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公开(公告)号:JP6032446B1
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:JP2015104186
申请日:2015-05-22
Applicant: 尾池工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Abstract: 【課題】本発明は、可視光領域および赤外領域をカバーする、波長200nm以上2000nm以下の領域において、全光線反射率が低い低反射グラフェンおよび、これを利用した光学部材を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明によると、波長200nm以上2000nm以下の範囲において、全光線反射率が、1.5%以下である低反射グラフェンが提供される。また、低反射グラフェンは、第1の方向に略平行な面を有する第1のグラフェン層と、前記第1のグラフェン層に接続し、前記第1の方向と交差する第2の方向に配向した第2のグラフェン層と、を有する。 【選択図】図10
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公开(公告)号:JP5991520B2
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:JP2012170157
申请日:2012-07-31
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C01B31/02
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公开(公告)号:JP2018006044A
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:JP2016128050
申请日:2016-06-28
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Abstract: 【課題】低抵抗な透明導電膜を提供する。 【解決手段】透明導電膜10は、透明基材12と、透明基材12上に設けられたグラフェン14と、グラフェン14上に設けられたポリメタクリル酸メチル層16を有する。ポリメタクリル酸メチル層16の厚さは20〜150nmである。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JPWO2017213045A1
公开(公告)日:2019-01-24
申请号:JP2017020603
申请日:2017-06-02
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C23C16/01 , C01B32/186 , C01B32/194 , C23C16/26
Abstract: 大面積で窒素原子の置換位置が制御された窒素ドープグラフェン膜を製造する。窒素ドープグラフェン膜の製造方法は、CH 4 およびN 2 を含有するプラズマを基材に照射して、基材上に窒素ドープグラフェン膜を生成させる。プラズマ中に含まれることがあるH 2 Oの分圧は、プラズマの全圧の0.015以下で、プラズマ中に含まれることがあるO 2 の分圧は、プラズマの全圧の0.002以下で、H 2 Oの分圧は、プラズマ中のCH 4 の分圧の0.35以下である。
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公开(公告)号:JP2016152217A
公开(公告)日:2016-08-22
申请号:JP2015031028
申请日:2015-02-19
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Abstract: 【課題】透明電極としてグラフェン膜を用いた有機EL素子において、リーク電流を減少させ、かつ高輝度化を実現した有機EL素子を提供する。 【解決手段】透明樹脂基板101上に、グラフェン膜102、ホール注入層103、有機EL層104、及び陰極105が積層されてなる有機EL素子において、透明樹脂基板に、平坦性の高いポリエチレンテレフタレートを用いることでリーク電流を抑制し、高輝度化を実現する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题:提供一种使用减少漏电流并实现高亮度的透明电极用石墨烯膜的有机电致发光(EL)元件。解决方案:有机EL元件通过在透明树脂基板101上层压形成石墨烯 膜102,空穴注入层103,有机EL层104和负极105.通过使用高度平坦的聚对苯二甲酸乙二醇酯作为透明树脂基板,可以抑制泄漏电流,并实现高亮度。图1
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公开(公告)号:JP6800401B2
公开(公告)日:2020-12-16
申请号:JP2018168740
申请日:2018-09-10
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C25D1/04 , C01B32/184
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公开(公告)号:JP6562331B2
公开(公告)日:2019-08-21
申请号:JP2018522453
申请日:2017-06-02
Applicant: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC: C23C16/01 , C01B32/186 , C01B32/194 , C23C16/26
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