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公开(公告)号：JP6836239B2
公开(公告)日：2021-02-24
申请号：JP2016198473
申请日：2016-10-06
Applicant: 三井化学株式会社 , 学校法人東京理科大学 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合
IPC: B01J27/04 , B01J35/02 , H01M8/0606 , C01G15/00
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公开(公告)号：JP2021013890A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2019129660
申请日：2019-07-11
Applicant: 国立大学法人 東京大学 , 学校法人東京理科大学 , 三井化学株式会社 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合
IPC: B01J23/652 , B01J23/89 , C01B3/04 , B01J35/02
Abstract: 【課題】可視光を用いて水を水素と酸素に全分解でき、安定かつ合成が容易な単一型の光触媒、および、光触媒の製造方法を提供すること。 【解決手段】2価の錫(Sn 2+ )を含有する錫含有複合酸化物と、周期律表の第6族〜第11族の元素から選択される少なくとも一種の金属を含有する助触媒とを含む光触媒部位と、周期律表の第4族〜第6族の元素から選択される少なくとも一種の金属の酸化物あるいは水酸化物を含む酸化物・水酸化物部位とを含むことを特徴とする光触媒とする。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018058733A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016198472
申请日：2016-10-06
Applicant: 三井化学株式会社 , 学校法人東京理科大学 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合
CPC classification number: Y02E60/364 , Y02P20/135
Abstract: 【課題】カルコパイライト型結晶構造を有する金属化合物ないし光触媒の可視光照射下における水素生成活性および光触媒電極の光電気化学特性を向上することができ、低温・短時間の加熱条件で、大気中でも製造することができる、金属化合物の製造方法、光触媒の製造方法、および光触媒複合体の製造方法。 【解決手段】硫化第一銅、硫化ガリウム、硫化インジウム、及び硫化亜鉛を含む金属硫化物の混合物を、金属塩化物の共存下に、400〜800℃において熱処理することを含む、下記一般式で表されるカルコパイライト型結晶構造を有する金属化合物の製造方法。一般式:Cu x Ga x−y+k In y+j Zn 2(1−x)+m A 2+n (x、y、k、j、m及びnは下記条件を満たし、AはSまたはSe;0
y;0≦k≦0.2;0≦j≦0.2;0≦m≦0.2;0≦n≦0.8;n=3/2k+3/2j+m)
【選択図】図12-
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公开(公告)号：JP6371648B2
公开(公告)日：2018-08-08
申请号：JP2014186373
申请日：2014-09-12
Applicant: 富士フイルム株式会社 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合 , 国立大学法人 東京大学 , 学校法人東京理科大学 , 三井化学株式会社
CPC classification number: C25B11/0405 , B01J21/06 , B01J23/20 , B01J23/22 , B01J23/89 , B01J27/24 , B01J35/004 , B01J35/02 , C01B3/04 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/06 , C25B11/0452 , Y02E60/364 , Y02E60/366
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6956963B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2018062215
申请日：2018-03-28
Applicant: 三井化学株式会社 , 学校法人東京理科大学 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合
IPC: B01J27/057 , B01J27/045 , C01B3/04 , B01J27/04 , B01J35/02
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公开(公告)号：JP2018058732A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016198471
申请日：2016-10-06
Applicant: 三井化学株式会社 , 学校法人東京理科大学 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合
