公开(公告)号：KR102229738B1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020207002013A

申请日：2016-08-18

Applicant: 아사히 가세이 가부시키가이샤

Inventor： 도모히로 요리스에 ,  요시토 이도 ,  다이헤이 이노우에 ,  하루미 마츠다

IPC: G03F7/037 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: G03F7/037 ,  C08G73/1071 ,  C08L79/08 ,  G03F7/031 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0388 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  G03F7/2002 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: 고온 보존 시험 후, Cu 층의, 폴리이미드층에 접하는 계면에서 보이드가 발생하기 어려워, 밀착성이 높은 폴리이미드층이 얻어지는 감광성 수지 조성물, 그 감광성 수지 조성물을 사용한 폴리이미드를 제공할 수 있다. 및, 고온 보존 시험 후, Cu 층이 폴리이미드층에 접하는 계면에서 보이드가 발생하기 어려워, 고온 보존 시험 후의 쇼트나 단선이 생기기 어려운 반도체 장치를 제공한다. 감광성 폴리이미드 전구체인 (A) 성분과, 일반식 (B1) 로 나타내는 구조를 포함하는 (B) 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성 수지 조성물.

(식 (B1) 중, Z 는 황 또는 산소 원자이고, 그리고 R
1 ∼ R
4 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1 가의 유기기를 나타낸다.)

公开(公告)号：JP2018535448A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2018518595

申请日：2016-11-02

Applicant: アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ

Inventor： 鈴 木 理 人 ,  仁 川 裕 ,  片 山 朋 英

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/038

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/40

Abstract: 【課題】高耐熱性レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法の提供。 【解決手段】本発明による特定のポリマーおよび架橋剤等を含んでなる化学増幅型ネガ型レジスト組成物を用いることによって、高感度であり、優れた解像性および耐熱性を有するレジストパターンを形成することができる。

公开(公告)号：JP6418248B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2016560848

申请日：2016-09-26

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 谷垣 勇剛 ,  亀本 聡 ,  三好 一登

IPC: G03F7/032 ,  G03F7/075 ,  G03F7/027 ,  G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  H01L51/50 ,  H05B33/28 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10 ,  G02B5/20 ,  G02F1/1335 ,  C08G73/10 ,  C08G73/22 ,  G03F7/037

CPC classification number: G03F7/0387 ,  C08G73/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/028 ,  G03F7/037 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0381 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/075 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/2014 ,  G03F7/2037 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/22 ,  H05B33/28

公开(公告)号：JP2018158924A

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：JP2018096235

申请日：2018-05-18

Applicant: 東京応化工業株式会社

Inventor： 塩田 大 ,  野田 国宏 ,  千坂 博樹

IPC: C07C43/23 ,  C08F20/10 ,  C07C43/215

CPC classification number: C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C69/54 ,  C07C309/66 ,  C07C2603/18 ,  C08F16/12 ,  C08F16/24 ,  C08F16/30 ,  C08F16/32 ,  C08F22/14 ,  C08F222/10 ,  C08L33/14 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/027 ,  G03F7/028 ,  G03F7/0382

Abstract: 【課題】新規なビニル基含有化合物を含有する組成物を提供する。 【解決手段】本発明に係る組成物は、下記一般式(1)で表されるビニル基含有化合物を含有する。式中、W 1 及びW 2 は下記一般式(2)(式中、環Zは芳香族炭化水素環、Xは単結合又は−S−で示される基、R 1 は単結合又は炭素数1〜4のアルキレン基、R 2 は1価炭化水素基等の特定の置換基、mは0以上の整数である。)で表される基、下記一般式(4)で表される基(式中、環Z、X、R 1 、R 2 、及びmは前記の通りである。)、水酸基、又は(メタ)アクリロイルオキシ基、環Y 1 及び環Y 2 は芳香族炭化水素環、Rは単結合又は特定の二価基、R 3a 及びR 3b はシアノ基、ハロゲン原子、又は1価炭化水素基、n1及びn2は0〜4の整数である。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP6382362B2

