公开(公告)号：JPWO2020085291A1

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：JP2019041284

申请日：2019-10-21

Applicant: 学校法人早稲田大学 ,  株式会社明電舎

Inventor： 野田 優 ,  北川 紗映 ,  安井 浩太郎 ,  杉目 恒志 ,  高橋 大造 ,  錦織 祐市 ,  越智 隼人 ,  ▲高▼橋 怜那 ,  深井 利眞

IPC: H01J35/06 ,  C01B32/16 ,  H01J1/304

Abstract: 金属台座(4)上にカーボンナノチューブ層(2)(CNT層2である。以下同じ。)を備えるCNTデバイス(1)(炭素−金属構造体)である。CNT層(2)に、ろう材層(3)を介して金属台座(4)をろう付けする。CNTデバイス(1)を製造する際は、まず、耐熱凹凸基板(6)にCNT層(2)を形成する。次に、耐熱凹凸基板(6)上のCNT層(2)にろう材層(3)を介して金属台座(4)をろう付けする。そして、耐熱凹凸基板(6)から金属台座(4)(およびCNT層2)を剥がして、CNT層(2)を耐熱凹凸基板(6)から金属台座(4)に転写する。