公开(公告)号：KR102223037B1

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：KR1020140132546A

申请日：2014-10-01

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 한상헌 ,  이동율 ,  김승현 ,  김장미 ,  윤석호 ,  이상준

IPC分类号： H01L33/06

CPC分类号： H01L33/005 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0008 ,  H01L2933/0025

摘要： 본 발명의 일 실시예는, 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 복수의 양자우물층과 복수의 양자장벽층을 교대로 형성함으로써 활성층을 형성하는 단계와, 상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 복수의 양자장벽층은, 상기 제1 도전형 반도체층에 인접한 적어도 하나의 제1 양자장벽층과, 상기 제2 도전형 반도체층에 인접한 적어도 하나의 제2 양자장벽층을 포함하며, 상기 활성층을 형성하는 단계는, 상기 적어도 하나의 제1 양자장벽층을 제1 온도로 성장하는 단계와, 상기 적어도 하나의 제2 양자장벽층을 상기 제1 온도보다 낮은 제2 온도로 성장하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법을 제공할 수 있다.

公开(公告)号：JP6436202B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2017170510

申请日：2017-09-05

申请人： 大日本印刷株式会社

发明人： 柴 崎 聡 ,  冨 田 幸 治 ,  矢 崎 雅 樹 ,  宮 野 和 幸 ,  倉 橋 篤 史 ,  内 海 和 仁

IPC分类号： H01L23/50

CPC分类号： H01L2224/05554 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6434269B2

公开(公告)日：2018-12-05

申请号：JP2014202018

申请日：2014-09-30

申请人： エイブリック株式会社

发明人： 竹沢 真

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6430843B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2015016500

申请日：2015-01-30

申请人： 株式会社ジェイデバイス

发明人： 田中 義浩

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP6429168B2

公开(公告)日：2018-11-28

申请号：JP2015110673

申请日：2015-05-29

申请人： 新電元工業株式会社

发明人： 三川 雅人 ,  松原 寿樹 ,  石塚 信隆 ,  植野 研一郎 ,  押野 浩

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L21/60 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903

公开(公告)号：JP6427451B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2015067841

申请日：2015-03-30

申请人： 株式会社フジクラ

发明人： 冨田 道和

IPC分类号： H01L29/84 ,  B81B7/02 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/50 ,  G01L9/00

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014

公开(公告)号：JP2018178129A

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：JP2018141512

申请日：2018-07-27

申请人： 三菱ケミカル株式会社

发明人： 洪 炳哲 ,  吉野 正彦 ,  長谷 尭 ,  堀部 謙太郎 ,  與安 史子 ,  木島 直人

IPC分类号： F21V9/38 ,  F21S2/00 ,  H01L33/50 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/15 ,  F21Y115/20 ,  F21Y115/30 ,  C09K11/61

CPC分类号： H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】発光ピークの半値幅が狭く、発光特性に優れた赤色蛍光体、及びその製造方法と、この蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置と、この発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置を提供する。 【解決手段】下記式[1]で表される化学組成を有する結晶相を含有し、M 4 とMnとの合計モル数に対するMnの割合が0.1モル%以上40モル%以下であり、かつ、比表面積が1.3m 2 /g以下であることを特徴とする、蛍光体。 M 1 2 M 4 F 6 :R ・・・[1] (前記式[1]中、M 1 は、K、及びNaからなる群から選ばれる1種以上の元素を含有し、M 4 は、Siを含有する金属元素、Rは、少なくともMnを含有する付活元素を表す。) 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018174244A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2017071814

申请日：2017-03-31

申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社

发明人： 松尾 至

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： B29C45/76 ,  B29C45/14467 ,  B29C45/14655 ,  B29C45/1753 ,  B29C45/768 ,  B29C2945/76147 ,  B29C2945/76257 ,  B29C2945/76464 ,  B29C2945/76652 ,  B29C2945/76735 ,  B29L2031/3481 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83

摘要： 【課題】異物検出が可能で、半導体装置の量産に適した半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体装置の製造方法は、リードフレームRFPを準備する工程と、リードフレームに複数の半導体チップを搭載する工程と、リードフレームの一部を封止樹脂で封止する工程を備える。ここで、樹脂封止する工程は、キャビティ部1−C、2−Cが形成された主面1−S1、2−S1を有し、加熱されている金型1、2の主面にリードフレームを配置する工程と、リードフレームの一部を封止樹脂で封止するように、加熱されている金型の主面に樹脂を注入する工程と、リードフレームを加熱されている金型から取り出す工程を有し、取り出す工程では、リードフレームを取り出しながら、センサ15を用いて、金型の主面を検査し、センサは、冷却されており、リードフレームを取り出すアームと一体に構成されている。 【選択図】図17

公开(公告)号：JP6420837B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2016536492

申请日：2014-08-22

申请人： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ

发明人： マーフィー,ジェームズ・エドワード

IPC分类号： C09K11/08 ,  H01L33/50 ,  F21V9/00 ,  F21Y115/10 ,  C09K11/61

CPC分类号： C09K11/675 ,  C09K11/617 ,  F21V9/30 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

公开(公告)号：JP6418398B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2015172321

申请日：2015-09-01

申请人： 大口マテリアル株式会社

发明人： 佐々木 英彦 ,  菱木 薫 ,  大西 憲貴

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014