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公开(公告)号：JP2017098577A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2017012743
申请日：2017-01-27
Applicant: 信越化学工業株式会社
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/324 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L29/0642 , H01L29/78603
Abstract: 【課題】酸化膜を形成するために850℃を超える高温処理を行った後において、微小クラック等の欠陥を可及的に低減させた熱酸化異種複合基板の製造方法を提供する。 【解決手段】透明なハンドル基板上に厚さ50〜500nmの単結晶シリコン膜を貼り合わせた異種複合基板に対し熱酸化処理して該単結晶シリコン膜に熱酸化膜を形成する熱酸化異種複合基板の製造方法であって、上記異種複合基板を熱酸化処理する場合に、650〜850℃、0.5時間以上の前段熱処理を加えた後、850℃を超えた温度で熱酸化処理を施すことを特徴とする熱酸化異種複合基板の製造方法である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020112603A
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2019001329
申请日：2019-01-08
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L27/12 , G09F9/30 , G02F1/13 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/00
Abstract: 【課題】 遮光層を設けることなく、透過型のマイクロディスプレイ基板を製造する。 【解決手段】(i)単結晶シリコン層を備える第1基板表面に回路層を形成する工程と、 (ii)前記第1基板の前記回路層が形成された面に、接着剤を用いて第2基板を貼り合せる工程と、 (iii)前記第1基板の裏面を薄化する工程と、 (iv)前記第1基板の薄化された面に、接着剤を用いて透明基板である第3基板を貼り合せる工程と、 (v)前記第2基板を、前記第1基板から除去する工程と、 (vi)前記第2基板が分離された前記第1基板表面の接着剤を除去し、回路層表面を露出させる工程とを含み、工程(i)が、アクティブ層、ゲート層及び配線層を順に形成する工程を含み、前記配線層が、入射光から、前記アクティブ層及びゲート層を遮蔽する位置関係で設けられる、マイクロディスプレイ基板の製造方法。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP6288323B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2017012743
申请日：2017-01-27
Applicant: 信越化学工業株式会社
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/324 , H01L21/7624 , H01L21/76251 , H01L29/0642 , H01L29/78603
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公开(公告)号：JP6239396B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2014019558
申请日：2014-02-04
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/304
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公开(公告)号：JP6914227B2
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：JP2018114730
申请日：2018-06-15
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L21/02
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2019220511A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018114730
申请日：2018-06-15
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: H01L27/12 , G02F1/1368 , H01L21/02
Abstract: 【課題】 トランジスタの小型化を図るため、単結晶のSi層を有する小口径の基板を用いても、大口径の透明基板を有するマイクロディスプレイ用基板を製造できるとともに、接着剤を用いても光の透過率が落ちることを防ぐことができる、マイクロディスプレイ用基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 単結晶のSi層を有する小口径の第1の基板11の表面に回路層14を形成した後、治具20に載せて、接着剤16にて第1の基板の回路層側の表面と、大口径の第2の基板12とを貼り合せる。治具を取り外し、第1の基板の裏面を研削、研磨して鏡面化し、この鏡面化した裏面に、大口径の透明な第3の基板13を直接接合にて貼り合せた後、熱処理して、第1の基板と第3の基板の結合力を強化する。そして、第1の基板と第2の基板との間を機械的に分離し、第1の基板の表面に残った接着剤を除去し、回路層を露出させることで、大口径のマイクロディスプレイ用基板が得られる。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP6001509B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2013139871
申请日：2013-07-03
Applicant: 信越化学工業株式会社
Inventor： 飛坂 優二
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公开(公告)号：JP5859497B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2013172439
申请日：2013-08-22
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/265 , H01L21/02
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公开(公告)号：JP2020009859A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：JP2018128442
申请日：2018-07-05
Applicant: 信越化学工業株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/304 , H01L21/306 , C09J183/04 , G09F9/00 , G02F1/13 , H01L21/02
Abstract: 【課題】 ウェハレベルで実施でき、歩留まりよく且つ大口径で実施することが容易な、デバイス層を透明基板上に転写する方法を提供する。 【解決手段】 シリコン層11と絶縁体層12とデバイス層13とを含むSOIウェハ14の前記デバイス層側を、仮接合用接着剤16を用いて支持基板15に仮接合する工程と、前記SOIウェハ14の前記シリコン層11を前記絶縁体層12が露出するまで除去して薄化デバイスウェハを得る工程と、前記薄化デバイスウェハの前記露出した絶縁体層12または透明基板17の少なくとも一方に転写用接着剤18を塗布する工程と、前記転写用接着剤18を介して、前記薄化デバイスウェハの前記露出した絶縁体層12と前記透明基板17とを接合する工程と、前記薄化デバイスウェハと前記透明基板17と接合体に反りがある場合には反りを矯正した状態で前記支持基板15を除去する工程とを含む、デバイス層転写基板の製造方法。 【選択図】 図1
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公开(公告)号：JP6568491B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2016040143
申请日：2016-03-02
Applicant: 信越化学工業株式会社
Inventor： 飛坂 優二
IPC: H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/265 , H01L21/304
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