CPC classification number: Y02E60/364 , Y02P20/135
Abstract: 【課題】サルバナイト構造を有する銅バナジウム硫化物ないし該銅バナジウム硫化物を用いる光触媒の水素生成活性およびそれを用いた光電極の光電気化学特性を向上することができる、銅バナジウム硫化物の製造方法、光触媒の製造方法、および助触媒担持Cu 3 VS 4 の製造方法を提供する。 【解決手段】硫化銅(CuS)および硫化バナジウム(V 2 S 3 )を硫黄(S)の存在下に熱処理することを含む、サルバナイト構造を有する銅バナジウム硫化物(Cu 3 VS 4 )の製造方法。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2018058043A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2016198473
申请日：2016-10-06
Applicant: 三井化学株式会社 , 学校法人東京理科大学 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合
IPC: B01J35/02 , H01M8/0606 , B01J27/04
Abstract: 【課題】従来の一般式Cu x Ga x−y In y Zn 2(1−x) A 2 (AはSまたはSeを示す。)で表されるカルコパイライト型の結晶構造を有する複合金属化合物、該複合金属化合物を含む光触媒について、水素生成活性に優れた光触媒およびそれを用いた光電気化学特性に優れた光触媒電極に好適な各成分組成を提供する。 【解決手段】下記一般式で表されるカルコパイライト型の結晶構造を有する複合金属化合物。一般式Cu x Ga x−y+k In y+j Zn 2(1−x)+m A 2+n (n=3/2k+3/2j+m、A=SまたはSe、0.4≦x≦0.8、0.2≦y≦0.8、x>y、0≦k≦0.2、0≦j≦0.2、0≦m≦0.2、0.02≦n≦0.8) 【選択図】図10
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公开(公告)号：JP2016064976A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2015181358
申请日：2015-09-15
Applicant: 国立大学法人 東京大学 , 学校法人東京理科大学 , 三井化学株式会社 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合
Abstract: 【課題】水を分解して水素を製造する光触媒に用いるシーライト構造モノクリニック相のBiVO 4 の高性能化のため、金属がドープされたBiVO 4 、及び、その製造方法の提供。 【解決手段】周期律表の第2族〜第15族に含まれる元素から選ばれる1種以上の金属(X)をバナジン酸塩に予めドープし、更にビスマスイオンと接触させるビスマス化工程を含む、この工程により金属(X)ドープバナジン酸塩を安定化することができ、得られる金属(X)ドープBiVO4の粒子形状を制御することもできる金属(X)ドープBiVO 4 の製造方法。BiVO4にドープする金属(X)としては、電気伝導率を高めることができる点で、Mo又はWが最も好ましい。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供掺杂金属的BiVO，用于增加用于通过水解水解生产氢的光催化剂的白钨结构单斜晶相的BiVO的性能，并提供其制备方法。解决方案： 制备金属（X）掺杂的BiVO意图：预先掺杂一种或多种选自元素周期表第2至15族元素的金属（X）的钒酸盐; 以及掺杂的钒酸盐与铋离子接触的铋盐形成步骤。 该步骤使金属（X）掺杂的钒酸盐稳定，并且金属（X）掺杂的BiV的粒子形状被控制。 作为掺杂BiVO的金属（X），从提高电导率的能力的观点出发，Mo或W是最优选的。图1
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公开(公告)号：JP2016055279A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014186373
申请日：2014-09-12
Applicant: 富士フイルム株式会社 , 人工光合成化学プロセス技術研究組合 , 国立大学法人 東京大学 , 学校法人東京理科大学 , 三井化学株式会社
IPC: C01B3/04 , B01J21/06 , B01J23/20 , B01J23/22 , B01J23/89 , B01J27/24 , C25B11/06 , C25B11/08 , B01J35/02
CPC classification number: B01J21/06 , B01J23/20 , B01J23/22 , B01J23/89 , B01J27/24 , B01J35/02 , C01B3/04 , C25B11/04 , Y02E60/364
Abstract: 【課題】高い光電流密度を示すと共に、暗電流が低減された、水分解用光触媒電極を提供する。 【解決手段】光触媒層と、光触媒層上に配置され、蒸着法にて形成される集電層と、を有する水分解用光触媒電極。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种水分解用光催化剂电极，其具有高的光电流密度，同时减少暗电流。溶液：用于水分解的光催化剂电极包括光催化剂层和形成在光催化剂层上的集电体层 通过气相沉积方法。选择图：无
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