公开(公告)日：2018-08-29

申请号：JP2017009006

申请日：2017-01-20

Applicant: 旭化成株式会社

Inventor： 渋井 智史 ,  平田 竜也 ,  佐々木 隆弘 ,  山田 泰輔

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  C08G61/02 ,  G03F7/20 ,  G03F7/023

CPC classification number: G03F7/0233 ,  C08G8/22 ,  C08G16/0225 ,  C08G61/02 ,  C08G61/127 ,  C08G61/128 ,  C08G2261/3424 ,  C08G2261/76 ,  C08L61/12 ,  C08L65/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/022 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/023 ,  G03F7/0236 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0384 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/162 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293

公开(公告)号：JP6347365B2

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：JP2014164854

申请日：2014-08-13

Applicant: HOYA株式会社

Inventor： 福井 亨

IPC: G03F1/50

CPC classification number: G03F1/50 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/16

公开(公告)号：JP2018063382A

公开(公告)日：2018-04-19

申请号：JP2016202352

申请日：2016-10-14

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 淺井 聡 ,  曽我 恭子 ,  加藤 英人

IPC: G03F7/038 ,  C08G59/62 ,  G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G77/38 ,  C09D133/08 ,  C09D133/24 ,  C09D163/00 ,  C09D167/00 ,  C09D175/04 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/11 ,  G03F7/161 ,  G03F7/2002

Abstract: 【課題】 化学増幅ネガ型レジスト材料を用いた場合でも開口部形状に優れたパターン形成を可能にする積層体、及び該積層体を用いたパターン形成方法を提供する。 【解決手段】 化学増幅ネガ型レジスト層と、その上に分子量10,000以下の塩基性化合物を0.001〜10質量%含む塩基性樹脂皮膜層とを備える積層体。 【選択図】 なし

公开(公告)号：JP6313045B2

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：JP2013544300

申请日：2012-11-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 越後 雅敏 ,  山川 雅子

IPC: C07C67/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  H01L21/027 ,  C07C69/54

CPC classification number: G03F7/027 ,  C07C67/14 ,  C07C69/54 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/92 ,  G03F7/0382

公开(公告)号：JP2018060193A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2017189916

申请日：2017-09-29

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 上村 哲也

IPC: G03F7/38 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  C08F220/28 ,  G03F7/32

CPC classification number: G03F7/0382 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  C08F2220/1808 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

Abstract: 【課題】現像性及び欠陥抑制性能に優れたパターン形成方法を提供する。また、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法を提供する。また、現像性及び欠陥抑制性能に優れたパターンを形成できるキットを提供する。 【解決手段】感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記レジスト膜を露光する露光工程と、露光された上記レジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を有するパターン形成方法であって、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特定構造で表される酸分解性樹脂を含有し、上記現像液として、有機溶剤と、アルコール不純物と、金属原子を少なくとも含有する金属不純物とを含有する薬液であって、上記アルコール不純物の合計含有量が、薬液の全質量に対して0.01質量ppb〜1000質量ppmである薬液を用いる、パターン形成方法。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2018060069A

公开(公告)日：2018-04-12

申请号：JP2016197752

申请日：2016-10-06

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 畠山 潤 ,  大橋 正樹 ,  佐々見 武志

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  C09K3/00 ,  C08F12/14 ,  C08F20/10 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  C07C51/00 ,  C07C51/41 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F220/28 ,  C08F220/30 ,  C08F2220/283 ,  C08F2220/301 ,  C08F2800/20 ,  C09D125/18 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0274 ,  C08F212/32 ,  C08F220/20 ,  C08F220/24 ,  C08F2220/1891 ,  C08F2220/282

Abstract: 【課題】増感効果が高く、酸拡散を抑える効果も有し、解像性、LWR、CDUが良好なレジスト材料、及びこれを用いるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】ベースポリマーと、下記式(A)で表されるカルボン酸塩又は下記式(B)で表されるスルホンアミド塩とを含むレジスト材料。 【選択図】なし