公开(公告)号：JP5466410B2

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：JP2009024871

申请日：2009-02-05

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 昌次 秋山 ,  芳宏 久保田 ,  厚雄 伊藤 ,  好一 田中 ,  信 川合 ,  優二 飛坂 ,  博 田村

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/78603 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254

公开(公告)号：JP5336101B2

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：JP2008094596

申请日：2008-04-01

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 信 川合 ,  芳宏 久保田 ,  厚雄 伊藤 ,  好一 田中 ,  優二 飛坂 ,  昌次 秋山 ,  博 田村

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  Y10S438/964 ,  Y10S438/967

Abstract: Provided is a method for producing an SOI substrate comprising a transparent insulating substrate and a silicon film formed on a first major surface of the insulating substrate wherein a second major surface of the insulating substrate which is opposite to the major surface is roughened, the method suppressing the generation of metal impurities and particles in a simple and easy way. More specifically, provided is a method for producing an SOI substrate comprising a transparent insulating substrate, a silicon film formed on a first major surface of the transparent insulating substrate, and a roughened second major surface, which is opposite to the first major surface, the method comprising steps of: providing the transparent insulating substrate, mirror surface-processing at least the first major surface of the transparent insulating substrate, forming a silicon film on the first major surface of the transparent insulating substrate, and laser-processing the second major surface of the transparent insulating substrate so as to roughen the second major surface by using a laser.

公开(公告)号：JP5166745B2

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：JP2007056870

申请日：2007-03-07

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 厚雄 伊藤 ,  昌次 秋山 ,  信 川合 ,  好一 田中 ,  優二 飛坂 ,  芳宏 久保田

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/056 ,  H01L21/76254 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP5090716B2

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：JP2006317563

申请日：2006-11-24

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 厚雄 伊藤 ,  昌次 秋山 ,  信 川合 ,  好一 田中 ,  優二 飛坂 ,  芳宏 久保田

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP5065748B2

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：JP2007118504

申请日：2007-04-27

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 芳宏 久保田 ,  厚雄 伊藤 ,  信 川合 ,  好一 田中 ,  昌次 秋山 ,  優二 飛坂

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

公开(公告)号：JP5064692B2

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：JP2006031913

申请日：2006-02-09

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 芳宏 久保田 ,  厚雄 伊藤 ,  信 川合 ,  好一 田中 ,  昌次 秋山 ,  優二 飛坂

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78603

Abstract: A heating plate (32) having a smooth surface is placed on a hot plate (31) which constitutes a heating section, and the smooth surface of the heating plate (32) is closely adhered on the rear surface of a single-crystal Si substrate (10) bonded to a transparent insulating substrate (20). The temperature of the heating plate (32) is kept at 200°C or higher but not higher than 350°C. When the rear surface of the single-crystal Si substrate (10) bonded to the insulating substrate (20) is closely adhered on the heating plate (32), the single-crystal Si substrate (10) is heated by thermal conduction, and a temperature difference is generated between the single-crystal Si substrate and the transparent insulating substrate (20). A large stress is generated between the both substrates due to rapid expansion of the single-crystal Si substrate (10), thus separation takes place at a hydrogen ion-implanted interface.

公开(公告)号：JP4955367B2

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：JP2006297942

申请日：2006-11-01

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 芳宏 久保田 ,  厚雄 伊藤 ,  信 川合 ,  好一 田中 ,  昌次 秋山 ,  優二 飛坂

IPC: H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/547

公开(公告)号：JP4722337B2

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：JP2001235445

申请日：2001-08-02

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 忠克 島田 ,  秀夫 平沢 ,  優二 飛坂

IPC: C03B37/018 ,  G02B6/00

公开(公告)号：JP4365333B2

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：JP2005045344

申请日：2005-02-22

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 優二 飛坂

IPC: C03B37/012 ,  G02B6/00

公开(公告)号：JPWO2014178356A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：JP2015514836

申请日：2014-04-21

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 優二 飛坂 ,  昌次 秋山 ,  芳宏 久保田 ,  信 川合 ,  和寿 永田

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L27/1207 ,  H01L29/0649

Abstract: シリコン基板上に第1シリコン酸化膜とシリコン活性層とをこの順番で積層してなり、該シリコン基板面外周部に上記シリコン活性層を有しないテラス部を形成したSOI基板を準備し、SOI基板のシリコン活性層表面に第2シリコン酸化膜を形成し、上記SOI基板及び該SOI基板と熱膨張率の異なる支持基板の貼り合わせる面を活性化処理し、上記SOI基板と支持基板とを室温より高温で第2シリコン酸化膜を介して貼り合わせ、次いで、上記貼り合わせ基板についてSOI基板と支持基板の結合力を高める結合熱処理と、上記シリコン基板を研削して薄化する研削薄化処理との組み合わせを所定の熱処理温度条件及び板厚薄化条件で少なくとも2回繰り返して行い、上記薄化したシリコン基板をエッチングにより除去して第1シリコン酸化膜を露出させ、更に第1シリコン酸化膜をエッチングにより除去することにより、基板外周のトリミングを行わず基板外周部のシリコン活性層の部分的な剥離等の不具合がなく、良質なシリコン活性層を有するSOI構造のハイブリッド基板を得る。

Abstract translation: 由第一氧化硅膜和在该顺序成为一个硅衬底的硅有源层，以及与硅有源层的在硅衬底表面周边部分上的没有平台部，SOI衬底形成的SOI基板层叠 形成在硅有源层表面上的第二氧化硅膜，所述SOI衬底和SOI衬底和热膨胀系数活化处理的不同支撑基板，比室温的接合表面和支撑衬底和SOI衬底 通过在高温下的第二氧化硅膜，然后结合为将键合衬底和结合热处理通过研磨硅基板来增加SOI衬底的接合强度和支撑衬底，减薄的磨削减薄工艺 组合重复在预定的热处理温度下进行至少两次，并且将厚度减薄的条件下，通过以上描述的减薄硅衬底以暴露所述第一氧化硅膜通过蚀刻去除，另外的第一 通过腐蚀去除氧化硅膜，局部无缺陷诸如但修剪基板周边的，得到具有高品质的硅活性层的SOI结构的混合基板在基板周边部分的硅活性层的剥离 。