不揮発性メモリ装置
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017216031A

    公开(公告)日:2017-12-07

    申请号:JP2017091129

    申请日:2017-05-01

    Abstract: 【課題】高信頼を向上した不揮発性メモリ装置を提供する。 【解決手段】不揮発性メモリ装置10は、可変状態および初期状態の何れかを取り、初期状態の少なくとも一つのメモリセル21を含む第2メモリグループ8を含む、抵抗変化型の複数のメモリセル21と、複数のメモリセル21から抵抗値情報を読み出す抵抗検出回路、および抵抗検出回路が読み出した抵抗値情報に応じたディジタルデータを生成するデータ生成回路を備えた読み出し回路11と、を備える。抵抗検出回路は、可変状態のメモリセルを読み出すための第1読み出し電圧よりも大きく、初期状態から可変状態に変化するための電気的ストレスであるフォーミングパルスの電圧よりも小さい第2読み出し電圧を第2メモリグループ8の少なくとも一つのメモリセル21に印加することにより、当該少なくとも一つのメモリセル21から抵抗値情報を読み出す。 【選択図】図16

    画像偽造防止装置
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017216679A

    公开(公告)日:2017-12-07

    申请号:JP2017093315

    申请日:2017-05-09

    Inventor: 加藤 佳一

    Abstract: 【課題】最新のハッキング攻撃に対しても送信する映像データの改竄や偽装を防止する画像偽造防止装置を提供する。 【解決手段】画像偽造防止装置は、被写体の撮像を行う撮像素子101と、少なくとも所定の期間において、時間の経過に伴って変化するチャレンジデータを生成するチャレンジデータ生成部102と、物理的複製困難関数に基づきチャレンジデータに対応して、時間の経過に伴って変化する固有のレスポンスを生成する固有レスポンス生成部103と、を備える。該レスポンスと、撮像素子101により撮像される被写体を含む画像とが、前記所定の期間において対応して変化する。 【選択図】図1

    認証装置および認証方法
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2017215935A

    公开(公告)日:2017-12-07

    申请号:JP2017038686

    申请日:2017-03-01

    Inventor: 加藤 佳一

    Abstract: 【課題】より適切な認証を行うことができる認証装置及方法を提供する。 【解決手段】認証装置500は、RNG506、不揮発性メモリ300、I/F回路502及び照合回路507を備える。RNGは、複数の抵抗変化素子を備える不揮発性メモリにおける複数の抵抗変化素子の物理特性の任意な組み合わせを指示する情報である第1の組合せ情報を生成する。不揮発性メモリは、RNGが生成する第1の組合せ情報が指示する複数の抵抗変化素子の物理特性の組合せに基づいて、不揮発性メモリが同一プロセスで製造された他の不揮発性メモリと同一グループに属することを識別するための第1のグループ識別情報を生成する。I/F回路は、第1の組合せ情報を認証相手に送付し、認証相手が第1の組合せ情報に従って生成した第2のグループ識別情報を受け取る。照合回路は、第1のグループ識別情報と第2のグループ識別情報とを照合する。 【選択図】図16

    不揮発性メモリ装置及び集積回路カード

    公开(公告)号:JP2017191627A

    公开(公告)日:2017-10-19

    申请号:JP2017055859

    申请日:2017-03-22

    Abstract: 【課題】セキュリティー性により優れたデジタルIDデータと乱数データを高速かつ低消費電力で読み出す技術を提供する。 【解決手段】不揮発性メモリ装置は、不揮発メモリと、不揮発メモリの抵抗値に応じたタイミングで終了信号を出力する抵抗時間変換器と、開始信号が入力されてから終了信号が入力されるまでの時間をデジタル値に変換する時間デジタル変換器と、を備える。時間デジタル変換器は、リング状に接続された複数の遅延素子を含む遅延リング回路と、複数の遅延素子のうちの1つからの出力の立ち上がりエッジの回数または立ち下りエッジの回数をカウントするカウンタ回路と、終了信号に基づいて、複数の遅延素子の複数の出力を第1のデータとして記憶する第1のメモリ回路と、終了信号に基づいて、カウンタ回路のカウント値を第2のデータとして記憶する第2のメモリ回路と、を含む。 【選択図】図5

    耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、集積回路カード、不揮発性メモリ装置の認証方法、不揮発性メモリ装置を用いた暗号化方法および復号化方法
    6.
    发明专利
    耐タンパ性を有する不揮発性メモリ装置、集積回路カード、不揮発性メモリ装置の認証方法、不揮発性メモリ装置を用いた暗号化方法および復号化方法 有权
    具有阻尼电阻的非易失性存储器件,集成电路卡,非易失性存储器件的认证方法,以及使用非易失性存储器件的加密方法和分解方法

    公开(公告)号:JP2016105585A

    公开(公告)日:2016-06-09

    申请号:JP2015209809

    申请日:2015-10-26

    Abstract: 【課題】セキュリティー性により優れたディジタルIDデータを生成する為のPUF(物理的複製困難関数)技術を提供する。 【解決手段】不揮発性メモリ装置10は、可変状態では、異なる複数の電気的信号の印加に応じて抵抗値が複数の抵抗値範囲の間を不揮発的かつ可逆的に遷移する性質を有する複数のメモリセルからなるメモリセルアレイ20と、入力されたコントロール信号に基づき、前記複数のメモリセルの一部の各々の前記抵抗値に関する複数の抵抗値情報を取得する読み出し回路11と、読み出し回路11によって取得された前記複数の抵抗値情報に基づいて2値化基準値を算出する演算回路と、を備える。読み出し回路11は、前記2値化基準値に基づいて、前記複数の抵抗値情報の各々及び前記複数のメモリセルの前記一部と異なる一部の各々の前記抵抗値に関する複数の抵抗値情報の各々に対して2つの値から選択的に1つの値を割り当て個体識別情報を生成する。 【選択図】図18

    Abstract translation: 要解决的问题:提供用于产生具有更好的安全性能的数字ID数据的PUF(物理不可克隆功能)技术。解决方案:非易失性存储器件10具有存储单元阵列20,存储单元阵列20包括多个存储单元, 电阻值根据可变状态下的多个不同的电信号的应用以非易失性和可逆的方式在多个电阻值的范围内转换,读出电路11,用于获取关于各个电阻值的多个电阻值信息 基于输入控制信号的多个存储单元中的一些存储单元;以及计算电路,用于基于由读出电路11获取的多个电阻值信息来计算二进制参考值。基于 二进制参考值,读出电路11选择性地将两个值之一分配给多个电阻体中的每一个 ce值信息以及与多个存储单元不同的多个存储单元中的其他一些存储单元的各个电阻值的多个电阻值信息中的每一个,并且生成单独的识别信息。图18

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