公开(公告)号：KR20210033010A

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：KR1020217004384A

申请日：2018-10-30

申请人： 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.

发明人： 휴더 조우 ,  펑 천

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/433 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4334 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92165 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511

摘要： 본 개시의 양태는 집적 회로 패키지(100)를 제공하며, 집적 회로 패키지(100)는 패키지 기판(110), 하나 이상의 IC 칩(120), 마킹 플레이트(150), 및 플라스틱 구조(140)를 포함한다. 하나 이상의 IC 칩(120)은 패키지 기판(110)과 상호 연결되어 있다. 마킹 플레이트(150)는 제1 주 표면과 제2 주 표면을 가지고 있다. 마킹 플레이트(150)는 하나 이상의 IC 칩 상에 적층되고, 상기 제1 주 표면은 하나 이상의 IC 칩(120)과 마주한다. 플라스틱 구조(140)는 하나 이상의 IC 칩(120)과 마킹 플레이트(150)를 캡슐화하도록 구성되고, 마킹 플레이트(150)의 제2 주 표면은 IC 패키지(100)의 외부 표면의 일부이다.

公开(公告)号：KR20210030963A

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020217003906A

申请日：2019-07-18

申请人： 크리, 인코포레이티드

发明人： 프랭크 트랑 ,  첸리 무 ,  해동 장 ,  줄하즈미 모크티

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L29/20 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/4824 ,  H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L24/09 ,  H01L29/42356 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7816 ,  H01L2924/00014

摘要： 멀티-셀 트랜지스터(100)는 반도체 구조체(110), 병렬로 전기적으로 접속되는 복수의 단위 셀 트랜지스터(170) - 각각의 단위 셀 트랜지스터는 반도체 구조체 내에서 제1 방향으로 연장되고, 단위 셀 트랜지스터들은 제2 방향을 따라 서로 이격됨 - , 및 단위 셀 트랜지스터들의 제1 그룹과 단위 셀 트랜지스터들의 제2 그룹 사이에 위치되고 반도체 구조체 위로 연장되는 격리 구조체를 포함한다.

公开(公告)号：KR102227798B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020140078076A

申请日：2014-06-25

申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤

发明人： 심페이 사사오카 ,  다쿠야 나카바야시

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/13 ,  H01L27/156 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4909 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49113 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181

摘要： 본 발명은, 상면에서 볼 때, 길이 방향(x)과, 상기 길이 방향(x)에 직교하는 짧은 방향(y)을 갖고, 상기 길이 방향(x)으로 배열된 제1 리드 프레임(11) 및 제2 리드 프레임(12)과, 상기 제1 리드 프레임(11)과 상기 제2 리드 프레임(12)의 사이에 설치된 제3 리드 프레임(13)과, 상기 제1, 제2, 제3 리드 프레임(11, 12, 13)과 일체로 성형된 수지 성형체(20)를 구비하는 발광 장치용 패키지(100)이며, 상기 제1 리드 프레임(11)은, 제1 본체부(115)와, 상기 제1 본체부(115)로부터 상기 제2 리드 프레임(12)측으로 협폭이 되어 연신하는 제1 연신부(111)를 갖고, 상기 제2 리드 프레임(12)은, 제2 본체부(125)와, 상기 제2 본체부(125)로부터 상기 제1 리드 프레임(11)측으로 협폭이 되어 연신하는 제2 연신부(122)를 갖고, 상기 제1 연신부(111) 및 상기 제2 연신부(122)는 각각, 상면에서 볼 때, 상기 짧은 방향(y)에서 상기 제3 리드 프레임(13)에 대향하고 있다.

