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公开(公告)号:JPWO2020026879A1
公开(公告)日:2021-09-09
申请号:JP2019028741
申请日:2019-07-23
申请人: 三菱瓦斯化学株式会社
摘要: 本発明は、有用な下層膜形成組成物を提供することを課題とする。前記課題は、以下の下層膜形成組成物により解決できる。下記式(1)で表される構成単位を有する化合物、及び溶媒を含む下層膜形成組成物であって、 前記化合物の重量平均分子量が、ポリスチレン換算分子量で、1000〜30000であり、 前記化合物のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対する溶解性が23℃で10質量%以上である下層膜形成組成物。 【化1】 (式(1)中、 Aは、単結合または2価の基であり、 R 1 は、各々独立して、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、チオール基又は水酸基であり、 R 2 は、各々独立して、炭素数1〜10の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基、炭素数2〜10のアルケニル基、炭素数2〜10のアルキニル基、チオール基又は水酸基であり、 R 2 の少なくとも1つは、水酸基及び/又はチオール基であり、 m 1 は、各々独立して、0〜5の整数であり、 m 2 は、各々独立して、0〜8の整数であり、 p 2 は、各々独立して、0〜2の整数である。)
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公开(公告)号:JP5857745B2
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:JP2011543109
申请日:2010-11-25
申请人: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号: C07C41/30 , G03F7/038 , G03F7/004 , H01L21/027 , C07C43/253
CPC分类号: G03F7/0382 , C07C41/30 , C07C43/23 , C07C43/253 , C07C2101/14
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公开(公告)号:JPWO2020027206A1
公开(公告)日:2021-08-12
申请号:JP2019030042
申请日:2019-07-31
申请人: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号: C07D311/82 , C08L61/04
摘要: ポリフェノール化合物(B)と、溶媒と、を含む組成物であって、前記ポリフェノール化合物(B)が、下記式(1)で表される化合物及び下記式(2)で表される構造を有する樹脂から選ばれる少なくとも一種である組成物。 【化1】 (前記式中、R Y ,R T ,X,m,N,r,Lについては明細書に記載の通りである。)
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公开(公告)号:JPWO2019230639A1
公开(公告)日:2021-07-26
申请号:JP2019020864
申请日:2019-05-27
申请人: 三菱瓦斯化学株式会社
摘要: 本発明は、リソグラフィー用膜形成材料等に有用な新規化合物等を提供することを目的とする。前記目的は、下記式(1)で表される化合物によって達成することができる。 【化1】
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公开(公告)号:JPWO2019142897A1
公开(公告)日:2021-02-25
申请号:JP2019001421
申请日:2019-01-18
申请人: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号: C07C321/28 , G03F7/11 , G03F7/20 , C07D409/04 , C07D311/78 , C07D409/14 , C07D333/56 , C07D495/04 , C07C321/26
摘要: 本発明の課題は、湿式プロセスが適用可能であり、耐熱性、溶解性及びエッチング耐性に優れるフォトレジスト及びフォトレジスト用下層膜を形成するために有用な化合物等を提供することである。前記課題は、下記式(1)で表される化合物によって解決できる。 【化1】
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公开(公告)号:JPWO2020158931A1
公开(公告)日:2021-12-02
申请号:JP2020003740
申请日:2020-01-31
申请人: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号: C07C69/712 , C07C69/96 , C07C43/205 , C07C69/54 , C07C271/48 , C07C43/225 , C07C43/295 , C07C43/215 , C07C37/72 , C07C41/38 , C07C51/48 , C07D303/27 , G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/20 , C07C39/16
摘要: 本発明は、リソグラフィー用膜形成材料又は光学部品形成用材料として有用な新規化合物、当該化合物を由来とする構成単位を含む樹脂、組成物、レジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、精製方法を提供することを目的とする。 式(1)で表される化合物、当該化合物を由来とする構成単位を含む樹脂、当該化合物及び当該樹脂からなる群より選ばれる1種以上を含有する組成物、当該組成物を用いたレジストパターン形成方法、回路パターン形成方法、及び、その精製方法。
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公开(公告)号:JP6268677B2
公开(公告)日:2018-01-31
申请号:JP2014542162
申请日:2013-10-16
申请人: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC分类号: G03F7/027 , C07C39/17 , C07C2601/14 , C07C2603/92 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0382 , H01L21/027
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