公开(公告)号：JP5644293B2

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：JP2010203252

申请日：2010-09-10

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 吉川　博樹 ,  博樹 吉川 ,  稲月　判臣 ,  判臣 稲月 ,  小板橋　龍二 ,  龍二 小板橋 ,  金子　英雄 ,  英雄 金子 ,  原口　崇 ,  崇 原口 ,  洋介 小嶋 ,  洋介 小嶋 ,  智一 廣瀬 ,  智一 廣瀬

IPC: G03F1/32

CPC classification number: G03F1/72 ,  G03F1/32 ,  G03F1/48 ,  G03F1/50

公开(公告)号：JP5270647B2

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：JP2010271796

申请日：2010-12-06

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 博樹 吉川 ,  判臣 稲月 ,  英雄 金子

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C23C14/0676 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414

Abstract: A silicon target for sputtering film formation which enables formation of a high-quality silicon-containing thin film by inhibiting dust generation during sputtering film formation is provided. An n-type silicon target material 10 and a metallic backing plate 20 are attached to each other via a bonding layer 40. A conductive layer 30 made of a material having a smaller work function than that of the silicon target material 10 is provided on a surface of the silicon target material 10 on the bonding layer 40 side. That is, the silicon target material 10 is attached to the metallic backing plate 20 via the conductive layer 30 and the bonding layer 40. In a case of single-crystal silicon, a work function of n-type silicon is generally 4.05 eV. A work function of a material of the conductive layer 30 needs to be smaller than 4.05 eV.

公开(公告)号：JP5166058B2

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：JP2008025200

申请日：2008-02-05

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 慎泰 福島 ,  博樹 吉川

IPC: G03F1/68 ,  G03F1/82 ,  H01L21/673

公开(公告)号：JP4674170B2

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：JP2006035435

申请日：2006-02-13

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 博樹 吉川 ,  伸一 高野

IPC: C03C17/34 ,  G03F1/32 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JP4650608B2

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：JP2004147403

申请日：2004-05-18

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 博樹 吉川 ,  慎泰 福島 ,  英雄 金子

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C25B9/00 ,  C25B11/00 ,  C25B13/00 ,  G03C5/00 ,  G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/32 ,  C23C14/0676

公开(公告)号：JP4509050B2

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：JP2006065800

申请日：2006-03-10

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 匡 佐賀 ,  和明 千葉 ,  崇 原口 ,  博樹 吉川 ,  洋介 小嶋 ,  智 岡崎 ,  祐一 福島 ,  判臣 稲月

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/68

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/38 ,  G03F1/46 ,  G03F1/58 ,  G03F1/80 ,  Y10T428/31616

公开(公告)号：JP4407815B2

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：JP2004263161

申请日：2004-09-10

Applicant: 信越化学工業株式会社 ,  凸版印刷株式会社

Inventor： 匡 佐賀 ,  崇 原口 ,  博樹 吉川 ,  智 岡崎 ,  政秀 岩片 ,  祐一 福島 ,  判臣 稲月 ,  幹夫 高木

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/46 ,  G03F1/58 ,  G03F1/68

公开(公告)号：JP4177151B2

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：JP2003093280

申请日：2003-03-31

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 博樹 吉川 ,  智 岡崎 ,  慎泰 福島 ,  判臣 稲月

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  H01L21/027

公开(公告)号：JPWO2016009590A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：JP2016534095

申请日：2015-06-19

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 広太 高橋 ,  広太 高橋 ,  貴一 廣瀬 ,  貴一 廣瀬 ,  古屋　昌浩 ,  昌浩 古屋 ,  博道 加茂 ,  博道 加茂 ,  吉川　博樹 ,  博樹 吉川

IPC: H01M4/48 ,  H01M4/13 ,  H01M4/36

CPC classification number: H01M4/366 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/483 ,  H01M4/587 ,  H01M4/62 ,  H01M4/625 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525

Abstract: 本発明は、負極活物質粒子を有する非水電解質二次電池用負極材であって、負極活物質粒子が、SiOx(0.5≦x≦1.6)で表されるケイ素化合物、及び該ケイ素化合物の表面を被覆する炭素成分からなる炭素被覆層から成り、負極活物質粒子が、鱗珪石構造を有するSiO2成分を含み、かつ、X線回折において、21.825°付近で得られる回折ピークの半値幅(2θ)が0.15°以下のものであることを特徴とする非水電解質二次電池用負極材である。これにより、電池容量の増加、サイクル特性及び初期充放電特性を向上させることが可能な非水電解質二次電池用負極材が提供される。

公开(公告)号：JP5257256B2

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：JP2009140374

申请日：2009-06-11

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 慎一 五十嵐 ,  判臣 稲月 ,  英雄 金子 ,  博樹 吉川 ,  良紀 木名瀬

IPC: G03F1/54 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/80