公开(公告)号：JP2018535409A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2018520596

申请日：2016-10-14

申请人： レム・インテレクチュアル・プロパティ・エスエイ ,  LEM INTELLECTUAL PROPERTY SA

发明人： ペクー・ジャン・マルク ,  バルバガッロ・デビッド ,  モレル・パスカル

IPC分类号： G01R15/20

CPC分类号： G01R15/207 ,  G01R15/202 ,  G01R19/0092 ,  H01L24/48 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/48247

摘要： ハウジング(10)と、中央通路(18)及び磁気回路間隙(22)を備える磁気コア(6)と、磁気回路間隙内に配置された磁界検出器(8)と、測定される電流を通すための一次導体(14)、及び磁界検出器を外部回路に接続するための磁界検出器導体(16)を備えるリードフレーム導体配列(4)とを含む電流トランスデューサ。一次導体は、磁気コアの中央通路を通って延びた中央部分(15)と、中央部分の両端から延びた水平延長アーム(13)と、外部導体に接続するための接続端(17)とを備える。磁界検出器導体は複数の導体を備え、各導体は、一次導体の中央部分と実質的に位置を合わせられた検知セル接続パッド(21)と、外部回路に接続するための接続端(19)とを備え、ハウジングは、リードフレーム導体配列の一部分取り囲むとともに磁界センサ受容空洞(36)を形成するベース(20)と、検知セルに電気的に接続するために検知セル接続パッドを露出させる本質的に平面状の実装面を提供する、磁界センサ受容空洞の底面とを備え、検知セルは、実装面に結合され、磁界検出器導体の導体に重なるとともに一次導体中央部分からオフセットされる。ハウジングベースは、一次導体の中央部分を取り囲み、磁気コアと一次導体の間の誘電絶縁層を提供する一次導体オーバーモールド部分(30)を更に備える。

公开(公告)号：JP6431967B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2017199473

申请日：2017-10-13

申请人： テッセラ,インコーポレイテッド

发明人： ハーバ,ベルガセム

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/315 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/1401 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399

公开(公告)号：JP6431191B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2017524970

申请日：2016-06-23

申请人： 京セラ株式会社

发明人： 今吉 三千男 ,  森山 陽介

IPC分类号： H05K1/02 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/4807 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/167 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2933/0066 ,  H05K1/02 ,  H05K3/46 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JP2018534771A

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2018517365

申请日：2016-08-05

申请人： レイセオン カンパニー

发明人： ピランズ,ブランドン ダブリュ. ,  マクスパッデン,ジェームズ

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/12 ,  H01L23/02 ,  H01L23/36 ,  H01L25/04

CPC分类号： H05K7/202 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/66 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/72 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/90 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/72 ,  H01L2224/73207 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81901 ,  H01L2224/90 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92163 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06589 ,  H05K13/00 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/11

摘要： 電子モジュール及びその製造方法は、カバー基板上に配置されたカバー電子部品をベース基板上に配置されたベース電子部品と電気的に接続するフリーフォーム自立インターコネクトピラーを含む。フリーフォーム自立インターコネクトピラーは、カバー電子部品とベース電子部品との間の直線経路内で縦方向に延在し得る。フリーフォーム自立インターコネクトピラーは、アディティブ製造プロセスによって設けられる導電性フィラメントから形成され得る。電子部品上に直に自立インターコネクトピラーをフリーフォームすることにより、このような電子モジュールを製造する複雑さ及びコストを低減させながら、電子モジュール設計の柔軟性を高め得る。

公开(公告)号：JP2018186600A

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2017085648

申请日：2017-04-24

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 白石 卓也

IPC分类号： H02M7/48

CPC分类号： H03K17/567 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14252 ,  H01L2924/30107 ,  H02H7/205

摘要： 【課題】短絡電流検出の精度を改善することができる半導体装置を得る。 【解決手段】トランジスタ2はメイン端子8とセンス端子9を有する。N相出力電極4がメイン端子8と第1のワイヤ10,11で接続されている。センス出力電極6がセンス端子9と第2のワイヤ12で接続されている。パッケージ1がトランジスタ2、第1及び第2のワイヤ10,11,12、N相出力電極4の一部、及びセンス出力電極6の一部を封止する。メイン端子8からN相出力電極4までの配線インダクタンスは、センス端子9からセンス出力電極6までの配線インダクタンスよりも大きい。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018532275A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2018521822

