層(10b)、表面Si膜(10c)からなるSOI基板に構成されている。Si基板(10a)にはエッチングによる開口部(13)が形成されていて、この部分の表面Si膜(10c)およびSiO2層(10b)で、メンブレン構造の変位部(12)が構成されている。変位部(12)にはピエゾ抵抗素子(11)が形成されている。変位部(12)は検出すべき圧力に応じて湾曲し、それにともなってピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化する。メンブレン構造の変位部(12)の厚み寸法tsは1μm以上10μm以下であり、ピエゾ抵抗素子(11)の不純物濃度のピーク位置(深さ)Pdは0.5μmより深く、変位部(12)の厚み寸法の1/2の深さより浅い位置である。

    Abstract translation: 压力传感器，Si衬底（10a）中，SiO 2层（10b）的，是由表面Si层（10C）的SOI衬底上配置。 开口通过蚀刻Si基板（10A）（13）形成的，在该部分（10c）的和SiO 2层的Si层的表面（10b）中，膜结构的位移（12）被配置 。 位移部分（12）的压阻元件（11）形成。 位移单元（12）是根据所述压力弯曲进行检测，压阻元件的电阻值相应地改变。 所述膜结构（12）的位移的厚度t s是在压阻元件中的杂质浓度的1微米或更10μm以下，峰值位置（深度）（11）Pd为深于0.5微米，位移单元的厚度（12） 它比深度尺寸的1/2浅。

    ガラス基板上のオール・シリコン電極容量性トランスジューサ
    7.
    发明专利
    ガラス基板上のオール・シリコン電極容量性トランスジューサ 审中-公开
    玻璃基板上的全硅电极电容式传感器

    公开(公告)号：JP2015096849A

    公开(公告)日：2015-05-21

    申请号：JP2014219222

    申请日：2014-10-28

    Applicant: ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

    Inventor： バージェス・アール・ジョンソン ,  ライアン・スピーノ

    IPC: G01P15/125 ,  H01L29/84 ,  B81B3/00 ,  G01C19/5769

    CPC classification number: H02N1/08 ,  B32B37/02 ,  B32B38/10 ,  B81B3/0086 ,  B32B2307/202 ,  B32B2310/0418 ,  B32B2457/16

    Abstract: 【課題】電気遮蔽に関し、静止および可動電極の間のコンタクト電位差(CPD)を緩和した正確で強い縦検知の得られる可動シリコン微細構造を提供する。 【解決手段】ガラス基板109に連結する可動シリコン微細構造103であって、可動シリコン電極104を有し、ガラス基板109は上面および少なくとも一つの凹部を有し、可動シリコン電極104はガラス基板の表面に第1の平坦な表層平行を有し、可動シリコン電極104は第1の電子仕事関数を有しており、ガラス基板109に連結する静止シリコン電極105は可動シリコン電極104に隣接し、可動シリコン微細構造103の置換を検出するかまたは作用するように構成され、静止シリコン電極105は第1の平坦面に第2のフラット表層平行を有し、静止シリコン電極105が第1の電子仕事関数に等しい第2の電子仕事関数を有する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可移动的硅微结构，可以减轻固定和可移动电极之间关于电气屏蔽的接触电位差（CPD），并且能够获得正确和强大的纵向检测。解决方案：全硅电极电容 传感器包括：可移动硅微结构103，其耦合到玻璃基板109并具有可移动硅电极104，其中玻璃基板109具有顶表面和至少一个凹部，可移动硅电极104具有第一平坦表面 平行于玻璃基板的表面的平面，并且可动硅电极104具有第一电子功函数，耦合到玻璃基板109的固定电极105位于可移动硅电极104附近，以及 被配置为感测或致动可移动硅微结构103的位移。固定电极105具有第二平坦表面 e平行于第一平面，并且固定电极105具有等于第一电子功函数的第二电子功函数。

    Display device
    8.
    发明专利
    Display device 审中-公开
    显示设备

    公开(公告)号：JP2014178559A

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：JP2013053203

    申请日：2013-03-15

    Applicant: Pixtronix Inc ,  ピクストロニクス,インコーポレイテッド

    Inventor： MORITA TAKEOMI ,  ITOGA TOSHIHIKO ,  NAKAGAWA HIDEKI

    IPC: G02B26/02 ,  B81B3/00

    CPC classification number: G02B26/0841 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/0307 ,  B81B2207/07 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pixel failure-free display device by preventing a situation where shutters of pixels become inoperative.SOLUTION: A pixel includes a shutter drive section having: first springs connected to a shutter plate; first anchor sections, each holding an end of the respective first springs; second springs, each positioned such that at least one end thereof is in the proximity of the respective first springs to have electrostatic force acting therebetween; second anchor sections for holding respective second springs; first wiring for providing a predetermined electrical potential to the first anchor sections; second wiring for providing a predetermined electrical potential to the second anchor sections; and a connection layer provided between the first anchor sections and the first wiring and between the second anchor sections and the second wiring. The connection layer is made of a material which remains conductive even after being oxidized, a conductive material which makes non-rectifying contact with silicon, or a material which reacts with silicon to form a silicide.

    Abstract translation: 要解决的问题：通过防止像素快门失效的情况来提供无像素故障的显示装置。解决方案：一个像素包括一个快门驱动部分，其具有连接到快门板的第一弹簧; 第一锚定部分，每个锚固部分各自保持相应的第一弹簧的端部; 第二弹簧，每个定位成使得其至少一个端部处于相应的第一弹簧附近，以在其间作用静电力; 用于保持相应的第二弹簧的第二锚定部分; 用于向所述第一锚固部分提供预定电势的第一布线; 用于向所述第二锚定部分提供预定电位的第二布线; 以及设置在所述第一锚固部和所述第一配线之间以及所述第二锚定部和所述第二配线之间的连接层。 连接层由即使被氧化后保持导电的材料，与硅形成非整流接触的导电材料或与硅反应形成硅化物的材料制成。

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