公开(公告)号：JP2016511582A

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：JP2015556969

申请日：2014-01-30

申请人： フジフィルム ディマティックス, インコーポレイテッド ,  フジフィルム ディマティックス, インコーポレイテッド

发明人： アルマン ハジャティ ,  アルマン ハジャティ ,  ディミトレ ラテヴ ,  ディミトレ ラテヴ ,  ディーン ガードナー ,  ディーン ガードナー ,  フン−ファイ スティーブン ロウ ,  フン−ファイ スティーブン ロウ

IPC分类号： H04R17/00 ,  H01L41/047 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  H01L41/29 ,  H04R31/00

CPC分类号： B25J15/12 ,  B06B1/0292 ,  B06B1/0622 ,  B25J9/104 ,  B25J15/0009 ,  H01L27/20 ,  H01L41/098 ,  Y10S901/29

摘要： 本発明の実施形態は、微細加工の超音波トランスジューサ(MUT)アレイが製造される基板の接地部を通してそれらアレイ間の容量性クロストークを減少する。それら実施形態において、金属・半導体接触部が基板の半導体装置層に形成されて、トランスジューサ素子の第1電極に共通の接地平面に結合され、トランスジューサ素子の第2電極に接続される信号ラインの容量性結合を抑制する。【選択図】図2A

摘要翻译： 本发明的实施例减少了它们之间的电容性串扰，其中通过制造的微细加工超声换能器（MUT）阵列基板的接地部分阵列。 在那些实施例中，形成在衬底的半导体器件层中的金属 - 半导体接触部被耦合到一个公共接地平面到换能器元件的第一电极，连接至所述换能器元件的所述第二电极上的信号线的电容 抑制性的结合。 .The 2A