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公开(公告)号：JP5844025B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2007239726
申请日：2007-09-14
发明人： バンクイウ ウー
CPC分类号： G03F1/80 , G03F1/58 , G03F1/30 , Y10T428/31616
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公开(公告)号：JP5841797B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2011222907
申请日：2011-10-07
申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
CPC分类号： H01L21/3065 , G03F1/0046 , G03F1/28 , G03F1/30 , H01L21/3085 , G03F1/26
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公开(公告)号：JP5349729B2
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：JP2003551611
申请日：2002-12-09
发明人： ピー． ルーカンク トッド , エイ． スペンス クリストファー
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/68 , G03F1/00 , G03F1/30 , H01L21/027
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4.发明专利Lithographic mask and method of manufacturing lithographic mask 有权LITHOGRAPHIC MASK和制造LITHOGRAPHIC MASK的方法
公开(公告)号：JP2013101387A
公开(公告)日：2013-05-23
申请号：JP2013018672
申请日：2013-02-01
申请人： Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg , アドバンスド マスク テクノロジー センター ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲーAdvanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG
发明人： ROLFF HAIKO , BYLOOS CARLA , NOELSCHER CHRISTOPH , MORGANA NICOLO , KOEHLE RODERICK , MOUKARA MOLELA , NEUBAUER RALF , PFORR RAINER , SAVIGNAC DOMINIQUE
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a lithographic mask that has a structure used to pattern a protective barrier structure on a semiconductor wafer and has a region in the mask insulated.SOLUTION: The lithographic mask includes a first layer formed of a conductor and having a groove and a second layer including a region, a section, and a grooved transparent structure surrounding the section. The first layer and second layer are so formed as to reduce a difference in electric potential of the second layer, the grooved transparent structure separates the section and region from each other, and materials of the first layer and second layer are so selected that no difference in electric potential is generated between the section and the region.
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种具有用于在半导体晶片上形成保护屏障结构的结构的光刻掩模，并且在掩模中具有绝缘区域。 光刻掩模包括由导体形成并具有凹槽的第一层和包括围绕该部分的区域，部分和带槽的透明结构的第二层。 第一层和第二层被形成为减少第二层的电位差，带槽的透明结构将部分和区域彼此分开，并且第一层和第二层的材料被选择成没有差异 在区域和区域之间产生电位。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP4909495B2
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：JP2003504163
申请日：2002-06-07
发明人： ミチェル ルク コート , クリストフ ピエラ
IPC分类号： G03F1/68 , G03C5/00 , G03F20060101 , G03F1/30 , G03F1/36 , G03F7/20 , G03F9/00 , G06F17/50 , H01L21/027
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公开(公告)号：JP4741565B2
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：JP2007276314
申请日：2007-10-24
发明人： ファイケ アクセル , ヴァンデル ティーモ , ヴァイブリンガー マークス
IPC分类号： G03F1/00 , H01L21/027
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8.发明专利Lithography mask, and manufacturing method of lithography mask 有权LITHOGRAPHY MASK和LITHOGRAPHY MASK的制造方法
公开(公告)号：JP2010250318A
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：JP2010092413
申请日：2010-04-13
申请人： Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co Kg , アドバンスド マスク テクノロジー センター ゲーエムベーハー ウント ツェーオー カーゲーAdvanced Mask Technology Center GmbH & Co. KG
发明人： ROLFF HAIKO , BYLOOS CARLA , NOELSCHER CHRISTOPH , MORGANA NICOLO , KOEHLE RODERICK , MOUKARA MOLELA , NEUBAUER RALF , PFORR RAINER , SAVIGNAC DOMINIQUE
IPC分类号： G03F1/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve such a problem that when a pattern arranged at the inside or the outside of barrier structure is manufactured, etching is performed at different rates caused by different charge states of different regions being insulated each other. SOLUTION: This lithography mask includes a first layer 31 including a groove, a second layer 32 including regions, sections, and groove shaped transparent structure surrounding the sections, wherein the first layer 31 and the second layer 32 are formed so as to decrease difference of electric potentials generated in the second layer 32. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译： 解决这样的问题：为了解决这样的问题，当制造布置在阻挡结构的内部或外部的图案时，以不同的彼此绝缘的区域的不同电荷状态引起的不同速率进行蚀刻。 解决方案：该光刻掩模包括包括凹槽的第一层31，包括区域的第二层32，以及包围该区段的槽形透明结构，其中第一层31和第二层32形成为 降低第二层32中产生的电位差。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP4486364B2
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：JP2003577058
申请日：2003-02-27
发明人： ピエラ，クリストフ
IPC分类号： G03F1/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/3205
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