专利检索 ap:("三星電子株式会社") AND inv:"承宰李" 第 1 页

1.

发明专利
Nonvolatile semiconductor memory device having a structure of a load-free type wired-OR, and a driving method thereof 有权

公开(公告)号：JP5174323B2

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：JP2006000167

申请日：2006-01-04

申请人： 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 承宰李

IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/04

CPC分类号： G11C16/3459 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3454

2.

发明专利
Nonvolatile semiconductor memory device including the same and a page buffer of wired-OR type having a cache function, and a driving method thereof 有权

公开(公告)号：JP5132885B2

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：JP2006000816

申请日：2006-01-05

申请人： 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 城秀李 , 敏洙金 , 承宰李

IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06

CPC分类号： G11C16/3459 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/3454

3.

发明专利
Multi-level high voltage generator 有权

公开(公告)号：JP4824295B2

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：JP2004314667

申请日：2004-10-28

申请人： 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 承宰李 , 大錫邊

IPC分类号： G11C16/06 , H02M3/07 , G11C5/14 , G11C16/30 , H03H11/24 , H03H11/26

CPC分类号： G11C16/30 , G11C5/145 , H02M3/07 , H02M2001/009 , H03H11/245

4.

发明专利
Nonvolatile memory devices and systems, including multi-level cell using a modified read voltage, and operating method thereof 有权

公开(公告)号：JP5473264B2

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：JP2008170893

申请日：2008-06-30

申请人： 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.

发明人： 東求姜 , 東赫蔡 , 承宰李

IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04

CPC分类号： G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3404

5.

发明专利
Of the ink-jet printer paper ejection and position control device 有权

公开(公告)号：JP3656909B2

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：JP2002195924

申请日：2002-07-04

申请人： 三星電子株式会社

发明人： 承宰李

IPC分类号： B41J2/01 , B41J11/36 , B41J11/42 , B41J13/00 , B41J13/10 , B65H29/14 , B65H29/22 , B65H29/34

CPC分类号： B65H29/14 , B41J13/106 , B65H29/34 , B65H2301/4212 , B65H2402/31 , B65H2402/543 , B65H2403/45 , B65H2403/732 , B65H2404/14 , B65H2601/251