公开(公告)号：JP2019014650A

公开(公告)日：2019-01-31

申请号：JP2018168740

申请日：2018-09-10

申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所

发明人： 長谷川 雅考 ,  加藤 隆一 ,  津川 和夫 ,  石原 正統 ,  沖川 侑揮 ,  山田 貴壽

IPC分类号： C25D1/04 ,  C01B32/184

摘要： 【課題】 従来の熱CVDおよび樹脂炭化法によるグラフェン成膜の課題を解決し、メタンガスなどの炭素含有ガスを使用することなく、より低温で短時間にグラフェンを形成し、かつ層数を制御する手法を提供する。 【解決手段】 金属製基材内部に含まれる微量の炭素を加熱により基材表面に析出させ、さらに減圧下において水素ガスを用いたプラズマ処理を行うことにより、該基材表面にグラフェンを成長させてグラフェン透明導電膜を得る。 【選択図】 なし

公开(公告)号：JP6800401B2

公开(公告)日：2020-12-16

申请号：JP2018168740

申请日：2018-09-10

申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所

发明人： 長谷川 雅考 ,  加藤 隆一 ,  津川 和夫 ,  石原 正統 ,  沖川 侑揮 ,  山田 貴壽

IPC分类号： C25D1/04 ,  C01B32/184