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公开(公告)号：JP6800401B2
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：JP2018168740
申请日：2018-09-10
申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC分类号： C25D1/04 , C01B32/184
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公开(公告)号：JP6562331B2
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：JP2018522453
申请日：2017-06-02
申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC分类号： C23C16/01 , C01B32/186 , C01B32/194 , C23C16/26
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公开(公告)号：JP6176711B2
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：JP2013122187
申请日：2013-06-10
申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC分类号： C01B32/184 , B82Y40/00 , B82Y35/00 , G01N21/59 , G01N21/65
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公开(公告)号：JP2016218301A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015104186
申请日：2015-05-22
申请人： 尾池工業株式会社 , 国立研究開発法人産業技術総合研究所
摘要： 【課題】本発明は、可視光領域および赤外領域をカバーする、波長200nm以上2000nm以下の領域において、全光線反射率が低い低反射グラフェンおよび、これを利用した光学部材を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明によると、波長200nm以上2000nm以下の範囲において、全光線反射率が、1.5%以下である低反射グラフェンが提供される。また、低反射グラフェンは、第1の方向に略平行な面を有する第1のグラフェン層と、前記第1のグラフェン層に接続し、前記第1の方向と交差する第2の方向に配向した第2のグラフェン層と、を有する。 【選択図】図10
摘要翻译： 本发明涉及一种覆盖在以下方面可见光区域和红外区域，目的在波长200nm的2000纳米，全光线反射率是低的低反射石墨烯和，使用相同的是提供一种光学部件 到。 根据本发明，在范围2000纳米以上的波长200nm时，全光线反射率，提供了一种低反射率的石墨烯是1.5％或更小。 另外，低反射石墨烯具有具有表面相交的第一方向上的第一石墨烯层近似平行于所述第一方向，连接到所述第一石墨烯层，在第二方向上取向的 它有一个第二石墨烯层。 .The 10
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公开(公告)号：JPWO2020138202A1
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：JP2019050910
申请日：2019-12-25
申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
发明人： 長谷川 雅考
摘要： グラファイト薄膜の優れた熱特性をシリコンデバイスに付与し、高排熱型電子デバイス用途に向けた積層体を提供する。 グラファイト薄膜/シリコン基板積層体は、脱気下で、平滑化されたグラファイト薄膜及びシリコン基板のそれぞれの表面をクリーニングして活性化させ、表面を互いに接近させて自発的に接合させることによって提供される。かかるシリコン基板の上にグラファイト薄膜を与えた積層体は、シリコン基板とグラファイト薄膜とが直接界面を挟んで接している。
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公开(公告)号：JP6725122B2
公开(公告)日：2020-07-15
申请号：JP2019523913
申请日：2018-06-05
申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
IPC分类号： C01B32/186 , H01L51/50 , H05B33/28 , H05B33/10 , H05B33/26 , C01B32/194
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公开(公告)号：JP2018006044A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2016128050
申请日：2016-06-28
申请人： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
摘要： 【課題】低抵抗な透明導電膜を提供する。 【解決手段】透明導電膜10は、透明基材12と、透明基材12上に設けられたグラフェン14と、グラフェン14上に設けられたポリメタクリル酸メチル層16を有する。ポリメタクリル酸メチル層16の厚さは20〜150nmである。 【選択図】図1
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