公开(公告)号：JP5923617B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：JP2014540951

申请日：2012-11-09

Applicant: ユー エレクトロニクス シーオー. エルティディ.

Inventor： ハン ヨン フィ ,  キム ヒョン ウォン ,  アン ミ ソク

IPC: B81C3/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/02 ,  G01J1/02 ,  G01J1/04 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0038 ,  B81B7/007 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00285 ,  G01P15/0802 ,  H01L31/02016 ,  B81B2201/0207 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/096 ,  B81C2203/0118 ,  H01L2224/291

公开(公告)号：JP5887421B2

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：JP2014542749

申请日：2012-10-23

Applicant: マイクロクリスタル・アーゲー

Inventor： デーヨン,レア ,  ダラ・ピアッツァ,シルヴィオ ,  ヘスレ,ティエリー

IPC: H03H9/02 ,  H01L23/02 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H3/0072 ,  B81C1/00269 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02244 ,  Y10T29/42

公开(公告)号：JP2015517919A

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：JP2014559988

申请日：2013-02-27

Applicant: 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド ,  テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド

Inventor： ディー マナック クリストファー ,  ディー マナック クリストファー ,  ステップニアク フランク ,  ステップニアク フランク ,  ケイ コドゥリ スリーニーバサン ,  ケイ コドゥリ スリーニーバサン

IPC: B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  G01J1/02 ,  G01J5/02 ,  H01L35/32

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B7/0067 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00269 ,  G01J5/045 ,  G01J5/12 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82

Abstract: 埋め込みマイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)(100)が、絶縁性ボード(120)に埋め込まれる半導体チップ(101)を含み、このチップは、放射センサMEMS(105)を含むキャビティ(102)を有し、チップ表面におけるキャビティの開口(104)が、MEMSにより感知される放射(150)に透過性があるプレート(110)により覆われる。キャビティから離れたプレート表面が、キャビティにおいてMEMSより感知される放射に晒されるべき露出した中央エリア、及びプレート表面に接する金属フィルム(111)と金属フィルム上にスタックされた接着剤の層(112)とにより覆われた周辺エリアを有する。

Abstract translation: 嵌入式微机电系统（MEMS）（100）包括嵌入在所述绝缘性基板（120）的半导体芯片（101），该芯片具有一个空腔（102），其包括辐射传感器MEMS（105）， 在芯片表面（104）腔开口由板（110），其是可渗透的由MEMS（0.99）感测到的辐射覆盖。 从在所述腔与所述板表面（111）上的金属膜接触的空腔，该空腔被堆叠暴露应暴露于辐射以从MEMS感测的中心区域的粘合剂层，和金属膜板表面远程（112） 由覆盖的外围区域。

公开(公告)号：JP5679996B2

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：JP2011548020

申请日：2010-01-13

Applicant: フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド ,  フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

Inventor： ビー． モンテス、ルーベン ,  ビー． モンテス、ルーベン ,  ピー． パマタット、アレックス ,  ピー． パマタット、アレックス

IPC: H01L23/02 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  H01L23/06

CPC classification number: H01L23/10 ,  B81B2207/097 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/50 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/02 ,  H01L2224/022 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/276 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29016 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83457 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83469 ,  H01L2224/83481 ,  H01L2224/83484 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/164 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83

公开(公告)号：JP5673850B2

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：JP2013541119

申请日：2013-04-08

Applicant: 株式会社村田製作所

Inventor： 齋藤　善史 ,  善史 齋藤 ,  俊行 八杉 ,  俊行 八杉

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/02

CPC classification number: H01L41/053 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/053 ,  H01L41/23 ,  H01L2924/0002 ,  H03H9/1021 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2014524844A

公开(公告)日：2014-09-25

申请号：JP2014514205

申请日：2012-06-07

Applicant: デバイオテック・ソシエテ・アノニム

Inventor： フランソワ・ビアンキ

IPC: B81B1/00 ,  A61M1/12 ,  B81C3/00 ,  C03C17/34

CPC classification number: B81C3/001 ,  A61M5/14276 ,  B81B1/00 ,  B81B2201/058 ,  B81B2201/06 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/031 ,  Y10T428/1317

Abstract: 本発明は、互いに固定された、ケイ素領域を含むウエーハ、及び、ガラス領域を含むウエーハを含んでなるデバイスに関わり、固定ゾーンは、ケイ素部分を被覆する層である、表面の腐食によって引き起こされる物理的変化からケイ素を保護する第１の層、及び、ガラス部分を被覆する層である、表面の腐食によって引き起こされる物理的変化からガラスを保護する第２の層を含んでなる、多層構造を画成するウエーハ間に形成される；該多層構造は、なおその上、２つの保護層間に陽極接合を可能にする、少なくとも１つの追加の層を含んでなり；該デバイスは上記保護層によって保護された、少なくとも１つの流体チャンネルを含み、一時的に溶液を含むことができる。

公开(公告)号：JP5568786B2

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：JP2009291631

申请日：2009-12-24

Applicant: 新光電気工業株式会社

Inventor： 秀明 坂口 ,  光敏 東 ,  裕一 田口 ,  晶紀 白石 ,  啓 村山

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/02 ,  H01L23/02

CPC classification number: H01L24/94 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00888 ,  B81C2203/0118 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP5500983B2

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：JP2009502614

申请日：2008-03-05

Applicant: 京セラ株式会社

Inventor： 格 石井

IPC: H01L23/10 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  H01L23/02

CPC classification number: H01L24/13 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L23/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP5367842B2

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：JP2011544989

申请日：2009-12-11

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社

Inventor： 直樹 野田 ,  敏夫 横内 ,  昌弘 石杜

IPC: B23K20/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  H01L23/02 ,  H01L25/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K2201/40 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/035 ,  H01L2224/83192

Abstract: A method of bonding a semiconductor substrate having a substrate 11 formed with a MEMS sensor and a substrate 21 having a bonding portion 30b film-formed by contacting an aluminum containing layer 31 with a germanium layer 32 on either a front surface or a rear surface and formed with an integrated circuit that controls the MEMS sensor, either a front surface or a rear surface of the substrate 11 is put to contact directly on the bonding portion of the substrate 21 to bond by eutectic bonding with pressurization and heating.

公开(公告)号：JP5367841B2

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：JP2011544987

申请日：2009-12-11

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社

Inventor： 直樹 野田 ,  敏夫 横内 ,  昌弘 石杜

IPC: B23K20/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00 ,  H01L23/02 ,  H01L25/00

CPC classification number: B23K20/023 ,  B23K20/16 ,  B23K20/233 ,  B23K2201/40 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0118 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45032 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

Abstract: A method of bonding a semiconductor substrate in which a first semiconductor substrate is bonded with a second semiconductor substrate by eutectic bonding with pressurization and heating, an aluminum containing layer primarily made of aluminum and a germanium layer in a polymer state being interposed between a bonding surface of the first semiconductor substrate and a bonding surface of the second semiconductor substrate, the method including a step of: setting a weight ratio of the germanium layer to an aluminum containing layer to be eutectic alloyed is between 27 wt % to 52 wt %.