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公开(公告)号：JPWO2020203250A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020011671
申请日：2020-03-17
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: 光検出器(1)は、複数の画素(11)がアレイ状に配置された画素アレイ(10)を備える光検出器(1)であって、複数の画素(11)のそれぞれは、第1導電型の第1半導体層(12)と、第1半導体層(12)の上方に位置する、第1半導体層(12)よりも不純物濃度が低い第1導電型の第2半導体層(13)と、第2半導体層(13)に形成された、第1半導体層(12)と接合する、第1導電型と異なる第2導電型の第1半導体領域(14)と、を含み、第1半導体層(12)及び第1半導体領域(14)は、アバランシェ増倍によって電荷が増倍される増倍領域(15)を形成し、画素アレイ(10)は、第2半導体層(13)に形成された第1導電型の第1分離部(16)と、第1半導体層(12)に形成された第1導電型の第2分離部(17)とを含む。
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公开(公告)号：JP6967755B2
公开(公告)日：2021-11-17
申请号：JP2020511054
申请日：2019-03-28
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H01L31/107 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
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公开(公告)号：JPWO2020045363A1
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：JP2019033363
申请日：2019-08-26
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: フォトセンサは、光電変換部を含む増倍領域(1002)と、増倍領域(1002)と並列に接続される第1容量(1003)とを有するAPD(1001)と、APD(1001)と第1電源(電圧VC)との間に接続される第1トランジスタ(1201)とを備え、第1トランジスタ(1201)は、バイアス設定期間において、APD(1001)と第1電源とを接続することにより、APD(1001)のアノードとカソードとの間にブレークダウン電圧VBDより大きい電源電圧(VC−VA)を逆バイアスで印加し、露光期間において、APD(1001)と第1電源との接続を切り離すことにより、アバランシェ増倍現象によって発生した電荷を第1容量(1003)に蓄積させることで、アバランシェ増倍現象を停止させる。
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公开(公告)号：JP6910005B2
公开(公告)日：2021-07-28
申请号：JP2017043200
申请日：2017-03-07
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
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公开(公告)号：JPWO2019189700A1
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：JP2019013885
申请日：2019-03-28
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H01L31/107 , H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
Abstract: 光検出器(100)は、第1主面(S1)及び第1主面(S1)の反対側の第2主面(S3)を有する半導体基板(600)と、半導体基板(600)における第1主面(S1)側に形成された第1導電型を有する第1半導体層(101)と、半導体基板(600)における、第1半導体層(101)及び第2主面(S3)の間に形成された第1導電型とは異なる導電型である第2導電型を有する第2半導体層(102)と、半導体基板(600)で光電変換により発生した電荷を、第1半導体層(101)及び第2半導体層(102)においてアバランシェ増倍する増倍領域(301)と、第1主面(S1)に平行な方向において第1半導体層(101)と並んで形成された回路領域と、回路領域に形成された1以上の分離トランジスタ(201)と、第1半導体層(101)及び回路領域の間に形成された分離領域(103)とを備える。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2021192452A
公开(公告)日：2021-12-16
申请号：JP2021143684
申请日：2021-09-03
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/107
Abstract: 【課題】感度の高い光検出器を提供する。 【解決手段】光検出器1000は、半導体基板層3と、半導体基板層3の上に形成され、半導体基板層3側とは反対側に位置する第1主面を有するエピタキシャル層1hと、エピタキシャル層1hにおける第1主面側に形成された第1導電型を有する第1半導体層101と、エピタキシャル層1hにおける、第1主面に略平行であって、光電変換により発生した電荷をアバランシェ増倍する増倍領域301と、少なくとも2つの増倍領域301を分離する分離領域103と、を備える。 【選択図】図54
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公开(公告)号：JPWO2019188244A1
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019009959
申请日：2019-03-12
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/107
Abstract: 固体撮像素子(100)は、P型の半導体基板(10)と、半導体基板(10)の上方に位置するN型の第一半導体層(11)であって、第一領域(A1)において半導体基板(10)と接合する第一半導体層(11)と、第一領域(A1)よりも外側の第二領域(A2)において、半導体基板(10)及び第一半導体層(11)の間に位置する第二半導体層(12)であって、不純物濃度が第一半導体層(11)よりも低いN型の第二半導体層(12)とを備える。半導体基板(10)、及び、第一半導体層(11)は、APD1を形成し、半導体基板(10)の厚み方向において、第二半導体層(12)は、半導体基板(10)及び第一半導体層(11)の境界部(14)よりも下方の位置まで達する。
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公开(公告)号：JP2020167248A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2019065353
申请日：2019-03-29
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
IPC: H04N5/359 , H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: 【課題】光感度の高い固体撮像素子を提供する。 【解決手段】固体撮像素子100は、複数の画素と、複数の画素の間に位置する分離領域とを備える。複数の画素のそれぞれは、光電変換によって発生した電荷をアバランシェ増倍する増倍領域と、アバランシェ増倍された電荷を信号として読み出すための回路を含む、増倍領域に積層された回路領域とを有する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JPWO2020196083A1
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020011661
申请日：2020-03-17
Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社
Inventor： 井上 暁登
IPC: H01L27/146 , G01J1/44 , G01J1/42 , H01L31/107
Abstract: 光検出器(100)は、入射光に対して感度を有する第1APD(10)と、入射光によらず一定の電流が流れる第2APD(20)とを備える。第1APD(10)の一方の端子は、第2APD(20)の一方の端子に電気的に接続され、第1APD(10)の他方の端子、及び、第2APD(20)の他方の端子は、互いに異なる電源に接続され、第1APD(10)の一方の端子、及び、第2APD(20)の一方の端子は、いずれもアノードであるか、または、いずれもカソードである。
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