公开(公告)号：JP2016134193A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：JP2015242424

申请日：2015-12-11

申请人： 力旺電子股▲分▼有限公司

发明人： チャ−ジュン ス ,  ウェイン−タウン サン ,  チン−スン ヤン ,  チー−イー シャオ ,  チュン−ユァン ロ ,  ユ−シン ツァイ ,  チン−ユアン リン

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0097 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092

摘要： 【課題】抵抗変化型ランダムアクセスメモリのメモリセルアレイを提供する。 【解決手段】メモリセルアレイは、第1のビット線と、第1のワード線と、第1のソース線ペアと、第1のメモリセルとを含む。第1のメモリセルの選択端子は第1のワード線と接続される。第1のメモリセルの第1の制御端子は第1のソース線ペアの第1のソース線と接続される。第1のメモリセルの第2の制御端子は第1のソース線ペアの第2のソース線と接続される。第1のメモリセルの第3の制御端子は第1のビット線と接続される。 【選択図】図3B

摘要翻译： 要解决的问题：提供电阻变化型随机存取存储器的存储器阵列。解决方案：存储器阵列包括第一位线，第一字线，第一源极线对和第一存储器单元。 第一存储单元的选择端连接到第一字线。 第一存储单元的第一控制端连接到第一源极线对的第一源极线。 第一存储单元的第二控制端连接到第一源极线对的第二源极线。 第一存储单元的第三控制端连接到第一位线。选择的图示：图3B

公开(公告)号：JP6282258B2

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：JP2015242424

申请日：2015-12-11

申请人： 力旺電子股▲分▼有限公司

发明人： チャ−ジュン ス ,  ウェイン−タウン サン ,  チン−スン ヤン ,  チー−イー シャオ ,  チュン−ユァン ロ ,  ユ−シン ツァイ ,  チン−ユアン リン

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0097 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2013/0092