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    ハイブリッド基板の製造方法及びハイブリッド基板
    1.
    发明专利
    ハイブリッド基板の製造方法及びハイブリッド基板 有权
    生产方法和混合型衬底的混合型衬底

    公开(公告)号：JPWO2014017369A1

    公开(公告)日：2016-07-11

    申请号：JP2014526881

    申请日：2013-07-18

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 小西　繁 ,  繁 小西 ,  芳宏 久保田 ,  芳宏 久保田

    IPC: H01L21/02 ,  B23K20/00 ,  B23K20/16 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

    CPC classification number: H01L21/76254

    Abstract: 半導体製造ラインに投入可能なハイブリッド基板の製造方法、すなわち、シリコン基板1の表面からイオンを注入してイオン注入領域3を形成し、上記シリコン基板のイオン注入した表面とサファイア基板4の表面とを直接又は絶縁膜2を介して貼り合わせた後、上記イオン注入領域3でシリコン基板1を剥離させてサファイア基板4上にシリコン薄膜(半導体層)6を有するハイブリッド基板8を得るハイブリッド基板の製造方法であって、上記サファイア基板4を予め還元性雰囲気中で熱処理した後にシリコン基板1と貼り合わせることを特徴とする。

    Abstract translation: 制造方法，其可以被放置在半导体生产线，即通过从硅衬底1的表面注入离子形成的离子注入区域3中，离子注入面和所述硅衬底的表面的蓝宝石衬底4的混合基板的方法 直接或经由绝缘膜2键合之后，混合基板的制造方法，由通过离子注入区3剥离硅基板1获得具有硅薄膜的蓝宝石衬底4上的混合型衬底8（半导体层）6 一个的特征在于通过预先还原气氛中蓝宝石衬底4热处理后粘合在硅衬底1。

    Crystal quality improvement method of a bonded substrate subjected to sandblast processing
    6.
    发明专利
    Crystal quality improvement method of a bonded substrate subjected to sandblast processing 有权

    公开(公告)号：JP5335564B2

    公开(公告)日：2013-11-06

    申请号：JP2009133342

    申请日：2009-06-02

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 昌次 秋山 ,  芳宏 久保田 ,  信 川合 ,  優二 飛坂 ,  繁 小西 ,  義弘 野島

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304

    CPC classification number: B24C1/06 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/187 ,  H01L21/30608

    Abstract: Provided is a method to prevent micro defects from being generated, in a process in which a peeling-off damaged layer of a Si-layer is to be removed by etching, and a donor film is to be formed, when implementing sandblast processing on the handle-substrate side, after forming the Si-layer with the SiGen method or the like, and after protecting the surface of a paste-together layer in advance. Provided is a method of manufacturing a paste-together substrate equipped with a donor film on the handle-substrate, which comprises: a process (S1) in which the paste-together layer is formed on aforementioned handle-substrate, with the ion-implantation peeling-off method; a process (S2) in which the surface of aforementioned paste-together layer is covered with a protection member; a process (S3) in which sandblast processing is implemented on the surface of aforementioned handle-substrate; a process (S5) in which aforementioned protection member is peeled off; a process (S6) in which washing without any etching effect is implemented on the surface of the paste-together layer that already had aforementioned peeling-off of protection member implemented; and a process (S7) in which aforementioned donor film is formed, by performing chemical etching on the surface of the paste-together layer that already had aforementioned washing process implemented.

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