申请日：2016-10-14

申请人： アーベーベー・シュバイツ・アーゲー

发明人： ハートマン,サミュエル ,  シュラプバッハ,ウルリヒ

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5381 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導体モジュール(10)は、基板プレート(14)と、基板プレート(14)上のコレクタ導体(16)に取付けられた半導体スイッチチップ(22a)およびダイオードチップ(24a)とを含む。ダイオードチップ(24a)は半導体スイッチチップ(22a)に反平列に電気的に接続されている。半導体スイッチチップ(22a)は、ボンドワイヤ(28)を介して基板プレート(14)上のエミッタ導体(18)に電気的に接続されて、第1のエミッタ電流経路(50a)をもたらし、当該エミッタ導体(18)はダイオードチップ(24a)に対して半導体スイッチチップ(22a)の反対側に配置されている。半導体スイッチチップ(22a)のゲート電極(40a)は、ボンドワイヤ(28)を介して基板プレート(14)上のゲート導体(20)に電気的に接続されて、ゲート電流経路(54a)をもたらし、当該ゲート導体(18)がダイオードチップ(24a)に対して半導体スイッチチップ(22a)の反対側に配置されている。エミッタ導体(18)の突出領域(44)がダイオードチップ(24a)の傍において第1の半導体スイッチチップ(22a)に向かって延びており、第1の半導体スイッチチップ(22a)は、ボンドワイヤ(28)を介して突出領域(44)と直接接続されて、ゲート電流経路(54a)に沿って少なくとも部分的に延びる付加的なエミッタ電流経路(52)をもたらす。半導体スイッチチップ(22a)は第1の半導体スイッチチップであり、ダイオードチップ(24a)は第1のダイオードチップであって、これらは第1の列(42a)に配置されている。半導体モジュール(10)はさらに、コレクタ導体(16)に取付けられた第2の半導体スイッチチップ(22b)と第2のダイオードチップ(24a,24b)との第2の列(42b)を含む。各々の列のダイオードチップ(24a,24b)は、同じ列の半導体スイッチチップ(22a,22b)と反平列に電気的に接続されており、第1の列および第2の列(42a,42b)は並列に電気的に接続されている。第1の半導体スイッチチップ(22a)は第2のダイオードチップ(24b)の傍に配置され、第2の半導体チップ(22b)は第1のダイオードチップ(24a)の傍に配置されている。

公开(公告)号：JP2018170362A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2017065618

申请日：2017-03-29

申请人： 株式会社東芝 ,  東芝デバイス&ストレージ株式会社

发明人： 鎌田 周次

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18 ,  H01L23/29

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/565 ,  H01L23/04 ,  H01L23/16 ,  H01L23/296 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49176 ,  H01L2924/35121 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/028 ,  H05K1/111 ,  H05K1/148 ,  H05K2201/0162 ,  H05K2201/047 ,  H01L2924/00014

摘要： 【課題】プリント基板の熱変形によるシリコーンゲルへの応力を緩和できる半導体モジュールを提供する。 【解決手段】設置面を有する金属基板1と、設置面上に設けられた第1導体11と、第1導体11上に設けられた絶縁基板2と、絶縁基板2上に設けられた第2導体12と、絶縁基板2上に設けられた電極取り出し領域4と、第2導体12上に設けられた半導体素子3と、電極取り出し領域4と電気的に接続し、電気取り出し領域4と電気的に接続される面は設置面に対して垂直となるように配置されるプリント基板6と、金属基板1と接合し、金属基板1、第1導体11、絶縁基板2、第2導体12、電極取り出し領域4、半導体素子3、及びプリント基板6の一部を囲む樹脂ケース7と、金属基板1と樹脂ケース7とに囲まれた領域に設けられたシリコーンゲル8と、を有する半導体モジュール。 【選択図】図2