一体化した一次導体を備える電流トランスデューサ

    公开(公告)号:JP2018535409A

    公开(公告)日:2018-11-29

    申请号:JP2018520596

    申请日:2016-10-14

    IPC分类号: G01R15/20

    摘要: ハウジング(10)と、中央通路(18)及び磁気回路間隙(22)を備える磁気コア(6)と、磁気回路間隙内に配置された磁界検出器(8)と、測定される電流を通すための一次導体(14)、及び磁界検出器を外部回路に接続するための磁界検出器導体(16)を備えるリードフレーム導体配列(4)とを含む電流トランスデューサ。一次導体は、磁気コアの中央通路を通って延びた中央部分(15)と、中央部分の両端から延びた水平延長アーム(13)と、外部導体に接続するための接続端(17)とを備える。磁界検出器導体は複数の導体を備え、各導体は、一次導体の中央部分と実質的に位置を合わせられた検知セル接続パッド(21)と、外部回路に接続するための接続端(19)とを備え、ハウジングは、リードフレーム導体配列の一部分取り囲むとともに磁界センサ受容空洞(36)を形成するベース(20)と、検知セルに電気的に接続するために検知セル接続パッドを露出させる本質的に平面状の実装面を提供する、磁界センサ受容空洞の底面とを備え、検知セルは、実装面に結合され、磁界検出器導体の導体に重なるとともに一次導体中央部分からオフセットされる。ハウジングベースは、一次導体の中央部分を取り囲み、磁気コアと一次導体の間の誘電絶縁層を提供する一次導体オーバーモールド部分(30)を更に備える。